肖特基二极管厂家

时间： 2024-07-20 来源：誉鸿锦官网

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江西誉鸿锦第三代半导体芯片全产业链项目由深圳誉鸿锦芯科技合伙企业（有限合伙）投资，主要从事高品质氮化镓（GaN）电子材料和高端光电材料的MOCVD外延生长及器件流片、模组的研发和生产制造。该材料广泛用于用于新能源汽车、数据中心、超算中心及5G通讯领域。项目总投资50亿元，一期投入9亿元，建成后将形成年产能60万片，年产值30亿人民币规模。二期投入41亿元，建成后将形成年产能300万片，年产值100亿人民币规模，可以拉动上下游千亿级产业链。江西誉鸿锦技术团队成员二十余年来专注于GaN电子器件，如射频/功率肖特基二极管（SBD）、高电子迁移率晶体管（HEMT）的研发，拥有丰富的工艺经验，掌握了氮化镓外延、器件制备和封装等领域的核心技术，达到世界先进水平。

同时，在UVC-LED和GaN蓝绿激光器的研发和生产上，公司引进日本大阳日酸株式会社MOCVD 设备，由两位诺奖得主顾问（天野浩和中村修二教授）、20余位中科院及日本著名企业研究机构著名专家和具有30余年材料及器件经验的团队提供技术支持。誉鸿锦已具备4-6英寸兼容的氮化镓电子材料的外延生产、器件流片及芯片封测能力。江西誉鸿锦芯片科技有限公司将致力于实现氮化镓电子器件和高端光电器件等领域的“中国智造”！

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【元件】罗姆GaN HEMT相关产品：助力应用产品进一步节能和小型化

一般而言，GaN器件具有优异的低导通电阻和高速开关性能，因而作为有助于降低各种电源的功耗和实现外围元器件小型化的器件被寄予厚望。然而，器件的使用面临着栅极耐压、控制IC（负责GaN器件的驱动控制）的速度等方面的问题，针对这些课题，罗姆推出了以下产品和技术。

2023-12-14 - 产品代理服务技术支持采购服务

【IC】ROHM开发出可更大程度激发GaN器件性能的超高速栅极驱动器IC BD2311NVX-LB，助力应用更小型、更节能

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2023-10-20 - 产品代理服务技术支持采购服务

华润微电子（CRM ICBG）功率器件选型指南

华润微电子功率器件事业群（Power Device Business Group，简称PDBG）是华润微电子旗下全面负责功率器件设计、研发、制造与销售服务的业务单元。其下设有中低压MOS产品线，高压MOS产品线，IGBT产品线，特种器件产品线和模块产品线。拥有CRMICRO、华晶和IPS三个功率器件自主品牌。

