蓉矽半导体携碳化硅MOSFET/二极管EJBS™产品以及解决方案,亮相2024年慕尼黑上海电子展
![碳化硅MOSFET,二极管,SiC MOSFET,NC1M120C40HT](https://www.sekorm.com/front/website/images/sekormContent.jpg)
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7月10日,2024年慕尼黑上海电子展在新国际博览中心落下帷幕。蓉矽半导体携碳化硅MOSFET/二极管EJBS™以及光伏逆变器、新型储能方案、直流充电桩和新能源汽车等领域应用解决方案亮相展会,吸引了一众行业人士驻足交流。
01、SiC助力国家实现“双碳”目标
新能源汽车、光伏以及储能的高速发展为以碳化硅为典型代表的第三代半导体在大功率场景应用铺平了道路,也为第三代半导体带来了新的平台。
2024年是800V高电压平台的关键发展时期,通过高压快充技术来解决电动车的补能焦虑问题成为行业共识。要普及全域800V架构,首先需要解决的是高电压平台下充电设备的兼容性问题,包括充电桩、电池、电机等。根据第三方市场研究公司Yole数据预测,2028年碳化硅市场规模将达89亿美元。
图源:Yole Intellgence
02、1200V SiC MOSFET在OBC中的应用
车载充电机(On-board Charger)是为新能源汽车的动力电池进行充电的电力电子装置。OBC可以将电网中的交流电转化为直流电后充入汽车电池。一般来讲,OBC主回路包含两个模块:PFC(Power Factor Correction)功率因素校正和DC-DC电源转换拓扑。PFC负责对输入电流波形进行控制,使其同步输入电压波形;在降压型DC-DC转换器中,通过采用双有源桥CLLC拓扑结构,得以在充电和放电模式下对电压进行高效率和宽输出。
为了提升充电效率,延长续航里程,800V高压平台成为主流选择。基于传统硅基功率半导体的OBC已在效率和功率密度双重指标上进入瓶颈。使用1200V碳化硅MOSFET对提升OBC功率密度、降低重量具有积极意义和显著效果。
蓉矽半导体自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT已顺利通过AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严可靠性考核,支持11kW/22kW大功率主流充电,适配目前OBC 800V高电压电池发展趋势。
采用1200V SiC器件可以简化系统拓扑复杂度,总损耗可降低50%以上,磁性器件体积可降低70%以上。整体系统效率提升约为2%,峰值可达97%以上。
03、慕尼黑德国电子展,我们不见不散
11月12日,2024年德国慕尼黑电子展(Electronica)将在慕尼黑新国际博览中心进行,该展会是世界顶级电子元器件、系统、应用和解决方案云集的贸易展销会与研讨会。蓉矽半导体将携核心产品和创新方案参加本次盛会,与来自全球的展商和观众进行经验分享,持续加强海内外市场联动。
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本文由犀牛先生转载自NOVUSEM(蓉矽半导体)微信公众号,原文标题为:慕尼黑上海电子展圆满收官,我们明年再会!,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
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型号- SCF60R190C,SFD3006T,SFD6003T,SGP104R5T,SFS0406T4,SFM6005DT,SFD7N70,SFW90N25,SFQ0320T4,SFD18N20,SFM4009T,SFE6001T2,SFM6004T5,SFK2N50,SFF60N06,SFN4006T5,SFM0420T4,SFP10003PT,SFF18N20,SCF65R190TF,SFD2N50,SFM4004PT,SFS6003PT,SFP33N10,SFS4010T,SGS6001T4,SGP6008T,SFS3401,SFQ0318T4,SC3D40120D,SFS3400,SFK1N65,SCD65R960C,SFS4010T2,SFF5N80,SFS0407T4,SFS3407,SFD6005T,SFD10003PT,SFD7N50,SFM6005ST,SFF18N50,SFP40P10,SGS15HR430T,SFA10015T,SFP50N06,SCF65R640C,SFD3003T,SFQ0322T4,SFF12N65,SFD6006T,SGD105R5T,SFP11P20,SFD6N70,SFS6007T,SGM10HR14T,SCF65R380C6,SFS3400.A,SFS3001T2,SCD70R600C,SFQ0420T4,SCF60R580C,SGXXXXXPT,SGM062R3T,SFS4525T,SFD3004T5,SFS3401A,SGM066R5T,SFN3009T,SGM031R7T,SFB11N90,SCD70R900C,SFU3006T,SFP9N20,SFA110P06,SFR0305T2,SFF50N06,SFD6007T,SCD80R500S,SC3D08065G,SCF65R380C,SFD4006T,SC3D08065I,SFN0315T4,SFN3003PT,SFA6005T,SFS4008T2,SFS2300,SGP157R5T,SFS2301,SFM10015T,SFH8402DW,SC3D04065E,SCU70R900C,SCF60R280C,SFS2304,SFS2303,SFF13N50,SFS2305,SC3D04065