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华太电子推出650V和1200V超结IGBT系列产品,已在光伏、储能等领域大批量使用
华太电子研发出650V和1200V超结1GBT系列产品。相较传统沟槽型IGBT,SUPER JUNCTION IGBT充分利用超结的优势,可有效提升器件的正向导通特性及开关特性。目前超结1GBT已在光伏、储能等领域开始大批量使用。
校企合作 | 西安交大&华太电子打造新能源创新平台
2024年6月,华太电子董事长张耀辉、西安交大校友纽尔利资本创始合伙人林向红一行与西安交大党委书记卢建军一行在西安会晤,双方围绕产学研校企合作,科技金融等进行了深入坦诚地交流,并就新能源领域的合作达成共识。
华太电子带来全新系列IGBT功率器件亮相2024年PCIM Asia展览会
2024年PCIM Asia展会于2024年8月28~30日在深圳国际会展中心(宝安馆)召开,这是亚洲电力电子行业的年度盛会,华太电子为此次盛会带来了全新系列IGBT功率器件,散热材料以及系列化封装产品。
华太大功率功放管产品倾力赋能ISM应用市场
HTH8G02P1K4H(B)是华太推出的首款高功率高耐压射频功放器件,专为高失配电压驻波比(VSWR)条件下的使用而设计,通常用于工业、科学和医学(ISM)应用。器件输入/输出均是unmatch设计支持1.8到200MHz的频率使用。
华太电子携超结IGBT及陶瓷基板产品家族亮相CIAS2024
“新能源 芯时代” CIAS2024功率半导体新能源创新发展大会将于2024年4月23-24日在苏州狮山国际会议中心举行。华太电子携超结IGBT及陶瓷基板产品家族亮相CIAS2024。
华太产品超级结IGBT产品与应用解读
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华太电子超结IGBT、IGBT模块与SIC等多款优质产品及解决方案助力高效率能源应用
12月23日,华太电子“聚焦超结IGBT助力高效率能源应用-专题分享2023年度收官之华南站”于深圳成功举办。作为高端功率器件供应商,华太电子超结IGBT、IGBT模块与SIC等多款优质产品及解决方案亮相。华太将持续聚焦技术创新、产品升级,助力新能源光伏和新能源汽车高质量发展,赋能智慧科技,共创低碳世界!
华太固态射频功放管助力射频能量创新方案:频段覆盖2400-2500MHz,提供350W连续波饱和功率
随着射频能源技术的快速发展,固态半导体射频设备正逐渐取代传统的磁控管系统,成为射频加热应用的新选择。固态射频设备凭借更高的功率密度、精确控制和可靠性,在工业加热、干燥、解冻、以及医疗等多个领域展现出巨大的市场潜力。本篇文章华太将对关键器件——基于氮化镓技术的功率放大器在射频加热应用中的优势与应用场景进行讨论。
HTE9G04P2K0H(B) 2000W, 1-400 MHz LDMOS Amplifier Product datasheet
型号- HTE9G04P2K0H,HTE9G04P2K0HB EVB,HTE9G04P2K0HB,HTE9G04P2K0H EVB
【元件】华太电子超结IGBT HKW75N65SHEA、HKW75N65SHRA等荣获2024年“金翎奖”
备受业界瞩目的金翎奖2024年度功率器件及模组类及优质供应商评选活动顺利落下帷幕,华太电子研发的超结IGBT产品系列HKW75N65SHEA、HKW75N65SHEB、HKW75N65SHRA脱颖而出,成功斩获金翎奖能源电子应用领域-最具创新力产品奖”。
IGBT器件技术——氢注入场截止技术发展历程、技术及优势
随着电力电子技术的快速发展,功率半导体器件在电力转换和控制领域中发挥着关键作用。随着IGBT器件应用工况越来越严苛,对性能应用的效率越来越高,IGBT器件性能提升显得更为重要。本文介绍氢注入技术发展历程、工艺技术及优势。
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支持GSM / GPRS 等多种制式产品的射频测试,覆盖所有上行和下行的各项射频指标,包括频差、相差、调制、功率、功控、包络、邻道泄漏比、频谱、杂散、灵敏度、同道干扰、邻道干扰、互调、阻塞等等。满足CE / FCC / IC / TELEC等主流认证的射频测试需求。
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