华润微电子 - MOSFET,高压超结S4系列MOS,合封 MOS,IPM,双极结型晶体管,BJT,MOS MODULES,高压超结G2系列MOS,输出二极管,功率开关器件,智能功率模块,HV-MOS,功率器件,双极性结型晶体管,高压平面5K系列MOS,旁路二极管,IGBT 模块,快恢复外延二极管,碳化硅肖特基二极管,同步整流中低压SGT MOS,高压超结S6系列MOS,SGT MOS,肖特基二极管,PFC二极管,高压超结MOS,TRENCH MOS,MOS MODULE,三极管,肖特基势垒二极管,沟道FS III半桥模块,BYPASS DIODE,合封SIC SBD,TRENCH V MODULES,TRENCH FS V 混合单管,FRED,BRIDGE DIODE,TRENCH FS III HALF-BRIDGE MODULES,SIC MOS,功率模块,硅NPN型功率开关晶体管,低压MOS,PFC DIODE,高压MOS,SIC 模块,分裂栅MOS,平面高压MOS,DEPLETION MOS,多层外延超结MOS,SIC二极管器件,MOS模块,FRD集成系列MOS,高压超结MOS模块,GAN功率器,SJ MOS,平面高压DMOS,TRENCH FS V MODULES,BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR,TRENCH P类型MOS,SIC 二极管,场效应晶体管,高压平面5R系列MOS,SIC场效应晶体管,多个MOS,平面MOS,TRENCH N类型MOS,功率半导体模块,SCHOTTKY BARRIER DIODE,中低压MOS,SIC JBS,SGT NMOS,海沟FS III模块,多MOSFET,SIC二极管,SIC接线盒,耗尽型MOS,MULTIPLE MOSFET,SIC MOSFET,高压超结G1.5系列MOS,LV-MOS,超结MOS,碳化硅MOS,SPLIT GATE MOS,SUPER JUNCTION MOS,桥堆二极管,快恢复二极管,PLANAR N类型MOS,沟槽式MOS,IGBT 单管,压超结MOS,TRENCH FS III MODULES,中低压MULTIPLE MOSFET,沟槽V模块,快恢复外延型二极管,IGBT,SBD,沟槽FS V模块,沟槽型MOS,SIC SCHOTTKY DIODES,GAN HEMT,高压平面5B系列MOS,SGT工艺低压MOS,功率MOS,FAST RECOVERY EPITAXIAL DIODE,PLANAR MOS,氮化镓高电子迁移率晶体管,MULTIPLE MOS,OUTPUT DIODE,CRSM076N04N2Z,CRXB10D065G2,CRTD080N02U2-G,CRMV0318D,CRTT048N08N,CRG75T60AK3SD,CRTS030N04L,CS4N90FA9HD,CRJL99N65G2,CS630FA9H,CRTS025N04L2-G,CRXQ40D065G2,CS4N80ARHD-G,CS630FA9R,CR7N60A4K,CS55N10AQ3-G,3DG3001A1-H,CS16N06AE-G,CS45N06A3,CRMM4976C,CRTK055N03L2P,CS45N06A4,CRTS150N15N,CS5N20A4,CS5N20A3,CS7N70A4R-G,CRGMF800T120DS1AH,CRJW125N60G2F,CRGMF50T120FSC,CS12N70FA9H,CRG30T65A05SDZ,CS50N20ANR,CRJT99N65G2,2CR60K60AND,CRXQF60M065G1,CRTD370P10L,CRSS056N07N,CR7N60A3K,CS460FA9H,CRGMP40T120DV2A3,CRG75T60AK3H,CRJQ30N60G2F,CRJF550N65G2,D92-02,CRTD055N03L,CS24N60ANR,CRM50TD04R1,CRMM4978C,CRTT056N06N,CS5N60A3H,CS4N65A3R,CRST113N20N,2CR15K120A8C,CRG75T65BK5HD,CRXB20D120G2,CRTT019N03L2-G,CRM50TA04E1,CRTH105N06L,CR2N60A4K,CS10N40A8R,CRMR0410D,CRG 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2024/3/11 - 选型指南代理服务技术支持采购服务

中电国基南方（CETC）SiC电力电子器件选型指南

中电国基南方是国内最早从事SiC电力电子器件研发和生产的企业。在SiC为代表的第三代功率半导体领域承担了国家科技重大专项、“863”、“973”、国家重点研发计划等超过80项国家级课题；申请发明专利超过200多项，其中PCT10项，已授权67项。产品系列电压覆盖650V-6500V，电流覆盖2A-150A，产品性能和可靠性满足多种应用需求，已广泛应用于新能源汽车及充电设备、轨道交通、新能源发电、电网传输、家用电子设备等领域。

