爱仕特携多款碳化硅功率器件新品精彩亮相2024慕尼黑上海电子展

时间： 2024-07-10 来源：爱仕特微信公众号

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碳化硅MOSFET,碳化硅功率模块,内绝缘碳化硅MOSFET,大电流碳化硅MOSFET

7月8-10日，2024慕尼黑上海电子展在上海新国际博览中心盛大举行。爱仕特携650～3300V的碳化硅MOSFET(包括最新3300V大电流产品)、650～1700V的碳化硅功率模块以及在新能源汽车、光储充用等领域的碳化硅功率转换解决方案等产品隆重亮相，于【E3.3225】展位进行全方位展示。

现场直击

展品速递

最新3300V大电流碳化硅MOSFET

最新1700V内绝缘碳化硅MOSFET

最新1200V三相全桥碳化硅模块

650～3300V的碳化硅MOSFET

650～1700V的碳化硅功率模块

本次展会为期三天，爱仕特会将持续为大家呈现精彩内容，在此诚挚邀请各位莅临【E3.3225】展位，共同探索国产碳化硅产品与技术的最新发展，期待与您交流。

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瞻芯电子 - SIC MODULES,碳化硅肖特基二极管,专用栅极驱动芯片,SIC二极管,通用栅极驱动芯片,碳化硅功率模块,SIC DIODES,碳化硅 MOSFET,SIC MOSFETS,隔离驱动芯片,图腾柱 PFC 控制芯片,SIC模块,通用门驱动器,碳化硅金属氧化物场效应晶体管,SIC SBD,GENERAL GATE-DRIVER,电源管理控制芯片,SIC肖特基势垒二极管,SIC专用栅极驱动器,比邻驱动芯片,SIC-SPECIFIC GATE-DRIVER,SIC MOSFET,IV2Q12040BD,IV1B12009HA2L,IV1D12030BD,IV2Q07014T4Z,IV1Q12050D7Z,IVST12017MA1L,IV2Q12100BD,IV1Q12017T4ZG,IV1Q12160T4Z,IVST12080DA1L,IVCR2405DR,IV2Q12040T4Z,IV1D06020BD,IVCR1412SR,IV2Q12013T6Z,IV2Q06060BD,IV1Q12080T3Z,IV2Q171R0BD,IVCO1A01DQR,IV1Q12750T3,IV2Q12030D7Z,IV1D12015BD,IV2Q07014BA,IV2Q07014BD,IV2Q12160T4Z,IV1D06006F5,IVCO1A01DR,IV1B12013HA1L,IVSM12040HA2Z,IVSM07060HA2Z,IV2Q12200T4Z,IV2Q06060L1,IV1D06010O2,IVCO1A02DWR,IV1Q12030BDG,IV1Q12080T4Z,IV1Q12750BD,IV2Q171R0T3,IVCC1102DR,IV1Q06060BDG,IV2Q12040K1Z,IV1D06020T2,IV3D12060U3,IV1Q12050T3,IV1D12020T2,IV1Q12050T4,IV1Q12080BD,IVST12050SA1L,IVCR2504DR,IV1Q12017BDG,IV1D06006BD,IV1D06004O2,IV1D12020T3,IV1Q06060D7G,IV2Q12160BD,IVCR2402DR,IV2Q12160D7Z,IV2Q06040BD,IV2Q12017BD,IV1D12040U3Z,IV2B12003HA2L,IVCO1A02DWQR,IVCR1801ASR,IV1D06020U3Z,IV1Q06040T4Z,IV2Q12017BA,IV3D12030U3,IV1Q06060T4ZG,IV2Q12013BD,IV2Q12013BA,IV1D12010O2,IVCC1102F4AR,IVCO1412DDWQR,IVST12040DA1L,IV1D06010T2,IVCR1401DR,IV1Q12080T3,IV1D12020BD,IV1D12040U3,IV1D06004P3,IV1Q12080T4,IV3D12015T2,IV2Q12080D7Z,IVCR2404MPQR,IV2Q06025BD,IVTM12080TA1Z,IV2Q06040L1,IV2Q17020T4Z,IV2Q20045BD,IV3B20023BA2,IV3D12030T2,IV2D12002BD,IVCO1A02DQR,IV1D12005BD,IVCC1104F4AR,IV2Q06025T4Z,IV2Q06040T4Z,IV2Q06060O3Z,IV1Q06060T4G,IV1D12040T2,IV2Q12100D7Z,IV2Q171R0D7Z,IV2Q06025L1,IVST12050MA1L,IVST12160DA1L,IVCR2403DR,IV1Q06040BD,IV1Q12160T3,IV1Q12160T4,IV1B12025HC1L,IV1Q12017BAG,IV2Q12200D7Z,IV2Q20045T4,IV2D12020T2,IV2Q12200BD,IV2Q06060T4Z,IV2Q12030T4Z,IV2Q12040D7Z,IV2D12020BD,IV1D12040BD,IV6212004HA2,IV1Q06060T3G,IVCR1407ASR,IV1Q12050BD,IV1Q12017T4G,IV1D12010T2,VSM12080HA2Z,IVCR1402DPQR,IV1D06004F5,IV2B12006HA1L,IVCO1411DDWQR,IV1Q06040T4,IV1Q06040T3,IV1D06010BD,IV1Q12160BD,IV1Q12750O3,IV1Q06040L1,IV1Q12160D7Z,IVCC1104DR,IV2Q12080BD,IV2Q175S0BD,IV2Q06025D7Z,IV6212004HB2,IVSM06025HA2Z,IVST12017SA1L,IV1D12030U3,IV1D20020T2,IV1D06004BD,IV1D06006O2,IV2D12020D2Z,IV2Q06040D7Z,IV2Q12017T4Z,IVCR2404DR,IV2Q06060D7Z,IVCO1A01DWR,IV1Q12030T4G,IV2Q17020BD,IV3D12020T2,IV1D12010BD,IV2D12002P2,IV2Q12030BD,IVST12120DA1L,IV2Q12080T4Z,IV1D06020U3,IVCO1A01DWQR,IV1D12030T2,IVHD122M1TA2Z,IVCO1A02DR,IV1D06006P3,IV1Q12050T4Z,IVCR2404MPR,IV1D12010P2Z,IV2Q12100T4Z,IVCR1401DPR,IV1Q06060L1G,IV2Q12080K1Z,IV1Q12080D7Z,IV2Q171S0BD,IV1D12015T2,IV1D20020BD,IV2D12002O2,IVSM12160HA2Z,IV1D12005O2,IV2Q171S0S1,充电桩,储能变流器,新能源汽车,数据中心,风电,5G基站,充电桩模块,新基建,通信电源,轨道交通,EVTOL 电动垂直起降飞行器,光伏逆变器,储能

