日本大阪大学陈传彤:SiC功率模块中微米级Ag烧结连接技术的进展
功率密度的提高及器件小型化等因素使热量的及时导出成为保证功率器件性能及可靠性的关键。作为界面散热的关键通道,功率模块封装结构中连接层的高温可靠性和散热能力尤为重要。纳米银烧结技术可以实现低温连接、高温服役的要求,且具有优秀的导热导电性能和高温可靠性,已成为近几年功率模块封装互连材料的研究热点。
第九届国际第三代半导体论坛(IFWS)&第二十届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA)在厦门国际会议中心召开。期间,“碳化功率器件及其封装技术分会“上,日本大阪大学副教授陈传彤做了“SiC功率模块中微米级Ag烧结连接技术的进展”的主题报告,分享了微米级银烧结体的连接与性能研究、Ag-Si复合浆料提高SiC功率模块可靠性、全银烧结浆料的高散热SiC结构的研究进展。
涉及用于模具附着材料的银烧结浆料连接,银微粉烧结浆料,银薄片浆料烧结,高温老化可靠性试验,热冲击试验(-50℃~250℃),Ag烧结体功率循环连接可靠性试验,SiC SBD试样的截面研究,全银烧结浆料的高散热SiC结构,高温老化可靠性试验,采用银烧结膏的先进功率模块结构等。
报告指出,在高温老化和功率循环测试下,银微米颗粒烧结连接提供了优异的结合质量和可靠性。Ag-Si复合浆料可提高热冲击可靠性;与传统的焊料和TIM油脂接合相比,全银烧结接合使芯片表面温度从270℃降低到180℃,热阻也从1.5 K/W降低到0.8 K/W。在功率循环试验中,全银烧结浆料的失效时间从2340次循环提高到33926次循环,提高了14.5倍。
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型号- WM1A280120B,WM1A030065K,WS4A004065WB,WM2A017065B,WM1A030065L,WS3A003065E,WM1A080170B,WS3A003065A,WS3A050120D,WM1A160065B,WS3A015065F,WM1A01K170B,WS3A015065J,WS3A010170A,WM1A080170K,WS3A003065J,WM1A080170L,WS3A008120E,WS4A002065WB,WM1A280120N,WS3A008120A,WM1A280120K,WS3A030120K,WS4A008065A,WS3A030120D,WM1A025120K,WM1A025120L,WS3A008120J,WS3A060120K,WS4A008065E,WSXAXXXXXX0,WS4A012065A,WS4A004065E,WS3A005120J,WS3A003120A,WS3A005120E,WS3A003120E,WS3A020120J,WM1A045170K,WM1A045170L,WM1A080120K,WS3A020120D,WS3A020120A,WS3A010065J,WM1A045170B,WS4A002065A,WS4A006065E,WM1A080120B,WS3A002330D,WS4A006065A,WS4A010065E,WS4A010065A,WS3A016120K,WM1A080120N,WS3A020120K,WS3A005120A,WS3A008065E,WS3A008065F,WS3A003120J,WS3A012065J,WS3A012065K,WS3A008065A,WM2A025120B,WS3A008065J,WS4A004065A,WS3A004065A,WS3A012065F,WS3A012065D,WS3A012065E,WS3A005170A,WS3A012065A,WS3A020065J,WM1A120065K,WS3A020065F,WS3A020065D,WS3A006065E,WS4A012065WB,WS3A006065F,WS3A020065A,WS3A010120J,WS3A002065A,WS3A010120K,WM1A120065N,WS3A006065J,WS3A015120A,WS3A002065F,WS3A015120D,WS3A002065E,WS3A010065D,WS3A010065E,WS3A002065J,WS3A025650B,WS3A006065A,WS3A010065F,WS3A040065K,WS3A016065K,WS4A008065WB,WS3A010065A,WS3A001330D,WS3A020065K,WS3A012120K,WS4A010065WB,WM1A017065L,WM1A017065K,WS3A004065J,WS3A030330K,WM2A030065B,WM2A060065B,NSD10220S,WS3A004065E,WS3A004065F,WM1A060065L,WM1A060065K,WM1A060