中电国基南方 - 车规 SBD 芯片晶圆,SIC场效应晶体管,碳化硅结型场效应晶体管,SIC二极管,SIC 顶部散热器件,SIC 智能功率模块,半桥器件,SIC肖特基二极管,SIC MOSFET,SIC G4 肖特基二极管,SIC MOS,SIC SBD,G2 SIC MOSFET,碳化硅MOS,SIC SBD 芯片晶圆,SIC JFET,塑封器件,全塑封碳化硅器件,SIC备用电池,三相桥模块,WS4A020120A,WS4A050065D,WMH075M120A1A,WS4A050065B,WS4A020120B-V,WS4A020120B,WS4A020120D,WS4A040120K,WMIT075M120B1A,WS4A040120D,WM2HA020065Y,WS4A040120B,WMT075M120B1A,WMH020M065A1A,WS4A030065D,WS4A020120J,WS4A040120B-V,WS4A020120K,WS4A030065J,WS4A025170B,WS4A025170D,WS4A030065B,WM2A030065L,WM2A030065K,WS4A030065K,WS4A050170B-V,WMD075M120B1A,WM2HV020170L,WS4A006065F,WM2HV020170K,WS4A006065E,WS4A004065A0,WS4A006065B,WS4A006065A,WS4A010065E,WS4A015065J,WS4A010065F,WS4A010065A,WS4A015065F,WS4A010065B,WM2A080170N,WM2A080170L,WM2A080170K,WM2HV140120N,WM2HV140120L,WM2HV040065L,WM2HV040065K,WM2HA040120N,WM2HA040120L,WM2HA040120K,WM2A060065N,WM2A060065K,WM2HV040065N,WM2A060065L,WS4A050170B,WM2A060065Y,WM2HA030120N,WM2HA030120K,WS4A050170D,WM2HA030120L,WM2HA020120K,WM2HV140120K,WS4A005120E,WM2HA020120L,WM2A040120L,WM2HV020120N,WM2HA020120N,WM2HV020120K,WM2HV020120L,WM2A040120K,WS4A010065J,WS4A015120J,WS4A015120D,WM2V080170K,WS4A050065B-V,WS4A005120A,WS4A005120B,WMH016M120A1A,WM2V080170L,WM2HA040065N,WM2V080170N,WM2HA040065L,WM2HA040065K,WS4A020065A,WS4A020065D,WS4A020065B,WM2HV030120K,WS4A020065B-V,WM2HA040065Y,WS4A020065F,WS4A015120A,WM2V040120L,WM2V040120K,WS4A015120B,WMH060M120A1A,WM2HA011075K,WM2HA011075L,WM2HA04006Y,WM2HV030120N,WS4A060120D,WS4A020065K,WM2HV030120L,WS4A020065J,WM2HA024200LP,WS4A060120K,WM2V040170L,WM2V040170N,WS4A025170B-V,WM2V040170K,WMH080M170A1A,WS4A030120K,WS4A030120B-V,WM2HV060120L,WM2HV060120K,WM2HV060120N,WMIT040M120B1A,WM2HV011075L,WM2HV011075K,WS4A200120T,WMT040M120B1A,WM2HA240120N,WS4A010120E,WS4A004065F0,WS4A010120D,WS4A010120B,WS4A010120A,WM2A050330L,WM2HA240120E,WS4A008065B,WM2HV040120L,WS4A060065K,WS4A008065A,WMD040M120B1A,WS4A008065F,WS4A008065E,WM2HA140120L,WSXAXXXXXX0,WM2HA140120K,WM2HA140120N,WS4A050120D,WS4A050120B,WMH040M120A1A,WM2HV016120L,WM2HV016120K,WM2HA020170L,WS4A010120J,WM2HA020170K,WS4A040065K,WS4A050120B-V,WMH060M075A1A,WS4A015065A,WS4A015065B,WM1A650170N,WM1A650170K,WM2A075120K,WM2A075120L,WM2A075120N,WM2V020065N,WM2V020065K,WM2V020065L,WS4A004065B0,WS4A004065E0,WMXAXXXXXX0,WM2V075120N,WM2HA060120K,WM2V075120K,WM2HA060120L,WM2V075120L,WM1A080120K1,WM2HA060120N,WM2HV075120L,WM2HA020065K,WS4A030065B-V,WM2HA020065L,WM2A040170K,WM2A040170L,WM2A040170N,WM2HA016120L,WM2HA016120K,WM2HA020065N,WM2HA016120T,WM2A060090N,WMH020M120A1A,WM2A060090K,WM1A080120L1,WM2A060090L,WM2A100200LP,WM1A01K170K,WS4A030120D,WM2A050200LP,WM2A020065L,WM2A020065K,WM2A020065N,WM1A01K170N,WS4A030120B,电网传输,电机控制器,XEV 中的 OBC,储能系统,家用电子设备,高压电源,充电模块,电动汽车,XEV 中的 DC-DC,XEV 中的空压机电机,高速工业开关模式电源,电网输变电,储能,服务器电源,电机驱动,充电设备,车载DCDC,新能源发电,电力电子变压器,PFC 电源,开关模式电源,车载 OBC,充电桩,新能源汽车,太阳能发电,脉冲电源,电动汽车充电设备,逆变器,XEV 中的空压机控制器,光伏升压电路,轨道交通,通信电源,电动汽车快充,SMPS,DC/DC 变换器

