配备DIF120SIC053的直流快速充电站,是电动汽车在最短时间内实现最大续航里程的理想解决方案
直流快速充电技术使电动汽车(EV)的充电速度比传统的交流充电快得多。
有直流快速充电器,通常也被称为三级电动汽车充电器。这意味着他们可以同时给两到三辆车充电。这些充电器的输出功率为60至240KW,充电时间仅需一小时,是目前电动汽车最快的充电选择。商业用电从现有的三相交流电中转变成直流电,并直接输入汽车电池。通过这种方式,就可以更快、更有效地为车辆提供动力。直流快速充电站是电动汽车需要在尽可能短的时间内最大续航里程的理想解决方案。
德欧泰克的SiC MOSFET DIF120SIC053功率MOSFET脱颖而出,使这一切成为可能。该MOSFET具1200V VDS和52A连续ID,TO-247-4L封装,并配备开尔文源触点,便于散热器安装,RDS(ON) <53mΩ。设计用于高速供电和传输系统,如电动汽车充电桩和DC/DC转换器。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由莫子若转载自DIOTEC( 德欧泰克半导体公众号),原文标题为:配备DIF120SIC053的直流快速充电站,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
相关研发服务和供应服务
相关推荐
罗姆第4代SiC MOSFET裸芯片批量应用于吉利集团电动汽车品牌“极氪”3种主力车型
日前,搭载了罗姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模块成功应用于“极氪”电动汽车3种车型的主机逆变器上,有助于延长车辆续航距离以及提高性能。
超薄封装的功率MOSFET DI100N10PQ-AQ助力房车太阳能电池板,有效节省损耗、延长寿命
采用QFN5x6封装的DIOTEC功率MOSFET DI100N10PQ-AQ是DC/DC转换器的理想选择,这些转换器用于将太阳能电池板的电压电平转换为房车的电池电压。其低导通电阻和快速开关速度有助于节省功率损耗。因此,太阳能以高效率转移到蓄电池。它的低热阻降低了器件温度,从而延长了器件寿命。仅1毫米的超薄封装高度可实现节省空间的电子组件。
【应用】芯众享量产1200V多种封装形式的SiC SBD和SiC MOSFET系列产品,助力电动汽车快速充电
芯众享面对充电模块等客户,量产了1200V多种封装形式的SiC SBD系列产品和SiC MOSFET系列产品,对应表1和表2。可以满足效率性能、运维成本、功率密度、稳定性等多方面的需求和现有的各种拓扑电路应用,针对其他应用也有650V 6A/10A/15A/20A TO252/TO263/TO220AC/TO247封装等SiC二极管对应产品。
解读SiC MOSFET关键参数——Rds(on)
当代电子技术的发展不仅需要高效性能,还需要可靠和可持续的解决方案。而SiC MOSFET作为一种新型的功率器件,正在引领着未来能源转型的浪潮。今天,我们要聊的主角是碳化硅MOSFET中的一个关键参数——Rdson,这个参数的优化,就像是在节能减排的长跑中,为我们的电动汽车、可再生能源系统换上了更轻盈的跑鞋。
功率MOSFET的寄生导通行为和抑制方法
本文中瑶芯微将与大家分享功率MOSFET的寄生导通行为和抑制方法。SiC MOSFET和Super Junction MOSFET(简称SJ MOS)都是高速功率器件,经常被应用于大功率AC-DC电源、电动汽车充电桩、OBC等高频应用场合。较低的导通电阻和高速开关特性,获得较低的导通损耗和开关损耗,助力电源获得越来越高的功率密度,更小的体积,更高的效率,助力降低碳排放。
【产品】120A/80V N沟道功率MOSFET DIT120N08,导通电阻仅4.9mΩ
DIT120N08是Diotec推出的N沟道功率MOSFET ,无铅,符合RoHS,REACH标准,具有低导通电阻,高开关速度,低栅极电荷,高雪崩能量等优点,广泛应用在DC/DC转换器,电源设备,电动工具等领域。
【产品】QFN5×6薄型封装的N沟道功率MOSFET DI008N10PQ, 漏极峰值电流高达20A
Diotec推出型号为DI008N10PQ的N沟道功率MOSFET,器件采用QFN5x6薄型封装,具有低导通电阻和开关速度快等特点,产品适用于DC/DC转换器,电源,直流驱动器,电动工具,同步整流器以及工业和商业级应用等领域。
【产品】国产自研SiC MOSFET ASC30N650MT4,适用于电动汽车充电、DC/DC转换器
本文主要介绍深圳爱仕特科技有限公司自主设计研发SiC MOS芯片。ASC60N650MT4是爱仕特推出的一款SiC MOSFET,它提供了优越的开关性能和更高的可靠性。其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸,确保了低电容和栅极电荷。
罗姆第4代SiC MOSFET相对IGBT显著提升车载主驱逆变器效率,延长电动汽车的续航里程
罗姆通过进一步改进自有的双沟槽结构,使第4代SiC MOSFET具有低导通电阻、优秀的短路耐受时间、低寄生电容、低开关损耗等优点。凭借高性能元器件以及丰富的支持工具,罗姆将助力设计人员为未来的电力电子系统创建可行且节能的解决方案。
【产品】N/P沟道功率MOSFET DI045N03PT和DI035P04PT,采用QFN3x3小型封装,可节省空间
Diotec推出DI045N03PT型N沟道功率MOSFET和DI035P04PT型P沟道功率MOSFET,采用QFN3x3小型封装,具有高速开关特性和低栅极电荷,可用于电源管理单元,电池供电的设备和负载开关,极性保护等领域。
电子商城
现货市场
服务
可定制VC厚度最薄0.25±0.03mm,Qmax 650W,0.4mmVC可设计最大散热面积6000 mm2,铜VC可采用复合毛细结构:蚀刻+铜粉烧结。
最小起订量: 10000 提交需求>
可定制ATD TE Dehumidifier的冷却功率:20~220W;工作电压:12V(DC)/ 220V(AC);控温精度:≤±0.5℃;尺寸:冷面:20*20~500*300;热面:60*60~540*400(长*宽;单位mm)。
最小起订量: 1 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论