065N,WMXAXXXXXX0,WM1A01K170N,WM1A040120L,WM1A040120K,WS3A002120A,WS3A006120E,WS3A002120E,WM1A01K170K,WS3A006120J,WS3A015065A,WS3A015065D,WM1A160120B,WS3A010120D,WS3A002120J,WS3A010120E,WS3A015120E,WM1A160120N,WS3A024065K,WS3A006120A,WS3A015120J,WM2A120065B,WM1A160120K,WS3A040120K,WS3A010120A,WM1A040120B,WS3A030065A,WS3A005330D,WS4A020065K,WS3A030065J,WS4A006065WB,WS3A030065K,WS4A016065K,WS3A030065D,WS3A030065F,WS3A060065K
长三角G60科创走廊联席办领导莅临艾创微调研指导
9月9日,长三角G60科创走廊联席办领导在肥西县委组织部领导的陪同下,考察调研合肥艾创微电子科技有限公司,G60联席办科创组组长、松江区科创发展办党组成员、副主任宋苏伟, 国家知识产权运营(上海)国际服务平台董事长潘熙,中共肥西县委组织部副部长、县委人才工作局局长何桂明等领导出席会议,合肥艾创微电子科技有限公司董事长助理郑满莹对各位领导的到来表示热烈欢迎。
原厂动态 发布时间 : 2024-09-15
【选型】无锡紫光微(UNIGROUP)半导体功率器件(半导体场效应管/MOSFET/晶体管/IGBT/IGTO)选型指南
目录- 超结功率MOSFET(SJ MOSFET) 金属氧化物半导体场效应管 沟槽式金属氧化物半导体场效应管 双沟槽金属氧化物半导体场效应管 IGBT 绝缘栅双极型晶体管 IGTO 集成发射极可关断晶闸管 SiC SBD & SiC MOSFET GaN MOSFET 半桥驱动电路
型号- TPD60R1K0C,TMP11N60H,TPA70R1K5M,TCW20N120AD,TMD4N50H,TPV60R350C,TSB15N10A,TPU50R5K0D,TPW60R075C,TMA9N70H,TPR60R580C,TPB70R135MFD,TPW60R160M,TTB95N68A,TPU65R600M,TMP20N40H,TMP12N65H,TMA8N90H,TMJ2N50HF,TMU3N55LT,TTD100N04AT,TPP80R300MFD,TMS05P35H,TPU65R600C,TPW90R350A,TMP30N25H,TCW65R036A,TC21814,TPD65R4K3C,TMP12N65M,TMA12N50HF,TMD5N30H,TMA8N50HFE,TCW65R145A,TMP10N80H,TPP65R380C,TPA60R260MFD,TMW35N60H,TPW55R060D,TPV60R240M,TTD85N03AT,TPA70R600M,TPD5QR690C,TPD50R5K4CT,TPW65R044MFD,TMU6N60H,TPD65R450CFD,TMP12N40H,TPA110R550A,TTU03P06ATS,TPU65R1K5M,TSP180N03A,TPY70R1K5C,TMA9N95H,TPA65R940C,TMA4N100H,TPA65R2K2C,TPA70R1K5C,TMU2N55CT,TMA8N50HF,TMA8N50HE,TTP90N03AT,TMU5N80H,TPP80R750C,TMA8N50HH,TPU73R400M,TMP12N43H,TMA13N65H,TMX05P35H,TTX2305A,TPB60R580C,TPU60R7K5C,TCW12N120AD,TPD65R2K7C,TMA20N60H,TTP115N08A,TPV65R085CFD,TPA65R190MFD,TPU65R1K2C,TPP65R160C,TMW3N150H,TPB65R300MFD,TPW50R060DFD,TMA12N60M,TC2108,TC2106,TPP100R500A,TPU65R950M,TMP20N65H,TC2104,TPD65R280D,TMA4N55LT,TPW100R800A,TMA12N60H,TC2103,TPU70R700C,TMU8N65H,TC2101,TPP70R260M,TMV25N55H,TPV70R190MFD,TPC80R1K2C,TPB65R750C,TPD65R2K6C,TCP3N65A,TPA60R170MFD,TPV70R090M,TMA3N55HT,TPA80R250A,TSG10N06A,TPU55R6K5C,TPA50R700C,TSJ10N06AT,TPA73R300M,TC2117,TC2118,TFA120R800A,TPU50R5K4C,TC2113,TSU10N06A,TMP30N10HT,TTB65N10A,TTJ12N04AT,TC2110,TPA65R170M,TSP12N06A,TPC60R150C,TMA8N70H,TPB50R400C,TTU05P03ATS,TMC6N70H,TMP15P20H,TPP60R260MFD,TSD12N06AT,TMW9N90H,TPP60R600MFD,TMP13N40H,TPW70R120M,TMD7N53HE,TMP1N60C,TMP140N10A,TPP65R360M,TMR12N50H,TTD18P10AT,TPA65R280D,TPV73R300M,TMB160N10A,TMP110N06H,TPW65R100MFD,TTU01P10ATS,TPD55R2K1C,TMD2N70H,TMD3N50H,TSG10N06AT,TMA4N120H,TPU50R360D,TMP12N60H,TPD60R1K4M,TMP12N60M,TMU1N50LT,TMA12N65H,TMA10N80H,TTU08N02ATS,TPA70R950C,TPA70R950M,TMP9N90H,TPA60R330M,TMA12N65M,TMU7N65H,TCP4N65A,TC2136,TPC80R1K5C,TMA11N60H,TMP2N60H,TMA3N120H,TMU4N80H,TPD70R360M,TTG130N03GT,TPU50R250C,TTP70N07A,TPP70R170M,TPV50R060C,TPY70R1K4C,TPB65R1K2C,TPC60R700C,TMU4N40HT,TPA70R1K4C,TMA4N55HT,TMV2N60HF,TPA50R2K3C,TCW50N65A,TPD65R940C,TPG65R365MH,TMV9N90H,TMA13N68H,TPB65R090M,TMU03N60HT,TPD60R840C,TPD65R2K2C,TPU70R2K8C,TTP95N68A,TPP65R600M,TMA4N60H,TMU1N50HT,TPC65R380C,TPD70R1K5M,TMA40N20H,TPD60R1K8C,TMA3N80H,TPP65R070D,TTP100N04AT,TSG010N03AT,TPA100R500A,TTD120N03AT,TPP65R075DFD,TPP65R600C,TMU8N60H,TPC50R690C,TMA4N60N,TMA4N60L,TMA4N60M,TPB80R300CFD,TPP65R950M,TMU08N50HT,TPW60R036M,TTD65N04AT,TMP162N04H,TPP60R2K5C,TPA60R600MFD,TPP70R700C,TPA80R300A,TMU1N50C,TPP80R1K2C,TPA80R300C,TPW80R300C,TPB65R400MFD,TMU1N50H,TMV8N120H,TMD2N50H,TPC70R260M,TMB120N08A,TPA65R520D,TMP120N08A,TPB100R800A,TPP60R700C,TPD70R950M,TMA12N45H,TMA10N60M,TMA10N60N,TMA2N50HF,TMU2N55L,TPD70R950C,TMD2N50CF,TPP65R700MFD,TMA10N60H,TMW6N90H,TMP50N06HT,TPD80R2K2C,TSG10N06ATC,TPP70R190C,TPP80R1K5C,TPW110R800A,TPW5QR065CFD,TPP110R550A,TPA65R9K2C,TMP25N055H,TPP65R1K2C,TMD5N50NF,TTP120N02GT,TMP6N90H,TFU65R280D,TTG40P02ATC,TPD60R1K7C,TMA18N70H,TMA1N60H,TPU65R380C,TPD70R600M,TMP16N25H,TPU80R750C,TTU04N08ATS,TPW70R300MFD,TPA50R500C,TTD28P10AT,TMA11N65H,TMP8N50L,TPA60R1K0C,TMA4N60HF,TPD70R1K5C,TMP8N50H,TMA9N90H,TPV100R500A,TMD8N60H,TCW30N65A,TMP20N60H,TPD65R400MFD,TPU55R2K9C,TMB140N10A,TPC65R360M,TMA3N60H,TMU9N20H,TPU50R1K8C,TPV80R300CFD,TMP38N30HF,TPB70R120M,TPA60R530M,TMP5N100H,TMA5N20H,TPA73R190M,TPR70R120M,TPU60R600MFD,TPV73R190M,TPU60R2K2C,TPC50R250C,TMA25N50C,TTP118N08A,TMU7N60H,TMP3N100H,TMU7N60L,TMU1N50CT,TMY1N60H,TMP1N20H,TSB12N10A,TCP6N65A