Reactor-Micro Participated in the Guangzhou International Lighting Exhibition ( 2024 Guangya Exhibition) with LED Drive Chips
From June 9th to 12th, 2024, Reactor-Micro participated in the Guangzhou International Lighting Exhibition (Guangya Exhibition) with LED drive chips, and the booth was located at 1.2 Hall F58.
Reactor-Micro has focused on LED drive chips for many years, and has a mature LED drive chip product line and the product R & D - production - sales model. This exhibition will mainly bring the RM9033GEX series low-voltage lighting solution.
The RM9033GEX series is a high-precision single-channel linear LED constant current drive control chip, with a 100V 2A low-voltage MOS enclosed in the chip, which has characteristics such as OVP protection function, CP constant power compensation function, and OTP adjustable function, and can be applied to automotive lights, electric vehicle lights, motorcycle lights, table lamps, rechargeable spotlights, magnetic suction lights, and other DC-powered lighting fixtures.
In this exhibition, Reactor-Micro also brught the full range of power device products, including high-voltage superjunction MOSFET with 600V, 650V, 700V, and 800V, medium and low-voltage MOSFET with 30V-100V, and planar MOSFET. In addition, there were also AC/DC power management chips, automotive electronics, and radio frequency communication power system products, which will also be presented to the audience in this exhibition together.
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型号- RM9003X 系列,RM9003XX,RM9001DE,RM9031A,RM9023D,RM9001DB,RM9023F,RM9001DA,RM9023E,RM9003B,RM9023-XX,RM9003A,RM9010GBV,RM9012GB,RM9010GB,RM9023-05,RM9010X,RM9226,RM9006X,RM9001AH,RM9005AC,RM9001AF,RM9001AE,RM9003EE,RM9023-29,RM9033GA,RM06R20X,RM9033GE,RM9033GF,RM9115,RM9006ABS,RM9031X,RM9023X,RM9003X,RM9015X,RM9003BD,RM9003BB,RM9002DE,RM9015CB,RM9002DC,RM9001D,RM9002DB,RM9005G,RM06R20E,RM9023-20,RM06R20D,RM06R20C,RM9005E,RM06R20B,RM9126A,RM06R20A,RM9126B,RM9012X,RM9001AS,RM901CE,RM923X,RM9016X,RM9016BH,RM9006AC,RM9006AB,RM9010E,RM9023-07,RM9030E,RM9001X 系列,RM9003GA,RM9013,RM9016,RM9030CF,RM9015,RM9023-15,RM9103A,RM9023-13,RM9001X
亚成微电子股份有限公司ACDC电源管理方案
型号- RM341XSH,RM6163D,RM6717S,RM3413SH,RM671X系列,RMG65R380SN,RM6801X,RM3364S,RM3352S,RM6601SNX,RMA65R2K5SN,RMC65R380SN,RMG65R280SN,RM3368S,RM3365D,RM6801S,RM6514S,RM673XS,RM335X系列,RM671XS,RM6801X系列,RM3401SH,RMC65R650SN,RM3405SH,RM3353S,RM3430T,RM65R1K6SG,LM3290,RM3410T,RM4100,RM335X,QFE4100,RM65R1K6SD,RM6801SNX,RMG65R650SN,RM6601,RM671X,RMA65R1K0SN,HUSB339,RM6601SN,RM343X,RM3366D,RM6715S,RM3412SH,RM6601X,RM343XSH,RMC65R1K0SN,RMA65R1K6SN,RMG65R1K6SN,RM6601X系列,RM343X系列,RM6517D,RMG65R1K0SN,RM3100,RM442D2,RM6601系列,RMA65R650SN,RM50055,RM6601S,RMA65R380SN,RM6801SNX系列,RM65R2K5SD,RM6801SN,RMX65R950SN,SW3517,RMX65R600BN,RM3402SH,RMC65R280SN,QET6100,RM6601SNX系列,RM67XX系列,RM4141N,RM6710S,RM65R2K5SG,SW3516,RM50085,RMA65R280SN,RM3400T,RMG65R2K5SN,RM67XX
亚成微电子智能功率开关选型表
亚成微智能功率开关，导通电阻/RON(mΩ)TJ=25℃（Typ）2.8mΩ-200mΩ；有过压保护、过流限制、过温保护
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产品型号
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品类
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导通电阻/RON(mΩ)TJ=25℃（Typ）
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导通电阻/RON(mΩ)TJ=25℃（Max）
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负载电流典型值/IL(A)（Nom）
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负载电流典型值/IL(A)（ISO）
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短路电流保护值/IL(SC)(A)
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通道数量
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封装