March 2024 - 选型指南代理服务技术支持采购服务

新能源汽车碳化硅800V平台架构优势及实现方式解析

受限于硅基IGBT的工作频率和偏大的元件尺寸，目前大部分新能源车产品采用的是400V平台。随着碳化硅半导体技术的发展，越来越多车企打造出基于碳化硅的800V甚至更高的高压平台。SMC桑德斯微电子根据客户的需求设计和生产半导体及相关产品。2015年，SMC布局碳化硅产品的设计、研发与制造，并推出了一系列节能可靠、高性价比的大功率碳化硅产品器件，可广泛运用于包括新能源汽车、光伏、储能、电源等各个领域。

2024-05-22 - 技术探讨代理服务技术支持采购服务

爱仕特（AST）SiC碳化硅芯片及模块选型指南

公司简介和芯片/模块产品规则芯片模块参数含义和芯片/模块产品可靠性要求介绍

爱仕特 - SIC MODULES,半导体碳化硅芯片,碳化硅MOS器件,SIC MOS模块,单芯片,SIC功率模块,SIC MOS芯片,六英寸SIC MOS芯片,SIC模块,SIC CHIPS,碳化硅芯片,ASC20N650MT3,ASC100N1200MD10,ASC700N1200,ASC800N1200,ASC12N650MT3,ASC100N1700MT3,ASC100N900MT3,ASC100N900MT4,ASC10N1200MT3,ASC5N1700MT3,ASC1000N900,ASC60N650MD8,ASC30N1200MT3,ASC30N1200MT4,ASC100N650MT3,ASC100N650MT4,ASC18N1200MT3,ASC60N1200MT4,ASC60N1200MT3,ASC20N3300MT4,ASC60N650MT3,ASC60N900MT4,ASC60N650MT4,ASC60N900MT3,ASC600N1200,ASC-60-N-650-M-T-4,ASC100N1200,ASC300N1200,ASC60N1200MD8,ASC100N1200MT3,ASC100N1200MT4,ASC8N650MT3,ASC5N1200MT3,ASC1000N1200,电机控制器,变频器,适配器,充电机,舰船,地铁,电磁炉,混合动力汽车,电焊机,家电电器,医疗电源,电厂除尘设备,变频空调,坦克,变频洗衣机,动车,雷达,牵引变流器,智能电网,风电换流器,轻型直流输电,辅助电源,有源滤波器,太阳逆变器,车载充电机,电磁炮,消费电子,车载电源,节能环保,电动汽车,PFC电源,核磁共振仪,微波炉,计算机断层扫描,医疗设备,新能源发电,电池储能电站,充电桩,潜艇,充电器,激光炮,鱼雷,新能源汽车,CT,感应加热,电子计算机断层扫描仪,国防军工,轨道交通,无功补偿器

