本文由雪飘梦飞转载自华太电子 微信公众号,原文标题为:华太集团亮相慕尼黑电子展:现场快讯与精彩预告,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
相关推荐
华太电子推出650V和1200V超结IGBT系列产品,已在光伏、储能等领域大批量使用
华太电子研发出650V和1200V超结1GBT系列产品。相较传统沟槽型IGBT,SUPER JUNCTION IGBT充分利用超结的优势,可有效提升器件的正向导通特性及开关特性。目前超结1GBT已在光伏、储能等领域开始大批量使用。
校企合作 | 西安交大&华太电子打造新能源创新平台
2024年6月,华太电子董事长张耀辉、西安交大校友纽尔利资本创始合伙人林向红一行与西安交大党委书记卢建军一行在西安会晤,双方围绕产学研校企合作,科技金融等进行了深入坦诚地交流,并就新能源领域的合作达成共识。
华太电子带来全新系列IGBT功率器件亮相2024年PCIM Asia展览会
2024年PCIM Asia展会于2024年8月28~30日在深圳国际会展中心(宝安馆)召开,这是亚洲电力电子行业的年度盛会,华太电子为此次盛会带来了全新系列IGBT功率器件,散热材料以及系列化封装产品。
华太产品超级结IGBT产品与应用解读
为了满足高开关频率的需求,华太电子在超结IGBT一代的基础上研发出650V和1200V的超级结IGBT第二代(以下简称:SJ-IGBT G2)系列产品。与场截止型IGBT相比,SJ-IGBT G2充分发挥了超级结的优势,显著提升了器件的正向导通能力和开关特性。
华太大功率功放管产品倾力赋能ISM应用市场
HTH8G02P1K4H(B)是华太推出的首款高功率高耐压射频功放器件,专为高失配电压驻波比(VSWR)条件下的使用而设计,通常用于工业、科学和医学(ISM)应用。器件输入/输出均是unmatch设计支持1.8到200MHz的频率使用。
华太固态射频功放管助力射频能量创新方案:频段覆盖2400-2500MHz,提供350W连续波饱和功率
随着射频能源技术的快速发展,固态半导体射频设备正逐渐取代传统的磁控管系统,成为射频加热应用的新选择。固态射频设备凭借更高的功率密度、精确控制和可靠性,在工业加热、干燥、解冻、以及医疗等多个领域展现出巨大的市场潜力。本篇文章华太将对关键器件——基于氮化镓技术的功率放大器在射频加热应用中的优势与应用场景进行讨论。
华太电子携超结IGBT及陶瓷基板产品家族亮相CIAS2024
“新能源 芯时代” CIAS2024功率半导体新能源创新发展大会将于2024年4月23-24日在苏州狮山国际会议中心举行。华太电子携超结IGBT及陶瓷基板产品家族亮相CIAS2024。
华太电子超结IGBT、IGBT模块与SIC等多款优质产品及解决方案助力高效率能源应用
12月23日,华太电子“聚焦超结IGBT助力高效率能源应用-专题分享2023年度收官之华南站”于深圳成功举办。作为高端功率器件供应商,华太电子超结IGBT、IGBT模块与SIC等多款优质产品及解决方案亮相。华太将持续聚焦技术创新、产品升级,助力新能源光伏和新能源汽车高质量发展,赋能智慧科技,共创低碳世界!
HAB0116/HAB0117 产品手册
描述- HAB/ HAB 和 HAD/ HAD 是专为锂离子电池组设计的电池监测器和保护器,具备高精度电压、电流和温度测量功能,支持高边充放电,提供电池过充和过放保护,适用于低压户储、户外电源、锂电池自行车和高压电动工具等领域。
型号- HAB0117,HAB0116
HTE9G04P2K0H(B)2000W、1-400 MHz LDMOS放大器产品规格书
描述- HTE9G04P2K0H(B)是一款高 ruggedness 的LDMOS放大器,适用于高VSWR ISM、广播和移动无线电应用。其特点包括1-400 MHz的频率范围、65V的运行漏极电压、2000W的饱和输出功率,以及优异的热稳定性和增强的鲁棒性设计。
型号- HTE9G04P2K0H,HTE9G04P2K0HB EVB,HTE9G04P2K0HB,HTE9G04P2K0H EVB
H9G4850M12Q 12W,4.8-5.0 GHz Doherty放大器
描述- 该资料为H9G4850M12Q 12W, 4.8-5.0 GHz Doherty功率放大器(PA)的产品数据表。介绍了该产品的特性、典型性能、绝对最大额定值、电气规格、射频特性、热信息、参考设计、引脚配置与描述、封装标记与尺寸、包装信息和处理注意事项。
型号- H9G4850M12Q,H9G4850M12QEVB
【元件】华太电子超结IGBT HKW75N65SHEA、HKW75N65SHRA等荣获2024年“金翎奖”
备受业界瞩目的金翎奖2024年度功率器件及模组类及优质供应商评选活动顺利落下帷幕,华太电子研发的超结IGBT产品系列HKW75N65SHEA、HKW75N65SHEB、HKW75N65SHRA脱颖而出,成功斩获金翎奖能源电子应用领域-最具创新力产品奖”。
IGBT器件技术——氢注入场截止技术发展历程、技术及优势
随着电力电子技术的快速发展,功率半导体器件在电力转换和控制领域中发挥着关键作用。随着IGBT器件应用工况越来越严苛,对性能应用的效率越来越高,IGBT器件性能提升显得更为重要。本文介绍氢注入技术发展历程、工艺技术及优势。
HTH8G02P350H(B)350W、1.8-200 MHz LDMOS放大器产品规格书
描述- HTH8G02P350H(B)是一款350W的LDMOS功率放大器,工作频率范围为1.8-200 MHz。该产品具有高饱和输出功率、良好的热稳定性和增强的鲁棒性设计,适用于高频段功率放大、广播发射、工业、科研和医疗功率放大等领域。
型号- HTH8G02P350HB,HTH8G02P350H EVB,HTH8G02P350H,HTH8G02P350HB EVB
电子商城
服务
可定制UV胶的粘度范围:150~25000cps,粘接材料:金属,塑料PCB,玻璃,陶瓷等;固化方式:UV固化;双固化,产品通过ISO9001:2008及ISO14000等认证。
最小起订量: 1支 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz,插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量: 1pcs 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论