2024/7/30 - 选型指南代理服务技术支持采购服务

Galaxy 银河微电 IGBT产品介绍及市场应用

常州银河世纪微电子股份有限公司（Changzhou Galaxy Century Microelectronics Co., Ltd.）发布了一系列IGBT产品，包括单管和模块，适用于多种应用领域。产品线涵盖650V至1700V电压等级，包括工缝、逆变器、电机控制、光伏、储能、新能源汽车、充电桩、电池管理系统等。资料详细介绍了产品型号、技术参数、应用领域和性能对比。

银河微电子 - IGBT模块,IGBT芯片,工业和光伏组件,SGT MOS,INDUSTRIAL AND PV MODULES,MOS,HYBRID IGBT+SIC SBD,车用模组,屏蔽栅沟槽MOSFET,IGBT,混合IGBT+SIC SBD,IGBT单管,AUTOMOTIVE MODULE,PIM 模块,GM200HF120S4T1,GM200HF120S4F1A,GM50FFB120C1T1H,GM15P]120E1T3A,GM400HF120S4T1M,BL042N10TH,GKU40N65EH3,GM240TU120Q1F2,GKU25N120ET2,GKU50N65ET,GM40FFB120C1T1,GM400HF65S4T1A,GKU40N65,GM200SG65S1T1,GKU60N65DH5,GM450HF120C3T1M,GKB20N65,GKU50N65EH3,GKU40N120ET2-25C,GKU100N65DH5,GKU40N120ET2,GM150FFB120C2T1M,GM600HF65S4T1,GM300HF120S4T1M,GM450ML65Q2F2,GM25PJ120E2T3A,GKU40N120NH3-25C,GM10PJ120E1T3A,GM225TU120Q2T2H,GM100HF120S2F1B,GM75HF120S2F2,GM100PI120C2T1,GKU50N120CH3,GKY50N120,GM100HF120S2F1A,GKD06N65,GKU40N120NH3,GM35PJ120E2T3A,GM50PI120C1T3A,GKU15N120ET2,GM40PI120C1T3A,GKF20N65,GKU10N120T2,GM225TU120E2T2H,GKP20N65,GM40HF120S2F2A,GKU30N65,GKU60N65EH5,GM150HF120S4F2,GKU20N65,GKU75N65EH5,GKU40N120DT2,GM450ML65C1T2,GM600HF120C3T1M,变频器,电机控制,PFC,储能领域,新能源大巴,PTC公司,新能源车PTC,不间断电源,UPS,伺服,PTC加热器,DCDC,BMS电池管理系统,重卡,DCDC公司,交流焊机,便携式储能,壁挂式直流桩,家用电磁灶,逆变器,压缩机,热管理系统,新能源车空压泵,PTC,电机驱动领域,MAIN INVERTER主电机驱动器,直流充电桩,空调INVERTER,高频电源领域,数码发电机,空调,新能源车,空调压缩机,逆变电源,水泵,OBC,光伏领域,工缝,便携式逆变电源,商用电磁灶,高频电源,户储,储能,空压机,AUXILIARY INVERTER辅电机驱动器,电机驱动,HV-LV DCDC变换器,OBC 车载充电机,充电桩,便携式储能电源,IH电饭煲,光伏,变频微波炉,感应加热领域,工业电源,新能源汽车领域,全氟化碳,数码电焊机,新能源车空压机,商灶,光伏逆变器,焊机

2024/7/31 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

SiC模块先进DTS+Cu Bonding工艺，解决车规可靠性最后一块拼图？

半导体技术的进步，特别是碳化硅，产生了具有高功率密度的器件，并允许器件在明显更高的结温度下运行。互连技术在设备和组件的不间断运行中起着重要的作用。以DTS技术和铜线键合的功率模块，可作为新一代基于碳化硅的高功率模块提供有效的技术支持。

2024-07-23 - 技术探讨代理服务技术支持采购服务

瞻芯电子（InventChip）碳化硅（SiC）功率器件/驱动与控制芯片选型指南

公司介绍产品应用产品概览 SiC Devices 产品概览驱动与控制芯片碳化硅（SiC）MOSFET 产品目录碳化硅金属氧化物场效应晶体管系列产品碳化硅（SiC）肖特基二极管产品目录碳化硅肖特基二极管系列产品碳化硅功率模块系列产品栅极驱动芯片系列产品图腾柱 PFC 控制芯片系列产品产品可靠性测试规范

