蓉矽半导体携碳化硅MOSFET/二极管EJBS™产品以及解决方案，亮相2024年慕尼黑上海电子展
7月10日，2024年慕尼黑上海电子展在新国际博览中心落下帷幕。蓉矽半导体携碳化硅MOSFET/二极管EJBS™以及光伏逆变器、新型储能方案、直流充电桩和新能源汽车等领域应用解决方案亮相展会，吸引了一众行业人士驻足交流。
01、SiC助力国家实现“双碳”目标
新能源汽车、光伏以及储能的高速发展为以碳化硅为典型代表的第三代半导体在大功率场景应用铺平了道路，也为第三代半导体带来了新的平台。
2024年是800V高电压平台的关键发展时期，通过高压快充技术来解决电动车的补能焦虑问题成为行业共识。要普及全域800V架构，首先需要解决的是高电压平台下充电设备的兼容性问题，包括充电桩、电池、电机等。根据第三方市场研究公司Yole数据预测，2028年碳化硅市场规模将达89亿美元。
图源：Yole Intellgence
02、1200V SiC MOSFET在OBC中的应用
车载充电机（On-board Charger）是为新能源汽车的动力电池进行充电的电力电子装置。OBC可以将电网中的交流电转化为直流电后充入汽车电池。一般来讲，OBC主回路包含两个模块：PFC（Power Factor Correction）功率因素校正和DC-DC电源转换拓扑。PFC负责对输入电流波形进行控制，使其同步输入电压波形；在降压型DC-DC转换器中，通过采用双有源桥CLLC拓扑结构，得以在充电和放电模式下对电压进行高效率和宽输出。
为了提升充电效率，延长续航里程，800V高压平台成为主流选择。基于传统硅基功率半导体的OBC已在效率和功率密度双重指标上进入瓶颈。使用1200V碳化硅MOSFET对提升OBC功率密度、降低重量具有积极意义和显著效果。
蓉矽半导体自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT已顺利通过AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严可靠性考核，支持11kW/22kW大功率主流充电，适配目前OBC 800V高电压电池发展趋势。
采用1200V SiC器件可以简化系统拓扑复杂度，总损耗可降低50%以上，磁性器件体积可降低70%以上。整体系统效率提升约为2%，峰值可达97%以上。
03、慕尼黑德国电子展，我们不见不散
11月12日，2024年德国慕尼黑电子展(Electronica)将在慕尼黑新国际博览中心进行，该展会是世界顶级电子元器件、系统、应用和解决方案云集的贸易展销会与研讨会。蓉矽半导体将携核心产品和创新方案参加本次盛会，与来自全球的展商和观众进行经验分享，持续加强海内外市场联动。
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本文由犀牛先生转载自NOVUSEM（蓉矽半导体）微信公众号，原文标题为:慕尼黑上海电子展圆满收官，我们明年再会！，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
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