I,SFF7N50,SCF65R540T,SFD50N06,SFP20007,SFU18N20,SGP104R0T,SCD65R1K2C,SFN0330T2,SFD6008T,SGM107R7T,SC3D04065A,SFM4010T,SFF20N50,SC3D20065D,SFP40N20,SFS0307T4,SFD3012T,SFF7N65,SCD60R580C,SFU5N20,SC3D10065A,SGM105R0T,SCF65R310C,SCF60R360C6,SFS0405T4,SC3D10065G,SC3D10065I,SFP6P10,SFM4005DT,SC3K080120,SCK65R1K15C,SFW50N25,SFU4N65,SFN0413T4,SFD5N65,SFP30P10,SFM10003PT,SC3D08065A,SFP18P10,SFD4N90,SFF7N70,SCF60R125C,SFXXXXXPTX,SFD4006PT,SFD4003T,SCF70R600C,SFF6005T,SFS0306T4,SCF80R950C,SGA104R0T,SFD3010T,SFE3007T,SFD5N50,SFP3006T,SFP3018T,SFP18N20,SGP103R0T,SCW65R075CF,SCF65R170C,SFS6012T2,SGD6008T,SGM041R8T,SFD4001PT4,SFD4001PT5,SFF8N65,SFN3006PT,SC3K040120,SGM6008T,SFD4N70,SCW60R030CF,SFB50N25,SCW65R041CF,SFP6005T,SFS2013PT,SCF70R420C,SCW65R090C,SGM031R1T,SCD70R420C,SC3K075120,SFD33N10,SCW65R099TF,SFP5P03,SCF60R160C,SFR0206T2,SFD4N65,SC3D15120H,SFS2N7002,SFF33N10,SCF70R360C6,SFD2008T,SFN3003T,SFS2302B,SGM109R5T,SFM6008T,SFD3006PT,SFD6003PT,SGA104R5T,SFF20N65,SFK4N65,SFB90N25,SFD5N20,SFR0205PT2,SGM030R7T,SFF8N80,SC3D30065D,SFN3002T,SFU9N20,SFD7N65E,SFD9N65,SFD4004PT,SFF20N70,SGM042R4T,SFP6007T,SFS3401B,SFS4435,SFU6003T,SGU6008T,SFM0430T2,SFF10N70,SCF60R360C,SFD2006T,SC3D06065E,SC3D06065G,SFP75P55,SC3D10120H,SFF3N80,SC3D06065A,SCD70R600C6,SCD65R380C,SFD14N25,SC3K015120,SFSAP4580,SFS6010T2,SCD65R540T,SGP105R5T,SFF4N65,SFF10N65,SC3D30120H,SFM0320T4,SC3D30120D,SC3D16065A,SC3D16065D,SC3D16065G,SFP27P20,SC3K050120,SFU6005T,SFW10P04,SFD3N50,SFF4N70,SFM10008T,SFF9N90,SCXXXXXXXXFX,SFD2003T,SFN0318T2,SFD3009T,SFM3011T,SFD6005PT,SC3K032120,SFP110N55,SFF16N65,SC3D12065A,SFF10N80,SFF5N50,SC3D12065G,SGD10HR20T,SC3D12065I,SC3D20120H,SFP59N10,SFN6004T5,SXXXXXXX,SFD9N20,SCF65R240C,SC3D06065I,SCD65R640C,SFS2012PT,SGA105R5T,SFN0250T2,SFM3012T,SC3D20120D,SGM041R3T
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
碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET等碳化硅功率器件用于变频空调等白色家电,具备更高的效率、开关频率
碳化硅技术带来了更高的效率,可以减少空调散热器的尺寸和热管理的成本。同时,更高的开关频率可以降低磁性元件的成本和尺寸,实现更高的功率密度。此外,低电磁干扰特性则可以降低电磁干扰滤波器的成本并解决电磁干扰的研发成本。
应用方案 发布时间 : 2024-08-26
基本半导体(BASIC)碳化硅功率器件选型指南(中英文)
描述- 深圳基本半导体有限公司是中国第三代半导体行业领军企业,专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化。研发覆盖碳化硅功率器件的材料制备、芯片设计、封装测试、驱动应用等全产业链,推出通过 AEC-Q101 可靠性测试的碳化硅肖特基二极管、通过工业级可靠性测试的 1200V 碳化硅 MOSFET 以及汽车级全碳化硅功率模块等系列产品。Shenzhen BASiC Semiconductor LTD., the leading enterprise of Wide-band Gap semiconductor industry in China.BASiC master the global advanced core technology of SiC. The R&D fields cover the whole industrial chain of SiC power devices.