瞻芯电子 - SIC MODULES,碳化硅肖特基二极管,专用栅极驱动芯片,SIC二极管,通用栅极驱动芯片,碳化硅功率模块,SIC DIODES,碳化硅 MOSFET,SIC MOSFETS,隔离驱动芯片,图腾柱 PFC 控制芯片,SIC模块,通用门驱动器,碳化硅金属氧化物场效应晶体管,SIC SBD,GENERAL GATE-DRIVER,电源管理控制芯片,SIC肖特基势垒二极管,SIC专用栅极驱动器,比邻驱动芯片,SIC-SPECIFIC GATE-DRIVER,SIC MOSFET,IV2Q12040BD,IV1B12009HA2L,IV1D12030BD,IV2Q07014T4Z,IV1Q12050D7Z,IVST12017MA1L,IV2Q12100BD,IV1Q12017T4ZG,IV1Q12160T4Z,IVST12080DA1L,IVCR2405DR,IV2Q12040T4Z,IV1D06020BD,IVCR1412SR,IV2Q12013T6Z,IV2Q06060BD,IV1Q12080T3Z,IV2Q171R0BD,IVCO1A01DQR,IV1Q12750T3,IV2Q12030D7Z,IV1D12015BD,IV2Q07014BA,IV2Q07014BD,IV2Q12160T4Z,IV1D06006F5,IVCO1A01DR,IV1B12013HA1L,IVSM12040HA2Z,IVSM07060HA2Z,IV2Q12200T4Z,IV2Q06060L1,IV1D06010O2,IVCO1A02DWR,IV1Q12030BDG,IV1Q12080T4Z,IV1Q12750BD,IV2Q171R0T3,IVCC1102DR,IV1Q06060BDG,IV2Q12040K1Z,IV1D06020T2,IV3D12060U3,IV1Q12050T3,IV1D12020T2,IV1Q12050T4,IV1Q12080BD,IVST12050SA1L,IVCR2504DR,IV1Q12017BDG,IV1D06006BD,IV1D06004O2,IV1D12020T3,IV1Q06060D7G,IV2Q12160BD,IVCR2402DR,IV2Q12160D7Z,IV2Q06040BD,IV2Q12017BD,IV1D12040U3Z,IV2B12003HA2L,IVCO1A02DWQR,IVCR1801ASR,IV1D06020U3Z,IV1Q06040T4Z,IV2Q12017BA,IV3D12030U3,IV1Q06060T4ZG,IV2Q12013BD,IV2Q12013BA,IV1D12010O2,IVCC1102F4AR,IVCO1412DDWQR,IVST12040DA1L,IV1D06010T2,IVCR1401DR,IV1Q12080T3,IV1D12020BD,IV1D12040U3,IV1D06004P3,IV1Q12080T4,IV3D12015T2,IV2Q12080D7Z,IVCR2404MPQR,IV2Q06025BD,IVTM12080TA1Z,IV2Q06040L1,IV2Q17020T4Z,IV2Q20045BD,IV3B20023BA2,IV3D12030T2,IV2D12002BD,IVCO1A02DQR,IV1D12005BD,IVCC1104F4AR,IV2Q06025T4Z,IV2Q06040T4Z,IV2Q06060O3Z,IV1Q06060T4G,IV1D12040T2,IV2Q12100D7Z,IV2Q171R0D7Z,IV2Q06025L1,IVST12050MA1L,IVST12160DA1L,IVCR2403DR,IV1Q06040BD,IV1Q12160T3,IV1Q12160T4,IV1B12025HC1L,IV1Q12017BAG,IV2Q12200D7Z,IV2Q20045T4,IV2D12020T2,IV2Q12200BD,IV2Q06060T4Z,IV2Q12030T4Z,IV2Q12040D7Z,IV2D12020BD,IV1D12040BD,IV6212004HA2,IV1Q06060T3G,IVCR1407ASR,IV1Q12050BD,IV1Q12017T4G,IV1D12010T2,VSM12080HA2Z,IVCR1402DPQR,IV1D06004F5,IV2B12006HA1L,IVCO1411DDWQR,IV1Q06040T4,IV1Q06040T3,IV1D06010BD,IV1Q12160BD,IV1Q12750O3,IV1Q06040L1,IV1Q12160D7Z,IVCC1104DR,IV2Q12080BD,IV2Q175S0BD,IV2Q06025D7Z,IV6212004HB2,IVSM06025HA2Z,IVST12017SA1L,IV1D12030U3,IV1D20020T2,IV1D06004BD,IV1D06006O2,IV2D12020D2Z,IV2Q06040D7Z,IV2Q12017T4Z,IVCR2404DR,IV2Q06060D7Z,IVCO1A01DWR,IV1Q12030T4G,IV2Q17020BD,IV3D12020T2,IV1D12010BD,IV2D12002P2,IV2Q12030BD,IVST12120DA1L,IV2Q12080T4Z,IV1D06020U3,IVCO1A01DWQR,IV1D12030T2,IVHD122M1TA2Z,IVCO1A02DR,IV1D06006P3,IV1Q12050T4Z,IVCR2404MPR,IV1D12010P2Z,IV2Q12100T4Z,IVCR1401DPR,IV1Q06060L1G,IV2Q12080K1Z,IV1Q12080D7Z,IV2Q171S0BD,IV1D12015T2,IV1D20020BD,IV2D12002O2,IVSM12160HA2Z,IV1D12005O2,IV2Q171S0S1,充电桩,储能变流器,新能源汽车,数据中心,风电,5G基站,充电桩模块,新基建,通信电源,轨道交通,EVTOL 电动垂直起降飞行器,光伏逆变器,储能

