芯达茂携IGBT、SiC等系列创新产品和技术解决方案亮相2024慕尼黑上海电子展

时间： 2024-07-13 来源：XDM（芯达茂微电子公众号）

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超大电流单芯片沟槽栅场截止IGBT,超大单芯片低比导通电阻平面栅SiC MOSFET,SiC MOSFET,IGBT

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扬杰科技2024慕尼黑上海电子展回顾，展示新能源汽车、光伏逆变器、储能逆变器等多元领域的产品解决方案

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2024-07-13 - 原厂动态代理服务技术支持批量订货

瞻芯电子累计交付SiC MOSFET产品1000万颗以上，产品的长期可靠性得到市场验证

近日，自2020年正式发布第一代碳化硅(SiC) MOSFET产品以来，瞻芯电子累计交付SiC MOSFET产品1000万颗以上，其中包含近400万颗车规级产品应用在新能源汽车市场，标志着产品的长期可靠性得到了市场验证。

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【元件】新洁能650V Gen.7 IGBT “V”系列产品，非常适合光伏逆变、储能、UPS等应用

NCE新洁能650V Gen.7系列IGBT产品，基于微沟槽场截止技术，可大幅提高器件的元胞结构密度。本文要介绍的“V”系列产品具有较大的饱和电流和良好的导通损耗/开关损耗折中特性，非常适合光伏逆变、储能、UPS等应用。

2024-06-26 - 产品代理服务技术支持批量订货

【元件】扬杰科技新推出用于光伏逆变、充电桩、电源等的SiC MOSFET，采用开尔文接触，工作温度175℃

扬杰科技近日推出了一系列TO-263-7L、TOLL、T2PAK产品，产品均采用开尔文接触，明显减少了开关时间，降低了开关损耗，支持更高频率的应用与动态响应；同时相比插脚器件降低了电路板空间，增加了电路板的集成化，非常适合应用于高功率密度和高效率电力电子变换系统。

2024-11-26 - 产品代理服务技术支持批量订货

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为满足光伏、储能和电网等领域对更高耐压等级功率器件需要，瞻芯电子开发2000V碳化硅（SiC）MOSFET和SBD工艺平台。首批2款产品通过严格可靠性认证，并正式推向市场。目前已有客户导入新产品测试，进入整机验证阶段。

2024-10-09 - 产品代理服务技术支持批量订货

【选型】力特1700V SiC MOSFET助力光伏逆变器1500V系统辅助电源高效稳定运行

现在光伏逆变器电压等级提升到1500V，如果选用单端反激拓扑，单管MOS耐压值需要超过3000V，因此建议采用双管反激方案，推荐Littelfuse的SiC MOSFET LSIC1MO170E1000，1700V高耐压，同时采用常用的TO247封装，可直接替换Si MOS使用。

2020-12-29 - 器件选型代理服务技术支持批量订货

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【IC】森国科新推出650V/60A IGBT KG060N065LD-R助力提升光伏逆变器转换效率

森国科650V/60A IGBT具备业界领先的低传导损耗和高速开关性能，采用先进制造工艺和材料技术，确保应用高可靠性，有助于减少应用维护成本。IGBT高鲁棒性，有助于提升应用设备在极端环境下的稳定性和可靠性。

2024-10-12 - 产品代理服务技术支持批量订货

新能源汽车的最强大脑“IGBT”都用在了哪儿？

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【元件】芯达茂推出1200V超大电流单芯片沟槽栅场截止IGBT产品，额定电流达300A

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2024-04-22 - 产品代理服务技术支持批量订货

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