国内产品最齐全的功率器件设计公司之一——XNRUSEMI（新锐半导体）

时间： 2024-07-16 来源：世强

深圳市新锐半导体科技有限公司自成立以来，始终聚焦功率MOSFET、IGBT产品研发和应用研究，产品广泛应用于消费电子、通讯、工业控制、汽车电子等领域。作为专业的MOSFET分立器件设计与供应商，始终致力于推广性能卓越，质量稳定且具有价格竞争力的全系列MOSFET产品。长期以来，公司始终坚持以客户为中心、传递厂商价值、以人为本的经营理念，不断引进优秀人才、规范管理、完善流程，成为厂商与客户之间高效的桥梁，达到双方共同成长。

服务与支持：线上商城技术资料

授权代理商：世强先进（深圳）科技股份有限公司 - 查看

品牌官网：http://www.power-mos.com/

主要产品：平面型场效应管沟槽型场效应管屏蔽栅沟槽金属氧化物场效应管超级结场效应管

主要应用：电机驱动,水泵,风扇,电动车,高速电机,电动工具,航模,电池保护板,逆变器,电子烟,LED照明,车灯,摩托灯,舞台灯,PD电源,快充,适配器,电源,无线充移动电源

产品亮点：

（1）产品种类非常齐全，覆盖各种封装形式，沟槽型MOSFET电压段从12V~200V全方位覆盖，通过采用最先进的沟槽栅工艺技术，大幅度降低了导通电阻，产品可靠性高。

（2）SGT系列中低压MOS，应用最新技术，产品具有更快的开关速度，更低的导通电阻，有效降低了开关的功率损耗，提高了系统效率。其中SGT 60v p mosfet系列是国内最早，最齐全的厂家之一，产品性能可靠性全国领先。

（3）高压超洁SJ MOSFET采用多层外延技术，产品有更高的抗雪崩能力，出色的EMI特性，更快的开关速度，更低的导通电阻，更高的产品性价比。

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由银河系提供，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

全部评论（0）

暂无评论

场效应管SL8N65CD采用先进的超级结MOSFET技术生产，广泛用于电源电路领域

萨科微半导体的高压MOS管SL8N65CD是一款采用先进的超级结MOSFET技术生产的功率MOSFET。通过专门设计，SL8N65CD能够[敏感词]限度地降低通态电阻，提供卓越的开关性能，并且在雪崩和换向模式下具有承受高能脉冲的能力。因此，SL8N65CD非常适合高效开关模式电源应用。

2024-04-14 - 产品代理服务技术支持批量订货

【经验】详解散热风扇噪音测试及减少风扇噪音的七大最佳方法

物理上常用的音量定义方式是声压音量，以dB为单位。但是定义风扇的噪音量时，以风扇发出来的噪音功率来定义较合适，一般通用的风扇噪音单位是Db（A）。本文中华夏恒泰将为大家详解散热风扇噪音测试及减少风扇噪音的七大最佳方法。

2023-08-26 - 设计经验代理服务技术支持批量订货

SGT电容的组成部分介绍

SGT和普通MOSFET一样，其寄生电容分为三大部分：栅源电容CGS，栅漏电容CGD以及漏源电容CDS（也可分为输入电容Ciss和输出电容Coss）。栅源电容CGS分为四部分，主要由栅极与源电极之间的电容CGS1，栅极与N+源区之间的电容CGS2，栅极与P型体区之间的电容CGS3，以及栅极与屏蔽栅（与源极共端）之间的电容CGS4。

2023-11-30 - 技术探讨代理服务技术支持批量订货

长晶MOS选型表

长晶科技提供如下MOS的技术选型:VDS(V)范围：-100~+650；VGS(V)范围：±6~±30；ID(A)范围：-100~+248.....长晶科技的MOS有SOP8、SOT-223、CSPC3420-10、DFN1006-3L等多种封装形式，可广泛应用于汽车,工业,电源,家电,电脑周边,通讯,照明,医疗,新能源,电汽等领域。

RDS(mΩ)@VGS（4.5V Typ）

RDS(mΩ)@VGS（4.5V Max）

选型表 - 长晶科技立即选型

N60V SGT MOSFET新品

描述- 该资料宣布了一种新型元器件产品，具备多种封装选项（DFN、PDFN、TOLL），适用于紧凑型设计。产品特点包括过流能力强、热阻低和宽范围的SOA特性，特别适合于电机驱动、BMS和移动储能等应用。