2021/11/26 - 选型指南代理服务技术支持采购服务

【IC】爱仕特新款高可靠汽车级碳化硅功率模块DCS12，封装一次铸造成型，为高速发展的新能源汽车注入动力

深圳爱仕特科技有限公司推出新款汽车级碳化硅功率模块DCS12，旨在缩小半导体器件使用尺寸的同时，提高逆变器功率密度、可靠性、耐用性以及寿命周期，给高速发展的新能源汽车注入动力。

2023-06-22 - 新产品代理服务技术支持采购服务

中国新能源汽车的几何式发展，倒推SiC碳化硅市场扩张

近年来，中国新能源汽车市场发展迅猛。根据中汽协数据显示，2023年，中国新能源汽车销量达到了949.5万辆，同比增长37.9%。预计2024年，中国新能源汽车销量可能将达到1200-1300万辆，并占据全球新能源汽车总销量的约60%。新能源汽车的迅猛发展，倒推车规级碳化硅SiC功率器件的需求也呈井喷式增长。

2024-12-04 - 行业资讯代理服务技术支持采购服务

【经验】采用TO-247-4封装的碳化硅MOSFET中引入辅助源极管脚的必要性

在实际应用中，基本半导体发现带辅助源极管脚的TO-247-4封装更适合于碳化硅MOSFET这种新型的高频器件，它可以进一步降低器件的开关损耗，也更有利于分立器件的驱动设计。

2022-09-01 - 设计经验代理服务技术支持采购服务

基本半导体（BASIC）碳化硅功率器件选型指南

深圳基本半导体有限公司是中国第三代半导体行业创新企业，专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化。公司总部位于深圳，在北京、上海、无锡、香港以及日本名古屋设有研发中心和制造基地。公司拥有一支国际化的研发团队，核心成员包括二十余位来自清华大学、中国科学院、英国剑桥大学、德国亚琛工业大学、瑞士联邦理工学院等国内外知名高校及研究机构的博士。