型号- BC1D12065,B1D30065HC,B1D16120HC,B1D04065KF,B1D15065K,B2D15065K,BC1M018120,B1D03120E,BMF450R08PC4,B2D40065HC,BC1D06065,BMS600R12HWC4,B1D10065K,B1D10065H,B1D10065E,B1D10065F,B2D20065TF,BMF400R12MCC4,BC1D05120,BMF600R12PC4,B1M018120HK,B1D12065K,B1D06065KF,B1M018120HC,B2D30120HC1,BC1D02120,BMS400R12HWC4,B1D06065KS,B2D20065K,B1D20065K,B1D16065HC,B2D20065F,B2D20065H,BC1D08065,B1D05120E,B1D20065HC,B1D05120K,B1M160120HC,B2D08065KS,BMF600R12MCC4,B1D08065K,B2D08065K,BMS700R08HWC4,B1D08065E,B1D10120HC,B1D02120E,BC1D10120,B1M032120HK,B1D08065F,B2D10065KS,BC1D02065,B1D02120K,B1D40120HC,B2D04065K1,B1D20120K,B2D20120HC,B1D20120H,B1M080120HC,B1D10065KF,B1D06065K,B1D08065KS,B1M080120HK,BMF400R12PC4,B1D06065F,BMF700R08PC4,B1D04065E,BC1D15120,B1D06065E,1CD0214T17-XXYY,B1D04065K,BC1D20065,BMS450R08HWC4,B1D08065KF,BC1M032120,BC1M080120,B1D02065E,BC1D10065,B2D20120HC1,B1D10065KS,B1D20120HC,B1D02065K,BC1D04065,B2D06065Q,B2D06065K,B2D10065Q,B2D04065D,B1D10120K,BC1D15065,B2D06065E,B2D10065K,B1D30120HC,B1D10120H,B1D10120E,B2D10065F,B1M032120HC,B2D10065K1,BC1D20120,B2D04065V,BC1M160120
【视频】蓉矽高可靠性SiC功率器件在光储充与新能源汽车上的应用
型号- NCD30S40TTD,NC1M120C12HT,NC1M120C12W,NC1D120C10AT,NCD30S20TTD,NC1D120C20KT,NC1D120C30KT,NC1M120C40HT,NC1M120C75HT
高压快充推动碳化硅SiC器件产业化:新能源汽车市场趋势与技术革新
随着全球新能源汽车市场的蓬勃发展,高压快充技术作为新能源汽车补能的主要解决方案,正逐步成为市场主流。凭借多年来在磁性元器件领域中积累的研发技术、生产经验,铭普已形成PFC电感、共模电感、电源变压器、PLC变压器和塑封逆变电感等系列产品矩阵且积极与碳化硅芯片公司合作。
行业资讯 发布时间 : 2024-08-10
世强硬创获蓉矽授权,代理车规级碳化硅MOSFET/EJBS/二极管等产品
蓉矽SiC MOSFET系列是采用第三代宽禁带半导体碳化硅制造的一种高耐压、低电阻、高频应用的MOSFET,分有高性价比的NovuSiC®和高可靠性的DuraSiC®系列。
签约新闻 发布时间 : 2023-09-06
时科Q-SSC20120-T碳化硅肖特基二极管全应用解析:光伏逆变器、开关电源和新能源汽车充电桩
碳化硅肖特基二极管(SiC Schottky Diode)在现代电子设备中扮演着重要角色,尤其在高功率、高频和高温应用中表现尤为突出。本文中小编将带你探讨时科Q-SSC20120-T碳化硅肖特基二极管在实际中的典型应用,包括光伏逆变器、开关电源和新能源汽车充电桩。
应用方案 发布时间 : 2024-07-23
澜芯半导体车规级SiC MOSFET/ IGBT等功率器件授权世强硬创代理
1200V 40mΩ SiC MOSFET和基于第二代工艺平台开发的1200V 12mΩ SiC MOSFET单芯片流片取得巨大成功,平均良率达到90%以上。
