氮化镓的未来

第三代半导体：氮化镓

第三代半导体即宽禁带半导体，以碳化硅和氮化镓为代表，具备高频、高效、高功率、耐高压、耐高温、抗辐射能力强等优越性能，切合节能减排、智能制造、信息安全等国家重大战略需求，是支撑新一代移动通信、新能源汽车、高速轨道列车、能源互联网等产业自主创新发展和转型升级的重点核心材料和电子元器件，已成为全球半导体技术和产业竞争焦点。

碳化硅：第三代半导体材料的性能优势与应用前景

经过第一代硅基半导体、第二代的砷化镓半导体，半导体材料发展已经来到了属于碳化硅、氮化镓的第三代。碳化硅是第三代半导体产业发展的重要基础材料，碳化硅功率器件以其优异的耐高压、耐高温、低损耗等性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求。在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。

一篇文章综述中国碳化硅（SiC）产业建设进展

第三代半导体材料为氮化镓GaN、碳化硅SiC、氧化锌ZnO、金刚石C等，其中碳化硅SiC、氮化镓GaN为主要代表。在禁带宽度、介电常数、导热率及最高工作温度等方面碳化硅SiC、氮化镓GaN性能更出色。在5G通信、新能源汽车、光伏等领域头部企业逐步使用第三代半导体，瑞之辰等从业者认为成本下降有望实现全面替代。

研讨会2024功率器件新技术研讨会

描述- 11月21日在线直播，带来低导通电阻的功率MOS、集成驱动的GaN IC、IGBT新技术、用于电机驱动/BMS/移动储能的SGT MOS、高压车规SiC功率MOS、国产车规IGBT模块等功率器件新产品新技术，点击了解报名

议题- 降低20%导通电阻的功率MOS  |  集成驱动的GaN IC  |  沟槽栅场截止型IGBT新技术  |  适用于电机驱动/BMS/移动储能等应用SGT MOSFET  |  1700V SiC功率MOS  |  国产50A IPM模块  |  高可靠国产车规IGBT模块  |  ROHM——专注功率，电源和模拟技术的全球知名半导体厂商  |  EPC——基于氮化镓（GaN）功率管理器件的领先供应商  |  致力于功率器件和智能传感器技术的专业半导体厂商——瑶芯微（ALKAIDSEMI）  |  中国半导体功率器件十强企业：扬杰科技（YANGJIE）  |  致力于成为双碳时代功率半导体中国领跑者——阿基米德半导体（Archimedes）  |  中国领先的碳化硅（SiC）半导体和芯片解决方案提供商——瞻芯电子（InventChip）  |  专业从事电源管理、电机驱动、微控制器、传感器的集成电路和系统方案的设计与开发——华润微电子（CRM ICBG ）  |  Kyocera（京瓷）——全球领先的材料与电子元件制造商  |  Shindengen（新电元）——“桥王”，整流桥全球份额占比约40%  |  中国半导体功率器件十强的主板上市企业——新洁能（NCEPOWER）  |  国内首家抗负压能力可达-40V/600ns的电机驱动（HVIC）制造商——数明半导体  |  国内领先的半导体分立器件整合制造商 (IDM) —— 捷捷微电(JieJie Microelectronics）  |  国产一站式电路保护解决方案专家——硕凯（SOCAY）  | 

氮化镓材料产业概况

随着半导体化合物持续发展，相较第一代硅基半导体和第二代砷化镓等半导体，第三代半导体具有高击穿电场、高热导率、高电子迁移率、高工作温度等优点。以SiC和GaN为代表物质制作的器件具有更大的输出功率和更好的频率特性。本文对氮化镓材料产业进行概况。

自主全流程IDM企业誉鸿锦材料科技有限公司 ∣ 视频

江西誉鸿锦材料科技有限公司从事第三代化合物半导体材料—氮化镓（GaN）系列材料的开发制造和应用。二十余年来专注于GaN材料外延、电子器件、光电器件和器件封装等的研发和生产，拥有坚实的理论基础和丰富的实战经验，掌握氮化镓外延、器件制备和封装等领域的核心技术，本公司的GaN材料外延和器件的性能达到世界先进水平。

肖特基二极管厂家

江西誉鸿锦第三代半导体芯片全产业链项目由深圳誉鸿锦芯科技合伙企业（有限合伙）投资，主要从事高品质氮化镓（GaN）电子材料和高端光电材料的MOCVD外延生长及器件流片、模组的研发和生产制造。该材料广泛用于用于新能源汽车、数据中心、超算中心及5G通讯领域。

平伟实业全面布局MOSFET、IGBT、碳化硅等产品，荣获“电子信息行业质量提升典型案例”奖

平伟实业大力拓展业务，全面布局中高端芯片（MOSFET，IGBT，碳化硅，氮化镓，射频器件，专用IC等等）。平伟人秉承“平凡的工作，伟大的事业”的理念，30年来坚持脚踏实地，埋头苦干的态度，为行业发展而拼搏，为国家强盛而立志，以实业兴邦，产业报国为己任，为全球半导体产业发展贡献力量。

中电国基南方率先实现碳化硅产品批量应用，赢得电力电子器件发展先机

近年来，中电国基南方（以下简称国基南方）积极融入数字经济建设，发挥第三代半导体技术优势，瞄准重点数字产业，增强产业链关键环节竞争力，氮化镓技术产品保障新型装备、5Ｇ通信需求，2022年再次率先在碳化硅领域取得突破性进展，SiC MOSFET等碳化器件实现批量产用。

誉鸿锦携系统化解决方案，推动氮化镓产业效率革命

誉鸿锦将携系统化解决方案，给行业交出新答卷。通过“氮化镓产业效率革命”，推动而不是等待大规模应用的来临，早日实现对硅基功率器件的全面替代，践行“用化合物半导体改变每个人的生活”的产业目标。

誉鸿锦半导体GaN器件品牌发布会，携全产业链Super IDM模式实现产业效率革命

誉鸿锦半导体GaN器件品牌发布会由品牌战略官张雷主持，首次向行业展示了Super IDM产业集群的生态模式，带来了氮化镓半导体产业链的效率革命。实现了1.5年从建厂到中试线稳定产能1.5万片、7天外延至成品器件周期、量产平均良率85%、研发周期和建线成本较行业减少2/3的惊人成果。超过十多家媒体，多个地方政府招商团、数十个行业投资机构，几十个上下游企业代表参与了该发布会。

氮化镓（GAN)在应用过程中具有那些性能特点

GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料。上次金誉半导体带大家了解了它的基础特性：氮化镓（GAN)具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好（几乎不被任何酸腐蚀）等性质和强的抗辐照能力，在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。