,TSU12N06A,TMS1N5QLT,TPD55R2K9C,TMA25N50H,TPP60R360MFD,TMC10N65H,TMY1N60B,TPP50R500C,TPB70R400MFD,TPW70R044MFD,TC21844,TMA10N40L,TTD135N68A,TMW9N95H,TPU50R1K6C,TPV65R080C,TTB80N04AT,TSP045N10A,TPU80R1K2C,TMA10N40H,TMD7N60HF,TPP60R190A,TMA85N08H,TMP15N40H,TTK8205,TPB90R350A,TPC60R350C,TMA12N50NF,TPA120R1K5A,TTG65N10A,TTP115N68A,TMA10N65N,TSP12N10AT,TPB70R450C,TPP65R1K5M,TMA10N65H,TC2304,TPU50R1K5C,TMA10N65M,TPC60R240M,TMA18N50H,TPD60R3K4C,TMA2N60C,TMA2N60H,TCW65R275A,TPB65R380C,TPR65R260M,TMU5N50CF,TPA80R1K2C,TPA65R400MFD,TMV28N55H,TPP80R270M,TMW57N10H,TMA16N60H,TMD8N55HE,TPA65R280DFD,TPP60R580C,TTP150N02GT,TMU3N50H,TSP15N06A,TPP120R800A,TMC10N60N,TPW50R065CFD,TPA70R190MFD,TMP6N40H,TTD120N02GT,TMC10N60H,TMU2N70H,TTP120N03AT,TMU6N60HF,TTJ05P04AT,TMP8N25H,TMU2N70L,TMU5N30HT,TPA70R450C,TMA9N20HT,TMP2N50HT,TMU2N70N,TPC65R940C,TCW20N120A,TPB65R100MFD,TMA18N20H,TPU60R3K4C,TMV10N90H,TMU02N15AT,TPA80R300CFD,TSU12N10AT,TPW60R260MFD,TPC70R1K5C,TMA25N55H,TMA4N90H,TPV60R190A,TMU1N55LT,TMW45N50HF,TPA55R2K1C,TPA60R3K4C,TPD50R500C,TCW120R052A,TC2103A,TPC70R950C,TMA3N50LT,TMD8N50H,TPA60R160M,TSG12N06AC,TTP60N10AT,TMA7N55H,TMP7N65M,TPA65R450CFD,TMA5N70H,TPR70R360M,TPA80R1K5C,TSP15N08A,TPU60R1K7C,TMA7N50LF,TPV60R080M,TMD9N20LT,TSG12N06AT,TCW60R320A,TPC70R1K4C,TMU4N55C,TPY70R1K5MB,TPW65R170M,TMA2N120H,TPW110R500A,TMA6N50H,TPU80R1K5C,TMU2N50HT,TMS1N40HT,TMP16N65H,TTP55N12A,TPA80R180M,TPU60R1K8C,TMV20N65H,TSD10N06AT,TPP65R280DFD,TMD7N70H,TPW50R055D,TPD50R700C,TMV3N150H,TMZ1N60B,TMP2N50CT,TPC65R170M,TPW60R120MFD,TPB65R360M,TMW25N50H,TPP50R1K8C,TTG60N03QTC,TPA70R120M,TPP80R300CFD,TM
【产品】1200V/65A Sixpack SiC功率模块10-PY126PA020MR-L227F28Y
Vincotech公司推出SiC功率模块10-PY126PA020MR-L227F28Y,属于flowPACK 1 SiC产品系列,1200V/ 65A,采用Sixpack拓扑结构和SiC MOSFET芯片技术,封装尺寸82 mm x 37.4 mm x 12 mm,可用于充电器。
新产品 发布时间 : 2019-12-07
电子商城
现货市场
服务
提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务,使用直流电源分析仪测量精度达50µV,8nA,波形发生器带宽100kHz,输出功率300W,示波器200kHz,512 kpts
实验室地址: 深圳/苏州 提交需求>
可定制射频隔离器/环行器(10M-40GHz),双工器/三工器(30MHz/850MHz-20GHz),滤波器(DC-20GHz),功分器,同轴负载,同轴衰减器等射频器件;可定制频率覆盖DC~110GHz,功率最高20KW。
最小起订量: 1 提交需求>
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