签约新闻 发布时间 : 2023-10-18
派恩杰(PN Junction)碳化硅肖特基二极管和碳化硅MOSFET选型指南
型号- P3D06010I2,P3D06020F2,P3M06120K4,P3D06010E2,P3D06016I2,P3M171K0G7,P3M173K0T3,P3M06120K3,P3D12010T2,P3D12040K2,P3M12080K4,P3D12040K3,P3M12080K3,P3D06002T2,P3M12040K3,P3D06004T2,P3M12040K4,P3D06006T2,P3D06008T2,P3M12025K4,P3M12080G7,P3M171K0K3,P3D06020I2,P4D06010F2,P3D12005E2,P3D06002G2,P3M06060T3,P3D06004G2,P3D06006G2,P3D06008G2,P6D12002E2,P3M06060G7,P3M171K0T3,P3D12030K3,P3D06010T2,P3D12030K2,P3M06060K3,P3D12015K2,P3M06060K4,P3M173K0K3,P3D06010G2,P4D06020F2,P4D06010I2,P3D06016K3,P3D06006F2,P3D06008F2,P6D06004T2,P3D12020K3,P3M06300D8,P3M06300D5,P3D12020G2,P3D12015T2,P3M12160K4,P3D06020T2,P3D12020K2,P3M12160K3,P3D06020P3,P3D12005K2,P3M12017BD,P3D06010F2,P4D06020I2,P3D06002E2,P3D06006I2,P3D06004E2,P3D06008I2,P3D06006E2,P3D06008E2,P3D12010K2,P3M06025K4,P4D06010T2,P3D12010K3,P3M07013BD,P3D12005T2,P3M06040K4,P3M06040K3,P3M12017K4,P3D06020K2,P3D12010G2,P3M17040K3,P3D06020K3,P3M17040K4
蓉矽半导体碳化硅产品在车载充电机中的应用:已通过AEC-Q101测试和HV-H3TRB考核
为了提升充电效率,延长续航里程,800V高压平台成为主流选择。使用1200V碳化硅MOSFET对提升OBC功率密度、降低重量具有积极意义和显著效果。NOVUSEM自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT已顺利通过AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严可靠性考核,支持11kW/22kW大功率主流充电,适配目前OBC 800V高电压电池发展趋势。
应用方案 发布时间 : 2024-07-20
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品牌:NOVUSEM
品类:Enhanced Junction Barrier Schottky Diode
价格:¥5.4320
现货: 50
品牌:NOVUSEM
品类:Enhanced Junction Barrier Schottky Diode
价格:¥6.5000
现货: 50
品牌:NOVUSEM
品类:Enhanced Junction Barrier Schottky Diode
价格:¥10.6250
现货: 50
品牌:NOVUSEM
品类:Enhanced Junction Barrier Schottky Diode
价格:¥12.6000
现货: 50
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可定制单色光灯珠、双色灯珠、全彩灯珠、发光二极管、贴片灯珠、贴片LED等产品,尺寸:0.6*0.3mm-3.2*2.7mm,波长:405-940nm,亮度:24-750mcd,电压:1.5-3.5V。
最小起订量: 3000 提交需求>
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