蓉矽半导体亮相上海慕尼黑电子展，重点展示碳化硅MOSFET、二极管及光伏逆变器、新能源汽车等应用解决方案

时间： 2024-07-11 来源：蓉矽半导体公众号

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2024年7月8日，上海慕尼黑电子展在新国际博览中心开幕。展会以新能源汽车、储能、智能驾驶、智慧电源、第三代半导体等应用领域为年度热门趋势，打造了从产品设计到应用落地的横跨产业上下游的专业展示平台。

蓉矽半导体展示精彩产品与技术
蓉矽半导体在E3馆3646号展位，重点展示了碳化硅MOSFET/二极管EJBS^TM，以及光伏逆变器、新型储能方案、直流充电桩和新能源汽车等领域应用解决方案。

2000V高压碳化硅MOSFET

其中，2000V/30mΩ MOSFET具有以下特点：

低米勒电容：通过优化元胞设计，进一步降低米勒电容；
高抗串扰能力：通过调整栅源电容与栅漏电容的比例，改善硬开关电路中的串扰问题；
低开关损耗：采用多晶硅网络优化技术，充分降低栅极内阻，降低器件开关损耗；
灵活的阈值电压设计：提供高/低阈值版本，以供客户选择；
高可靠性：通过控制栅氧化层电场强度，保障器件的高可靠性。

蓉矽碳化硅MOSFET在光伏逆变器中的应用

在光伏逆变器主拓扑应用中，蓉矽半导体工规级NovuSiC^®光伏逆变器解决方案包含SiC EJBS™二极管与1200V 75/40mΩ SiC MOSFET。相较于硅基二极管+硅基IGBT的传统方案，基于SiC器件的解决方案可将逆变器体积缩小60%左右，大幅提高功率密度。在相同的开关频率下（20kHz@10kW），蓉矽半导体NovuSiC^® MOSFET可降低50%的损耗；在相同损耗下（98W@10kW），蓉矽半导体EJBS™+SiC MOSFET方案可将开关频率提升2倍左右，即可从20kHz提高至40kHz。

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