德欧泰克SiC MOSFET具有1200V VDS和52A连续ID,满足直流快速充电站应用需求
![SiC MOSFET,功率MOSFET,MOSFET,DIF120SIC053](https://www.sekorm.com/front/website/images/sekormContent.jpg)
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直流快速充电技术使电动汽车(EV)的充电速度比传统的交流充电快得多。
有直流快速充电器,通常也被称为三级电动汽车充电器。这意味着他们可以同时给两到三辆车充电。这些充电器的输出功率为60至240KW,充电时间仅需一小时,是目前电动汽车最快的充电选择。商业用电从现有的三相交流电中转变成直流电,并直接输入汽车电池。通过这种方式,就可以更快、更有效地为车辆提供动力。直流快速充电站是电动汽车需要在尽可能短的时间内最大续航里程的理想解决方案。
德欧泰克的SiC MOSFET DIF120SIC053功率MOSFET脱颖而出,使这一切成为可能。该MOSFET具1200V VDS和52A连续ID,TO-247-4L封装,并配备开尔文源触点,便于散热器安装,RDS(ON)<53mΩ。设计用于高速供电和传输系统,如电动汽车充电桩和DC/DC转换器。
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