时科碳化硅肖特基二极管Q-SSC20120-T，光伏逆变器、开关电源和新能源汽车充电桩的最佳选择
在电子设备的设计和应用中，选择合适的碳化硅肖特基二极管（SiC Schottky Diode）是确保电路性能和可靠性的关键步骤。碳化硅材料的优越性能使其在高功率、高温、高频应用中得到了广泛应用。时科的碳化硅肖特基二极管又有什么优势呢？小编将详细介绍时科的Q-SSC20120-T碳化硅肖特基二极管及其性能优势，帮助工程师朋友更好地了解这款产品的卓越之处。
低损耗
碳化硅材料的优异性能使其在高频应用中具有显著优势。时科的Q-SSC20120-T二极管具有出色的反向恢复特性，反向恢复电流极小，从而最大程度地降低开关损耗。这使得Q-SSC20120-T在高频、高效率应用中表现尤为突出。例如，在10A电流、25℃条件下，其导通压降仅为1.45V，大幅降低了功耗，提升了整体系统的能效。
高可靠性
Q-SSC20120-T的正反向特性随温度和时间的变化极小，显著提高了其可靠性。无论是在高温环境还是长时间运行中，Q-SSC20120-T都能保持稳定的性能，这对于需要长期稳定运行的设备来说尤为重要。其反向饱和漏电流仅为5μA，确保了在高温高压条件下的稳定性和安全性。
高热导率
高热导率是碳化硅材料的另一大优势。时科的Q-SSC20120-T二极管具有优异的热导率，能够有效散热，防止过热，确保器件在高功率应用中的稳定运行。其TO-220-2封装形式进一步增强了散热性能，适用于需要高散热能力的应用场景。
高抗辐照能力
碳化硅材料具有高抗辐照能力，使得Q-SSC20120-T在辐射环境下仍能保持可靠性能。这使其在航空航天等特殊应用场景中具有独特优势，为相关设备的安全运行提供了可靠保障。
高耐压
时科的Q-SSC20120-T二极管具有1200V的反向耐压，适用于需要高耐压的应用场合，如光伏逆变器和电动汽车充电桩等。高耐压特性使得其在高电压应用中表现出色，确保了设备的安全和可靠运行。
高稳定性
Q-SSC20120-T二极管在各种工作条件下表现出极高的稳定性，这使得其在各种应用中都能保持可靠性能，为用户提供长久的使用寿命。其稳定的电流和电压特性确保了设备在不同温度和负载条件下的正常运行。
核心参数
Q-SSC20120-T碳化硅肖特基二极管主要参数
反向耐压（VRRM1200V
额定电流（IF）：73A
封装类型：TO-220-2
导通压降（VF）：1.45V（在IF=10A，Tc=25℃条件下）
反向饱和漏电流（IR）：5uA
时科的Q-SSC20120-T碳化硅肖特基二极管凭借其低损耗、高可靠性、高热导率、高抗辐照能力、高耐压和高稳定性，在行业中脱颖而出。无论是光伏逆变器、开关电源还是新能源汽车充电桩，Q-SSC20120-T都能为用户提供卓越的性能和可靠性。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由子文转载自时科（時科電子公众号），原文标题为:時科Q-SSC20120-T，光伏逆变器的最佳选择，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
相关推荐
稳压二极管ZMM3V3精确稳压值3.3V，功率500mW，反向电流低至2μA@1V，适用于电子设备
稳压二极管，又称齐纳二极管或反向击穿二极管，是一种特殊的硅二极管，其主要功能是稳定电路中的电压。在众多的稳压二极管型号中，ZMM3V3以其精确的稳压值（3.3V）、适中的功率（500mW）和极低的反向电流（2μA@1V）而广泛应用于各种电子设备中。本文将详细探讨ZMM3V3稳压二极管的生产工艺，并深入分析其特性。
高特SS58C肖特基二极管：节能稳定，全方位助力电子设备
SS58C是高特微电子研发的一款卓越的LOW VF肖特基二极管，以其低功耗和超高速性能引领行业。这款器件专为处理大电流和高压场景而设计，具有出色的稳定性，在80V工作电压下，最大正向导通电流可达5A，尤其在5A电流条件下VF值仅为0.7V，展示了其优秀的节能特性。即使在80V高压环境下，其漏电电流也仅有1mA，充分体现了产品的高效能表现。
【元件】瞻芯电子推出2000V SiC MOSFET和SBD，助力高压光伏逆变器系统
为满足光伏、储能和电网等领域对更高耐压等级功率器件需要，瞻芯电子开发2000V碳化硅（SiC）MOSFET和SBD工艺平台。首批2款产品通过严格可靠性认证，并正式推向市场。目前已有客户导入新产品测试，进入整机验证阶段。
【技术】TVS瞬态抑制二极管：保护电子设备免受过电压损害
在今天的科技时代，我们生活和工作中使用的电子设备越来越多。然而，电力供应中可能存在的瞬态过电压可能对这些设备造成严重损害。为了保护电子设备免受过电压损害，我们需要使用TVS瞬态抑制二极管。今天，里阳半导体和大家具体来聊一聊，TVS瞬态抑制二极管!
