蓉矽1200V 40mΩ碳化硅产品NC1M120C40HT用于车载充电机，整体系统效率提升约为2%，峰值可达97%以上

时间： 2024-07-17 来源：蓉矽半导体公众号

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SiC MOSFET,碳化硅MOSFET,NC1M120C40HT,NOVUSEM

SiC助力国家实现“双碳”目标

新能源汽车、光伏以及储能的高速发展为以碳化硅为典型代表的第三代半导体在大功率场景应用铺平了道路，也为第三代半导体带来了新的平台。

2024年是800V高电压平台的关键发展时期，通过高压快充技术来解决电动车的补能焦虑问题成为行业共识。要普及全域800V架构，首先需要解决的是高电压平台下充电设备的兼容性问题，包括充电桩、电池、电机等。

1200V SiC MOSFET在OBC中的应用

车载充电机（On-board Charger）是为新能源汽车的动力电池进行充电的电力电子装置。OBC可以将电网中的交流电转化为直流电后充入汽车电池。一般来讲，OBC主回路包含两个模块：PFC（Power Factor Correction）功率因素校正和DC-DC电源转换拓扑。PFC负责对输入电流波形进行控制，使其同步输入电压波形；在降压型DC-DC转换器中，通过采用双有源桥CLLC拓扑结构，得以在充电和放电模式下对电压进行高效率和宽输出。

为了提升充电效率，延长续航里程，800V高压平台成为主流选择。基于传统硅基功率半导体的OBC已在效率和功率密度双重指标上进入瓶颈。使用1200V碳化硅MOSFET对提升OBC功率密度、降低重量具有积极意义和显著效果。

蓉矽半导体OBC应用解决方案

蓉矽半导体自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT已顺利通过AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严可靠性考核，支持11kW/22kW大功率主流充电，适配目前OBC 800V高电压电池发展趋势。

采用1200V SiC器件可以简化系统拓扑复杂度，总损耗可降低50%以上，磁性器件体积可降低70%以上。整体系统效率提升约为2%，峰值可达97%以上。

蓉矽半导体1200V 40mΩ SiC MOSFET电压等级为1200V，最大可持续电流（V_GS=20V，Tc=25℃）达75A。产品特点如下：

采用沟道自对准工艺和凸多边形密铺的元胞布局形式，增加沟道密度、降低沟道电阻，提升器件在单位面积内的电流能力；
采用多晶硅网络优化技术，充分降低栅极内阻，提高器件在开关过程中对输入电容的充放电速度，降低器件开关损耗；
采用结终端优化技术，降低器件在结终端的曲率效应，提高器件耐压能力；
采用开尔文源的PAD设置，降低封装中的杂散电感；
V_DD=800V时，短路耐受时间≥3μs，TO-247-4封装测试开启损耗为635μJ；

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蓉矽半导体碳化硅产品在车载充电机中的应用：已通过AEC-Q101测试和HV-H3TRB考核

为了提升充电效率，延长续航里程，800V高压平台成为主流选择。使用1200V碳化硅MOSFET对提升OBC功率密度、降低重量具有积极意义和显著效果。NOVUSEM自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT已顺利通过AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严可靠性考核，支持11kW/22kW大功率主流充电，适配目前OBC 800V高电压电池发展趋势。

2024-07-20 - 应用方案代理服务技术支持批量订货

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2023年09月 - 扬杰科技 - 选型指南 - 第一版代理服务技术支持批量订货

【元件】瞻芯电子TC3Pak顶部散热封装SiC MOSFET，高频开关、低损耗，助力高效高密电源设计

为了满足高密度的功率变换的需求，瞻芯电子推出2款新型TC3Pak（Topside Cooling D3Pak）顶部散热型、表面贴封装1200V碳化硅（SiC）MOSFET产品，具有低损耗、散热性强等特点，让系统设计更紧凑、更高效，组装时能自动化生产。

2024-11-26 - 产品代理服务技术支持批量订货

成都蓉矽半导体有限公司(NOVUS SEMICONDUCTORS CO., LTD.)成立于2019年，拥有一支掌握碳化硅核心技术的国际化团队，建立了材料、外延、晶圆制造与封装测试均符合IATF 16949质量管理标准的完整供应链，独立自主开发世界一流水平的车规级碳化硅器件。