型号- YJG80G06B,YJT300G06H,YJQ70G06A,YJG210G06AR,YJG85G06H,YJT220G06H,YJG95G06B,YJG140G06A,YJG85G06B

2023/12/12 - 扬杰科技 - 数据手册代理服务技术支持批量订货

【选型】迈来芯电机驱动芯片MLX81325用于60W水泵，内置32KB FLASH，存储容量大

客户正在做一个60W的水泵项目用在汽车内，需要选用到一款电机驱动芯片。本文为其推荐MELEXIS推出的MLX81325，最大可以满足100W的功率，同时内部集成MOS，成本要更优于外挂MOS的方案；内置32KB FLASH，工作电压范围宽。

2023-03-31 - 器件选型代理服务技术支持批量订货

东海半导体MOSFET选型表

东海半导体提供以下MOSFET的参数选型，VDS（V）：-150~250，VDS（V）：0.5~86.

选型表 - WXDH ELECTRONICS 立即选型

【应用】具有四个外部N MOS的电机驱动芯片DR703Q用于汽车电子水泵，可驱动双向刷直流电机

类比半导体电机驱动芯片DR703Q，具有可驱动双向刷直流电机、提供可调电流控制、控制多个直流电机和具有智能门驱动技术等特点，适合在汽车电子水泵系统中使用。

2023-03-11 - 应用方案代理服务技术支持批量订货

【技术】为什么电动车锂电池比手机锂电池更容易爆炸？

对于锂电池来说，单颗电芯使用的安全性要比多颗锂电池组成的电池组使用要更容易控制，也就更安全。本文格瑞普介绍为什么电动车锂电池比手机锂电池更容易爆炸？首先这里简单介绍一下锂电池电芯之间是存在压差、容量差、内阻差等这些误差的。

2023-02-02 - 技术探讨代理服务技术支持批量订货

AKG4N016GL 40V 1.6mOhm N沟道SGT MOSFET规格书

描述- 该资料详细介绍了AKG4N016GL型N通道SGT MOSFET的特性、性能参数和应用领域。该器件专为低导通电阻和优异的 UIS 及开关性能设计，适用于电机驱动和高效率DC-DC转换应用。

型号- AKG4N016GL

2023/12/12 - 瑶芯微 - 数据手册 - Rev.1.1 代理服务技术支持批量订货

WAYON power MOSFET选型表

WAYON（维安半导体）提供 Trench P Channel Power MOSFET（沟槽P沟道功率MOSFET）/SGT P Channel Power MOSFET（SGT P沟道功率MOSFET）/Trench N Channel Power MOSFET(沟槽N沟道功率MOSFET)/SGT N Channel Power MOSFET（SGT N沟道功率MOSFET）/Multi-Channel MOSFET Power MOSFET(多沟道功率MOSFET)选型，Type：N/P，ESD：NO/YES，VDS(V)：-150~300V，Vgs Max(v)：±10~±20V，VGS(th)(V)-Typ.:-3~3.8.

Rds(on)Vgs=10V,(mΩ)Max.

Rds(on) Vgs=4.5V,(mΩ)Typ.

Rds(on)Vgs=4.5V,(mΩ)Max.

Trench P Channel Power MOSFET

选型表 - WAYON 立即选型

芯派科技 MOSFET选型表

芯派科技提供以下IGBT，低压MOS管，高压超结MOS管，高压平面MOS管和中压MOS管的参数选型，芯片工艺：SGT，Planar，Trench；多种封装TO-247，TO-252，TO-263，TO-247P等。

产品型号	品类	耐压-最小值（V）	电流-最大值（A）	VCE(sat)（V）	封装	状态
SW75T065GFS	IGBT	BVCES: 650V	Ic:75A	1.6V	TO-247	量产

选型表 - 芯派科技立即选型

JESTEK江智车规产品MOSFET选型表

JESTEK江智提供以下车规产品MOSFET的参数选型，Channel：DN(SGT)，N，N(SGT)，P；BVDSS（V）：-60~100。

产品型号	品类	Channel	BVDSS（V）	Rdson（mR）Typ@VGS=10V	Rdson（mR）Typ@VGS=4.5V	ID(A)Tc=25℃	封装
JST170GN01HT3-Q	MOSFET	N(SGT)	100	3.4	4.4	160	TO-263-2L