芯众享面向光伏及储能领域推出碳化硅肖特基二极管和碳化硅MOSFET产品，电流范围10~40A可选
芯众享面向光伏及储能领域推出了碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET产品。其中碳化硅肖特基二极管已经在工商业光伏逆变器、组串式光伏逆变器、微型光伏逆变器领域广泛应用。
电路安全与效率：解读开关二极管选型关键参数
开关二极管作为一种关键的电子元件，在高频和快速切换应用中扮演着重要角色。因此，在选择开关二极管时，理解和评估关键参数至关重要。本文将为您解读开关二极管选型关键参数。
时科Q-SSC20120-T碳化硅肖特基二极管全应用解析：光伏逆变器、开关电源和新能源汽车充电桩
碳化硅肖特基二极管（SiC Schottky Diode）在现代电子设备中扮演着重要角色，尤其在高功率、高频和高温应用中表现尤为突出。本文中小编将带你探讨时科Q-SSC20120-T碳化硅肖特基二极管在实际中的典型应用，包括光伏逆变器、开关电源和新能源汽车充电桩。
【产品】45V/12A肖特基二极管12SQ045具有低正向压降、高频应用等特点，工作结温范围-55至+200℃
扬杰科技（YANGJIE）推出的肖特基二极管12SQ045采用R-5封装，具有低正向压降、高频应用等特点。反向重复峰值电压VRRM值为45V，平均整流输出电流IO值为12A，工作结温范围-55至+200℃。可用于开关电源、转换器、续流二极管和反向电池保护等方面。
安全、低功耗、高性能的理想选择——时科肖特基二极管SK10U100AA
随着电子设备对低功耗、高性能元件的需求不断增加，时科的SK10U100AA肖特基二极管以其卓越的性能和可靠性，成为市场的热门选择。本文将详细介绍SK10U100AA的主要特性及其在实际应用中的优势。
蓉矽半导体亮相上海慕尼黑电子展，重点展示碳化硅MOSFET、二极管及光伏逆变器、新能源汽车等应用解决方案
2024年7月8日，上海慕尼黑电子展在新国际博览中心开幕。蓉矽半导体在E3馆3646号展位，重点展示了碳化硅MOSFET/二极管EJBSTM，以及光伏逆变器、新型储能方案、直流充电桩和新能源汽车等领域应用解决方案。
【应用】京瓷功率二极管、高功率应用覆铜基板及车载显示器，专为新能源汽车设计
京瓷新能源汽车电子元器件系列中的功率二极管产品、高功率应用覆铜基板以及车载显示器。具有小型、轻巧的优势，可广泛应用在DC/DC变频器、EV、CID触控和车载空调显示器等领域中。
电子设备值得信赖的组件：稳压二极管MMSZ5254B，标称稳压值27V，±5%精度，功率达500mW
在复杂的电子世界中，稳定性是每一个电路都追求的核心目标。而稳压二极管MMSZ5254B，正是这一追求中不可或缺的稳定之锚。其独特的性能参数，包括精确的稳压值、出色的精度、足够的功率以及极低的反向电流，使得它成为了各种电子设备中值得信赖的组件。
時科推出650V、900V、1200V耐压的碳化硅二极管，具有更低的功率损耗，可在高频高温的环境下工作
广东時科微实业有限公司技术工程师何沛雄先生为大家带来了《SiC应用技术分享》的主题演讲，介绍了碳化硅与传统硅器件的优势，碳化硅二极管的优势，碳化硅二极管的应用，以及時科碳化硅二极管的产品介绍。
【应用】时科肖特基二极管SK10U60AAP用于高频开关模式电源，反向耐压VRRM可达60V
在电源类产品中，提升效率和降低损耗一直是一个重要的挑战。特别是在开关电源中，为了降低开关损耗，我们需要选择低导通电阻的MOSFET和可快速恢复的二极管。时科作为全球工程师的优质战略合作伙伴，为此推出了Low VF肖特基二极管SK10U60AAP。
如何选择合适的SIC肖特基二极管？
在电子设备的设计和应用中，选择合适的碳化硅肖特基二极管是确保电路性能和可靠性的关键步骤。碳化硅材料的优越性能使其在高功率、高温、高频应用中得到了广泛应用。小编将详细介绍碳化硅肖特基二极管的选型要求和标准，帮助您在选择产品时做出明智的决策。
电子商城
现货市场
服务
可定制LAMP LED、 CHIP LED、 PLCC LED、 汽车用车规级LED、COB LED的尺寸/电压/电流等参数，电压1.5-37V，电流5-150mA，波长470-940nm。
最小起订量： 30000 提交需求>
可定制单色光灯珠、双色灯珠、全彩灯珠、发光二极管、贴片灯珠、贴片LED等产品，尺寸：0.6*0.3mm-3.2*2.7mm，波长：405-940nm，亮度：24-750mcd，电压：1.5-3.5V。
最小起订量： 3000 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论