March 2024 - 选型指南代理服务技术支持采购服务

瞻芯电子荣获SiC行业三大奖项，全面突破新能源汽车主驱、光伏储能、充电桩等众多关键领域市场

2024年12月12日，由行家说主办的“2024碳化硅＆氮化镓产业高峰论坛”于深圳召开。瞻芯电子凭借极具竞争力的碳化硅（SiC）功率器件和驱动解决方案，全面突破新能源汽车主驱、光伏储能、充电桩等众多关键领域市场，取得出色的业绩表现，在颁奖礼上荣获三项大奖：“中国SiC IDM十强企业”、“年度影响力产品奖”、“第三代半导体应用推动突破奖”。

2024-12-18 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务

SLKOR（萨科微）功率元器件和模块选型指南

公司介绍碳化硅场效应管/碳化硅肖基特二极管/场效应管超结场效应管/IGBT单管/可控硅二极管静电保护器件/瞬态抑制二极管三极管/电源IC 运算放大器/达林顿晶体管阵列/整流桥/霍尔传感器光耦/石英晶体谐振器

SLKOR - MOSFET,SIC场效应晶体管,SCR,DIODE,REFERENCE POWER SUPPLY,石英晶体,超级结MOSFET,开关二极管,低压差线性稳压器LDO,瞬态抑制二极管,可控硅光耦,高速光耦,双向可控硅,TVS,ZENER DIODE,石英晶体谐振器,GBT单管,达林顿晶体管阵列,PHOTO TRIAC,单向可控硅,光耦合器设备,SIC备用电池,双极性结型晶体管,碳化硅肖特基二极管,静电放电,FAST RECOVERY DIODE,稳压二极管,HIGH-SPEED OPTOCOUPLERS,光电三端双向可控硅,静电保护器件,SIC MOSFET,肖特基二极管,DARLINGTON ARRAY,直流-直流,OPERATIONAL AMPLIFIER,HALL SENSOR,整流桥,光敏晶体管,电源IC,三极管,基准电源,碳化硅场效应管,RECTIFIER BRIDGE,快恢复二极管,参考电源,HALL传感器,齐纳二极管,SIC SBD,DC-DC,IGBT,LDO,高速光耦合器,ESD,OPTICALCOUPLER EQUIPMENT,PHOTO TRANSISTOR,碳化硅肖基特二极管,整流二极管,QUARTZ CRYSTAL,RECTIFIER DIODE,SCHOTTKY DIODE,晶体管光耦,霍尔传感器,SWITCHING DIODE,SUPER JUNCTION MOSFET,超结场效应管,低压差线性稳压器,可控硅,BIPOLAR JUNCTION 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