本文由ll转载自昂赛微电子（ANGSemi公众号），原文标题为:新品发布丨昂赛微发布AS1894系列微功耗全极检测霍尔应用芯片，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
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【产品】单极检测霍尔效应传感器AS1910，采用低功耗CMOS工艺，输入电压范围1.65V至5.0V
昂赛微AS1910是一款单极检测霍尔效应传感器，采用低功耗CMOS工艺，设计用于低功耗、高性能单极检测霍尔效应应用，如电池供电的盖板开关、非接触式开关、固态开关和盖板关闭传感器等。该霍尔IC集成了一个用于磁感应的片上霍尔电压发生器、一个放大霍尔电压的比较器、一个斩波放大器、一个施密特触发器（为噪声抑制提供开关磁滞）和一个互补输出。
【产品】输入电压为1.65V~5.0V的霍尔传感器IC，1.8V电源下的总功耗通常小于2.0μA
昂赛微电子推出的AS1911 霍尔传感器IC采用低功耗CMOS工艺，设计用于低功耗、高性能的单极检测霍尔效应应用，如电池供电的盖板开关、非接触式开关、固态开关和盖板关闭传感器等。
【产品】S极和N极双输出的的低功耗霍尔效应传感器IC AS1820，输入电压范围为1.65V~3.65V
昂赛微电子推出S极和N极双输出的低功耗霍尔效应传感器IC AS1820采用低功耗CMOS工艺，专为低功耗、高性能单极检测双输出霍尔效应应用而设计，如盖板开关、非接触式开关、固态开关和盖闭合传感器等电池操作。
AS1890磁性传感器IC全极检测高性能低功耗霍尔效应传感器IC
描述- 该资料介绍了ANGSEMI公司的AS1890磁传感器集成电路（IC）。这款芯片采用低功耗CMOS工艺，适用于电池供电的低功耗、高性能全极性霍尔效应应用，如翻盖开关、非接触式开关、固态开关和闭合传感器等。它具有高灵敏度、微功耗、无需外接上拉电阻等特点，并支持多种封装形式。
型号- AS1890,AS1890TWRN,AS1890D4RN,AS1890WRN
AD1918单极性检测高性能低功耗霍尔效应传感器IC
描述- 该资料介绍了AD1918单极检测高精度低功耗霍尔效应传感器IC。它采用低功耗CMOS工艺，适用于电池供电的低功耗、高性能单极检测霍尔应用，如翻盖开关、非接触式开关、固态开关和闭合传感器等。芯片集成了片上霍尔电压发生器、比较放大器和施密特触发器，提供稳定的磁感应和高灵敏度。
型号- AD1918,AD1918D6RN,AD1918WRN,AD1918XXX,AD1918STRN,AD1918D1RN
具有休眠模式的SC410x双极性线性霍尔效应传感器IC
描述- SC410X是一款低功耗线性霍尔效应传感器IC，响应比例于磁通密度。具有50%*VCC的静态输出电压，可进入用户可选择睡眠模式以实现超低功耗关断模式。适用于机器人吸尘器、无线电动工具和无线路由游戏控制器等电池供电应用。
型号- SC4101DN,SC4102DN,SC4103DN,SC4104DN,SC410X FAMILY,SC410X
AS1801磁传感器IC产品介绍
描述- 该资料介绍了ANGSEMI公司的AS1801霍尔效应传感器IC，适用于低功耗、高性能的全极性检测应用，如盖开关、无接触式开关、固态开关和盖关闭传感器等电池供电设备。该芯片集成了片上霍尔电压发生器、比较器、斩波放大器和施密特触发器，具有微功耗、高灵敏度等特点。
型号- AS1801XXX,AS1801D4RN,AS1801MBN,AS1801WRN,AS1801,AS1801STRN
具有休眠模式的SC412x单极线性霍尔效应传感器IC
描述- SC412X是一款低功耗线性霍尔效应磁传感器IC，响应比例于磁通密度。具有宽供电电压范围（2.5V至5.5V），适用于电池供电应用。该设备可进入超低功耗关断模式，睡眠模式下电流消耗小于3uA。具备快速启动时间（<10us）和高速度100kHz检测带宽。
型号- SC412X FAMILY,SC4126SO,SC4125SO,SC412X,SC4125,SC4126,SC4125SOR,SC4126SOR
【技术】基于霍尔效应磁传感器实现无接触式旋钮开关原理
Silicon Labs Si721x系列霍尔效应磁传感器融入数字信号处理，为温度和失调漂移提供精密补偿；具有行业领先的灵敏度和低噪声。