碳化硅MOSFET 碳化硅MOSFET晶圆碳化硅MOSFET单管碳化硅二极管碳化硅EJBS晶圆碳化硅EJBS单管二极管栅控二极管晶圆 MCR单管肖特基二极管

代理服务线上商城技术资料

B2M065120T SiC MOSFET

描述- 本资料详细介绍了B2M065120T型号的SiC MOSFET产品，包括其产品概述、特性、应用领域、最大额定值、电气特性、封装特性、热特性、开关特性、典型性能、封装尺寸和修订历史。该产品适用于高频率操作，具有高功率密度和低热沉要求。

型号- B2M065120T

2024-10-25 - 基本半导体 - 数据手册 - Rev. 0.1 代理服务技术支持批量订货

世强硬创获蓉矽授权，代理车规级碳化硅MOSFET/EJBS/二极管等产品

蓉矽SiC MOSFET系列是采用第三代宽禁带半导体碳化硅制造的一种高耐压、低电阻、高频应用的MOSFET，分有高性价比的NovuSiC®和高可靠性的DuraSiC®系列。

2023-09-06 - 签约新闻代理服务技术支持批量订货

B2M040120T SiC MOSFET

描述- 本资料详细介绍了B2M040120T型号的SiC MOSFET产品，包括其产品概述、特性、应用领域、最大额定值、电气特性、封装特性、热特性、开关特性、典型性能、封装尺寸和修订历史。该产品适用于高频率操作，具有高阻断电压、低导通电阻和低电容等特点，适用于开关电源、微逆变器、太阳能逆变器、电机驱动器、DC/DC转换器和OBC等领域。

型号- B2M040120T

2024-10-25 - 基本半导体 - 数据手册 - Rev. 0.1 代理服务技术支持批量订货

功率MOSFET的寄生导通行为和抑制方法

本文中瑶芯微将与大家分享功率MOSFET的寄生导通行为和抑制方法。SiC MOSFET和Super Junction MOSFET（简称SJ MOS）都是高速功率器件，经常被应用于大功率AC-DC电源、电动汽车充电桩、OBC等高频应用场合。较低的导通电阻和高速开关特性，获得较低的导通损耗和开关损耗，助力电源获得越来越高的功率密度，更小的体积，更高的效率，助力降低碳排放。

2023-12-30 - 技术探讨代理服务技术支持批量订货

NOVUSEM碳化硅（SiC）MOSFET 选型表

NOVUSEM（蓉矽半导体）提供以下碳化硅（SiC）MOSFET 选型表参数选型：额定电压1200V；额定电流47～214A；最大连接温度175℃。

选型表 - NOVUSEM 立即选型

【元件】瑶芯新一代1200V G4.5碳化硅MOSFET，持续赋能新能源产业高速发展

瑶芯微电子科技推出了1200V G4.5 SiC MOSFET系列，提升了导通电阻和动态性能，适用于高压应用如OBC。新一代G5产品即将推出，预计进一步降低导通电阻。1200V G4.5平台在多个性能指标上优于前代，提高了效率和性能。公司还提供MEMS传感器和信号链IC，服务于多个应用领域。

2024-09-19 - 产品代理服务技术支持批量订货

江苏中科汉韵半导体有限公司聚焦于第3代半导体SiC MOSFET芯片的研发、生产和销售，同时设计和生产与之相配的SiC 二极管（JBS）。中科汉韵还研发与自产的SiC 芯片配套的SiC驱动芯片和先进封装技术和模块，但是驱动芯片和先进模块的生产由合作企业完成。

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在EV应用中使用第4代SiC MOSFET的效果：图腾柱PFC实机评估

本文将介绍在相同的BEV电源架构的组成模块之一—OBC的双向图腾柱PFC中使用第4代SiC MOSFET时的实验结果。图腾柱PFC是作为可提高效率的PFC转换器在近年来备受关注的拓扑。另外，为了微电网系统更加稳定，并促进供需平衡，全球范围都在研究V2G（Vehicle To Grid），双向工作也变得越发重要。

2024-07-14 - 设计经验代理服务技术支持批量订货