基本半导体 - 工业级全碳化硅功率模块,单通道智能带功率器件短路保护检测驱动芯片,双通道隔离驱动芯片,低边驱动芯片,碳化硅MOSFET,栅极驱动器ICS,碳化硅MOSFET晶圆,功率模块,SIC功率半导体器件,碳化硅二极管,GATE DRIVER ICS,碳化硅功率器件,晶圆,汽车级TPAK碳化硅MOSFET模块,裸片,混合碳化硅分立器件,半桥MOSFET模块,单开关模块,碳化硅功率模块,SIC POWER SEMICONDUCTOR DEVICES,门极驱动芯片,全碳化硅,汽车级HPD碳化硅MOSFET模块,隔离驱动芯片,单通道隔离驱动芯片,碳化硅二极管晶圆,汽车级全碳化硅功率模块,汽车级DCM碳化硅MOSFET模块,B2D05120E1,B2M1000170Z,B2M1000170R,BTD5350SBPR,BTL27523R,B2M080120Z,BMS600R12HLWC4_B01,B3D40120HC,B2D40065H1,BGH75N65HS1,BD2M040A120S1,B2M080120R,BGH75N65ZF1,B2D,B2D60120H1,BMS800R12HWC4_B02,BMS950R08HLWC4_B02,BTL27523B,B2M080120H,B2D16120HC1,B3D03120E,BGH40N120HS1,B2DM060065N1,BTD5350E,BTD5350SBWR,BTD5350EBPR,B3D系列,BTD21520M,BTL27524R,B2D30120H1,BTD21520E,BTD5350MBPR,BD2D20A120S1,BD2D40A120S1,B3D,BTL27524BR,BTL27524B,B2D02120K1,BTD21520S,BMF800R12FC4,BTL2752X,AB2M040120Z,BD2D10A065S1,B2M040120H,BTD25350MMCWR,BTD21520系列,BTD3011R,BTD21520MBWR,B2D10120E1,AB2M040120R,BTD5350SCPR,BMF240R12E2G3,BMF600R12FC4,BMS700R08HWC4_B01,BTD21520EBWR,B2D08065K1,B2M032120Y,BTD25350MECWR,BTD5350EBWR,B2D30120HC1,B2D40120HC1,BD2D04A065S1,B2D10065F1,B2M040120Z,B2M009120Y,BD2M065A120S1,BD2D02A120S1,BMF700R08FC4,B2D系列,B1D06065KS,B2D40120H1,B2M040120R,BMS950R08HWC4_B02,BGH50N65HS1,BGH50N65ZF1,B2D10065KF1,B2D04065E1,BTD5350,BTD5350SCWR,B3D40200H,BTD5350ECPR,BTD5350M,BTD5350MBWR,BTD21520MBPR,BTD5350S,B2D08065KS,BD2D30A120S1,BTD5350MCPR,B2D20065F1,BD2D08A120S1,B2M1000170H,BTL27523BR,BMS800R12HLWC4_B02,BD2D15A065S1,BD2D20A065S1,B2D20120H1,B2M160120Z,BTD25350MMBWR,B2D10120K1,BTD21520MAWR,B2D20065HC1,B2D30065HC1,BTD25350,B2M160120R,BTD21520EAWR,B2D40065HC1,BMS700R08HLWC4_B01,BTD5350ECWR,BTD25350MEBWR,B2D04065KF1,BGH75N65HF1,B2D10065KS,BTD21520EBPR,BMZ200R12TC4,BTD21520SBWR,B2D04065K1,B3D20120H,BMS600R12HWC4_B01,B2M160120H,BGH75N120HF1,B2M030120R,BD2D08A065S1,BTD25350系列,B2M011120HK,BTD21520SBPR,BTD3011R系列,BTD21520MAPR,B2M030120Z,B2M009120N,BTD5350MCWR,B2D06065K1,BTD5350系列,BMZ250R08TC4,B2M012120N,B3D50120H2,BTD25350MSCWR,BTL2752X系列,B2D20065H1,B2D10065E1,B2M030120H,BD2D30A065S1,B2D06065KF1,B2D05120K1,B2D02120E1,B2D06065E1,BMF950R08FC4,BD2D05A120S1,BGH50N65HF1,B2D20120F1,BD2D15A120S1,B2D20120HC1,B2D10120HC1,BTD21520EAPR,BTD25350ME,BTD21520SAWR,BTD21520,B2D20065K1,B2M018120Z,BTD25350MM,BTD25350MS,B2D16065HC1,AB2M080120R,B2D10120H1,B2M018120N,BD2D06A065S1,B2D30065H1,B2M065120Z,BTD21520SAPR,AB2M080120H,B2M065120R,B2M018120H,B2M065120H,BD2D10A120S1,BTL27523,B2D10065K1,AB2M080120Z,BTD25350MSBWR,B2M020120Y,BTL27524,B3D05120E,B2DM100120N1,BD2D40A065S1,储能设备,电机控制器,电源系统,车载电源,新能源汽车主逆变器,空调压缩机,光伏发电,大功率快速充电桩,OBC,车载充电器,不间断电源,电动汽车,UPS,混合动力汽车,光伏储能,PFC电源,字母S,PD快充,储能,电机驱动,工业控制,ESS,光伏组串逆变器,新能源汽车主驱逆变器,光储一体机,数据中心UPS,充电桩,新能源汽车,新能源汽车电机控制器,医疗电源,电力电子系统,EV充电,燃料电池DCDC,隔离式DC-DC电源,线性驱动器,家用电器,DC-AC太阳能逆变器,智能电网,AC-DC电源,轨道交通,通信电源,光伏逆变器

2024/5/16 - 选型指南代理服务技术支持采购服务

GPT080M0120HBMXT1碳化硅MOSFET

本资料详细介绍了GPT080M0120HBMXT1型碳化硅MOSFET的特性、参数和应用领域。该产品具有低开关损耗、低栅极电荷、快速高频操作等特性，适用于太阳能逆变器、电动汽车充电、开关电源和电机驱动等领域。

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2024/8/13 - 数据手册 - Rev. X.0 代理服务技术支持采购服务

昕感科技（NEXIC）是聚焦于第三代半导体碳化硅功率器件和模块设计、开发和制造的高科技企业，成立于2020年9月，注册资本4300余万元，总部位于北京，并分别在无锡、上海和深圳设有芯片器件生产线和研发中心。

硅基MOSFET 硅基IGBT 碳化硅基SBD MOSFET IGBT功率模块 SiC功率模块

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碳化硅功率器件在光伏逆变器的应用案例：可显著改善效率和功率密度

碳化硅功率器件的不断发展，为光伏逆变器的性能提升和成本优化带来了新的可能。碳化硅器件应用于大功率集成度要求高的场合，可显著改善微型逆变器效率和功率密度。本文SMC介绍碳化硅功率器件在光伏逆变器的应用案例。

2024-07-27 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

G2M080120D7碳化硅MOSFET

本资料详细介绍了G2M080120D7型碳化硅MOSFET的特性、参数和应用领域。该产品具有低开关损耗、低栅极电荷、快速高频操作等特性，适用于太阳能逆变器、电动汽车充电、开关电源、电机驱动和储能系统等领域。

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2024/8/12 - 数据手册 - Rev. X.1 代理服务技术支持采购服务查看更多版本