AS1895全极检测高性能低功耗霍尔效应传感器IC
描述- 该资料介绍了ANGSEMI公司的磁传感器集成电路（Hall-Effect Sensor IC）AS1895。该芯片采用低功耗CMOS工艺设计，适用于电池供电的低功耗高精度全极性检测应用，如翻盖开关、无接触式开关、固态开关和闭合感应器等。它集成了片上霍尔电压发生器、比较放大器、斩波放大器和施密特触发器等功能模块，以提供噪声抑制和高灵敏度。
型号- AS1895STRN,AS1895WRN,AS1895S2RN,AS1895,AS1895TWRN,AS1895D4RN,AS1895MBN,AS1895D3RN,AS1895XXX
AS1821 S极和N极双路输出低功耗霍尔效应传感器IC数据手册
描述- 该资料详细介绍了ANGSEMI公司生产的AS1821磁传感器集成电路。该产品是一款低功耗、高性能的单极检测双输出霍尔效应应用集成电路，适用于电池供电应用。它具有高灵敏度、低功耗、微功耗等特点，适用于各种开关和传感器应用。
型号- AS1821D1RN,AS1821WRN,AS1821DRN,AS1821STRY,AS1821DRY,AS1821XXX,AS1821,AS1821D1RY,AS1821WRY,AS1821STRN
昂赛微电子AS1820磁性传感器IC助力小米Watch S3手表自动、精准的更换表盘
小米Watch S3百变表盘的创意加入了可更换的表圈，表圈上配置了霍尔传感器，使更换表圈的时候做到自动、精准的更换表盘。而它所具有的自动精准识别功能背后所搭载的昂赛微电子ANG SEMI磁性传感器IC AS1820起到了可圈可点的作用。AS1820是专为低功耗、高性能单级检测双输出霍尔效应应用而设计，如翻盖手机的盖开关、笔记本电脑/PAD的盖开关以及消费类产品的无触点开关。
AS1800全极检测高性能低功耗霍尔效应传感器IC
描述- 该资料介绍了ANGSEMI公司的一款磁传感器集成电路（IC）——AS1800。这款芯片采用低功耗CMOS工艺设计，适用于电池供电的低功耗、高性能全极性检测霍尔效应应用，如翻盖开关、非接触式开关、固态开关和盖子关闭传感器等。它集成了片上霍尔电压发生器、比较放大器、斩波放大器和施密特触发器等功能模块，以提供噪声抑制和切换功能。
型号- AS1800XXX,AS1800WRN,AS1800TWRN,AS1800,AS1800D4RN
用于S极和N极低功耗霍尔效应传感器IC的AS1820A双路输出
描述- 该资料介绍了ANGSEMI公司的低功耗霍尔效应传感器IC AS1820A。这款芯片采用低功耗CMOS工艺设计，适用于电池供电的低功率、高性能单极检测双输出应用，如翻盖开关、非接触式开关、固态开关和闭合传感器等。它具有高灵敏度、低功耗、小尺寸解决方案等特点。
型号- AS1820ADRN,AS1820AWRN,AS1820A,AS1820ADRN-H,AS1820AXXX
AS1805高性能霍尔效应传感器IC规格书
描述- 该资料介绍了ANGSEMI公司的AS1805磁传感器集成电路（IC）。该芯片采用CMOS工艺制造，适用于高精度、全极性检测。它集成了霍尔电压发生器、比较器、斩波放大器和施密特触发器等功能模块，具有低功耗、高灵敏度等特点。AS1805广泛应用于智能电表、开关、无接触式开关等领域。
型号- AS1805WRY,AS1805S5RY,AS1805WRN,AS1805XXX,AS1805S5RN,AS1805
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品牌：SILICON LABS
品类：Switch Hall Effect Magnetic Position Sensor
价格：￥2.2924
现货：126,000
服务
可自由定制铜排形状尺寸；检测精度：0.5%~1.0；电流测量范围 ±300-500A。低噪音 (0.27mVpp)；低磁力残余误差:2mV；响应性能<4μSec；支持RoHS指令 、AEC-Q200。
最小起订量： 100个 提交需求>
可定制LED组件/LED传感/UV模组的电压、电流、波长等性能参数，电压：3-24V，，电流：30-3500mA，波长：270-940nm；材质：食品级POM，阻燃PC；防水等级：IP20-IP68。
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