誉鸿锦携系统化解决方案,推动氮化镓产业效率革命
第三代化合物半导体凭借其显著的性能特点,展示出在新能源汽车、5G通信、可再生能源等领域具有广泛的需求前景,且其器件生产工艺和技术也日趋成熟。但是目前的市场普及率仍然非常低,尤其和硅基器件相比仍有数量级差距。
以氮化镓(GaN)器件为例,从材料成本来说并不会比硅基器件昂贵,但其市场价格却远高于硅基器件。很多人认为是氮化镓器件规模仍然不足,导致成本均摊困难。但在我们看来,规模是结果而并非原因,本质问题出现在产业效率上,只有把系统效率提升,才能用更低的成本推动器件的大规模应用。就像星链卫星是因为便宜的可回收火箭的诞生才能大规模发射,福特T型车是因为流水线作业方式才能规模化降低成本,背后都是先有效率才有规模和低成本,才能让先进技术走进各个应用场景。
目前很多化合物半导体企业并没有回归到“效率”这个本质问题上,而是在单技术维度,或者以海量烧钱的资本方式谋求行业站位。这里或是受限于团队技术思维的局限性,或是被资本裹挟着不断被动抛出概念来支撑估值。在经济和投资的下行期这种状态是很难维持的。
而誉鸿锦将携系统化解决方案,给行业交出新答卷。通过“氮化镓产业效率革命”,推动而不是等待大规模应用的来临,早日实现对硅基功率器件的全面替代,践行“用化合物半导体改变每个人的生活”的产业目标。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由小布丁转载自誉鸿锦官网,原文标题为:誉鸿锦携系统化解决方案,推动氮化镓产业效率革命,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
相关推荐
自主全流程IDM企业誉鸿锦材料科技有限公司 ∣ 视频
江西誉鸿锦材料科技有限公司从事第三代化合物半导体材料—氮化镓(GaN)系列材料的开发制造和应用。二十余年来专注于GaN材料外延、电子器件、光电器件和器件封装等的研发和生产,拥有坚实的理论基础和丰富的实战经验,掌握氮化镓外延、器件制备和封装等领域的核心技术,本公司的GaN材料外延和器件的性能达到世界先进水平。
誉鸿锦半导体GaN器件品牌发布会,携全产业链Super IDM模式实现产业效率革命
誉鸿锦半导体GaN器件品牌发布会由品牌战略官张雷主持,首次向行业展示了Super IDM产业集群的生态模式,带来了氮化镓半导体产业链的效率革命。实现了1.5年从建厂到中试线稳定产能1.5万片、7天外延至成品器件周期、量产平均良率85%、研发周期和建线成本较行业减少2/3的惊人成果。超过十多家媒体,多个地方政府招商团、数十个行业投资机构,几十个上下游企业代表参与了该发布会。
罗姆与台积电公司在车载氮化镓功率器件领域建立战略合作伙伴关系
ROHM宣布与台积电公司就车载氮化镓功率器件的开发和量产事宜建立战略合作伙伴关系。通过该合作关系,双方将致力于将罗姆的氮化镓器件开发技术与台积电公司业界先进的GaN-on-Silicon工艺技术优势结合起来,满足市场对高耐压和高频特性优异的功率元器件日益增长的需求。
第三代半导体:氮化镓
第三代半导体即宽禁带半导体,以碳化硅和氮化镓为代表,具备高频、高效、高功率、耐高压、耐高温、抗辐射能力强等优越性能,切合节能减排、智能制造、信息安全等国家重大战略需求,是支撑新一代移动通信、新能源汽车、高速轨道列车、能源互联网等产业自主创新发展和转型升级的重点核心材料和电子元器件,已成为全球半导体技术和产业竞争焦点。
氮化镓(GaN)产业链、竞争格局、市场格局及替代空间分析
本文对氮化镓(GaN)产业链分析、竞争格局及市场格局替代空间进行分析。江西誉鸿锦材料科技有限公司历经十余年的技术沉淀和积累,坚持不懈地精进工艺研发,现阶段已经建成氮化镓器件从外延到封测的全产业链生产体系。相关氮化镓器件产品也将在各类终端应用方案中推向市场,以期获得行业用户的认可。
YHJ-65P150TK:(TO-220)共源共栅氮化镓高电子迁移率晶体管
描述- YHJ-65P150TK是一款采用级联配置的常关型氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)器件,适用于高功率应用。该器件具有高击穿电压、高电流和高工作速度等特点。
型号- YHJ-65P150TK
氮化镓器件在射频领域中的应用,具有良好的导热性能、高频率、高功率等优势
碳化硅基氮化镓射频器件具有良好的导热性能、高频率、高功率等优势,主要应用于面向通信基站及雷达应用的功率放大器。碳化硅基氮化镓射频器件是迄今为止最为理想的微波射频器件,是4G/5G移动通讯系统、新一代有源相控阵雷达等系统的核心微波射频器件。随着信息技术产业对数据流量、更高工作频率和带宽等需求的不断增长,氮化镓器件在基站中应用越来越广泛。
YHJ-65P080DA:(DFN 8x8)共源共栅氮化镓高电子迁移率晶体管规格书
描述- YHJ-65P080DA是一款采用级联配置的GaN HEMT器件,具有高耐压、高电流和高工作速度等特点,适用于高功率应用。该器件具有兼容的栅极驱动电压(-20V至+20V)、高工作频率和低Qrr特性。
型号- YHJ-65P080DA
【视频】EPC氮化镓产品在DCDC的应用,可减少损耗
描述- Efficient Power Conversion (EPC) 作为全球领先的功率转换技术供应商,提供基于氮化镓 (GaN) 的场效应晶体管 (FET) 和集成电路 (IC)。EPC 的 GaN 基器件具有高效率、快速开关速度、小型化和低成本等优势,广泛应用于消费电子、通信、汽车和可再生能源领域。资料中详细介绍了 GaN 基 DC-DC 转换器,包括企业电源架构、功率密度、EPC9159 转换器规格、转换器概述、特色 GaN FET 以及效率与损耗测量等。此外,还讨论了 GaN FET 在提高功率密度和简化设计方面的优势。
型号- EPC2302,EPC2305,EPC2308,EPC23101,EPC23102
YHJ-65P080CF:(DFN 9.8x10.4)共源共栅氮化镓高电子迁移率晶体管数据表
描述- YHJ-65P080CF是一款采用Cascode配置的GaN HEMT器件,具有高断电电压、高电流和高工作速度,适用于高功率应用。该器件具有兼容的栅极驱动电压(-20V至+20V)、高工作频率和低Qrr特性。
型号- YHJ-65P080CF
YHJ-65P150AMC:DFN 8x8共源共栅氮化镓高电子迁移率晶体管数据手册
描述- YHJ-65P150AMC是一款采用级联结构的氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)器件,具有高耐压、大电流和高工作速度等特点。该器件适用于高压应用,如开关电源、AC-DC/DC-DC转换器和电机驱动等领域。
型号- YHJ-65P150AMC
电子商城
服务
满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要;并可查看被测开关电源支持协议,诱导多种充电协议输出,结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
实验室地址: 深圳 提交需求>
可定制射频隔离器/环行器(10M-40GHz),双工器/三工器(30MHz/850MHz-20GHz),滤波器(DC-20GHz),功分器,同轴负载,同轴衰减器等射频器件;可定制频率覆盖DC~110GHz,功率最高20KW。
最小起订量: 1 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论