蓉矽半导体亮相上海慕尼黑电子展,重点展示碳化硅MOSFET、二极管及光伏逆变器、新能源汽车等应用解决方案
2024年7月8日,上海慕尼黑电子展在新国际博览中心开幕。展会以新能源汽车、储能、智能驾驶、智慧电源、第三代半导体等应用领域为年度热门趋势,打造了从产品设计到应用落地的横跨产业上下游的专业展示平台。
蓉矽半导体展示精彩产品与技术
蓉矽半导体在E3馆3646号展位,重点展示了碳化硅MOSFET/二极管EJBSTM,以及光伏逆变器、新型储能方案、直流充电桩和新能源汽车等领域应用解决方案。
2000V高压碳化硅MOSFET
其中,2000V/30mΩ MOSFET具有以下特点:
低米勒电容:通过优化元胞设计,进一步降低米勒电容;
高抗串扰能力:通过调整栅源电容与栅漏电容的比例,改善硬开关电路中的串扰问题;
低开关损耗:采用多晶硅网络优化技术,充分降低栅极内阻,降低器件开关损耗;
灵活的阈值电压设计:提供高/低阈值版本,以供客户选择;
高可靠性:通过控制栅氧化层电场强度,保障器件的高可靠性。
蓉矽碳化硅MOSFET在光伏逆变器中的应用
在光伏逆变器主拓扑应用中,蓉矽半导体工规级NovuSiC®光伏逆变器解决方案包含SiC EJBS™二极管与1200V 75/40mΩ SiC MOSFET。相较于硅基二极管+硅基IGBT的传统方案,基于SiC器件的解决方案可将逆变器体积缩小60%左右,大幅提高功率密度。在相同的开关频率下(20kHz@10kW),蓉矽半导体NovuSiC® MOSFET可降低50%的损耗;在相同损耗下(98W@10kW),蓉矽半导体EJBS™+SiC MOSFET方案可将开关频率提升2倍左右,即可从20kHz提高至40kHz。
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