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保护特性
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诊断特性
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RM75200
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智能功率开关
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150
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200
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0.7
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/
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1.4
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1
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SOT-223
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过压保护 过流限制 过温保护
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选型表 - 亚成微电子 立即选型
亚成微电子（Reactor Microelectronics）AC-DC电源管理芯片选型指南
描述- 亚成微电子股份有限公司（简称“亚成微”），成立于2006年，是—家专注高速功率集成技术的高端模拟IC设计公司，总部位于西安，在厦门、深圳、宁波、中山等地设有研发中心或客户支持中心。目前，基于“高速率功率集成技术平台”已量产包括射频功率放大器供电管理方案-包络跟踪芯片（ET)、智能功率开关芯片、AC/DC电源管理芯片、线性LED照明驱动芯片以及功率MOSFET在内五大产品线，可被广泛应用于无线通信、工业控制、汽车电子、消费电子以及LED照明等领域。
型号- RM6648S,RM673X,RM335X系列,RM6801ND,RM6601SDL,RM3353SA,RM3432SH,RM3434SH,RM3411SL,RM3352S,RM6515D,RM3360T,RM3432SA,RM3434SA,RM6648SC,RM6801NDL,RM335X,RM6514S,RM343X,RM673X 系列,RM3365DL,RM6510T,RM6732S,RM3430T,RM3430TH,RM341X 系列,RM672X 系列,RM1342S,RM3353DA,RM3368SL,RM3364SL,RM336X,RM6602T,RM6601SN,RM6601NDL,RM3360TL,RM6727S,RM3354SA,RM6601NDQ,RM3352SA,RM6000T,RM6501S,RM3412SL,RM3435SH,RM6501SN,RM6517D,RM6820NQL,RM1342SDL,RM3402AL,RM6601SD,RM3392SH,RM6603SC,RM6801SDL,RM3436DH,RM6734S,RM341X,RM672X,RM6604NDQ,RM336X系列,RM6730S,RM6604NDL,RM343X系列,RM6314DA,RM3402SA,RM6312DA,RM6801SD,RM3363SL
亚成微电子开关电源芯片选型表
亚成微开关电源芯片，最大功率8W~120W，工作频率65KHz~130KHz
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产品型号
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品类
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分类
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最大功率（W）
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功率管
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工作频率（kHz）
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封装形式
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应用领域
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RM6820NQL
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开关电源芯片
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副边反馈(SSR)+ZVS
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120W
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内置GaN
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85kHz
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PLP8*8
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快速充电器、电源适配器、模块电源
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选型表 - 亚成微电子 立即选型
【产品】亚成微电子推出高精度高压线性LED恒流控制芯片RM9001DB，具备过温调控、功率补偿功能
RM9001DB是一款采用自适应LED四段分段驱动机制的高精度高压线性LED恒流控制芯片，具备可调节的过温调控功能和功率补偿功能。本文介绍了基于RM9001DB的30W/50W高PF、无频闪方案。
亚成微电子（Reactor Microelectronics）功率MOSFET选型指南
描述- 亚成微专注于高速率功率集成技术设计领域。主要产品包括功率MOSFET、AC/DC电源管理芯片、LED驱动芯片以及包络追踪射频功率放大器（ET-PA）等。产品可被广泛应用于5G通讯、消费电子以及LED照明等多领域中。亚成微拥有由多名博士带领的国际领先技术的设计团队，公司自主研发的产品已获得国家专利62项、国际专利3项，另有67余项专利正在受理中，其中包含9项国际专利。
型号- RMA65R1K0SN,RMA65R380SN,RMG65R600BN,RC10R600H,RMC65R280SN,RMA65R950SN,RMA65R600BN,RMC65R1K0SN,RMG65R380SN,RMG65R650BN,RMXXXRXXX,RMC65R950SN,RMA65R650BN,RMA65R280SN,RMG65R1K0SN,RMC65R650BN,RMG65R280SN,RMC65R380SN
电子商城
服务
可定制LAMP LED、 CHIP LED、 PLCC LED、 汽车用车规级LED、COB LED的尺寸/电压/电流等参数，电压1.5-37V，电流5-150mA，波长470-940nm。
最小起订量： 30000 提交需求>
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
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