【产品】采用SiC MOSFET芯片技术的功率模块，适用于大功率高频电源类应用

时间： 2018-06-30 来源：Vincotech

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功率模块,军品级功率模块,10-FY12B2A040MR-L387L68,Vincotech

全球领先的电力电子模块（IGBT模块）解决方案的供应商VINCOTECH（威科）推出的10-FY12B2A040MR-L387L68 功率模块，采用Boost拓扑，集成了升压开关、升压二极管、旁路二极管及直流电容。由于内部集成温度传感器，可实时地对模块进行温度监测，避免温度过高对系统造成永久性的损坏。10-FY12B2A040MR-L387L68功率模块还集成了用于提高开关性能的开尔文发射器，具有快速转换的突出优势。10-FY12B2A040MR-L387L68系列功率模块非常适用于太阳能、UPS等的大功率高频电源类应用领域。

T_j=25℃（除其他特殊说明外）时，10-FY12B2A040MR-L387L68功率模块的工作电压为1200V，芯片电流额定值为35A，升压二极管的连续正向直流电流最大值为40A（T_j= T_jmax、T_s=80℃），可应用到高压大电流的应用领域；另外，其直流隔离电压4000V（tp=2s），满足大功率隔离设计，同时有效的抑制输入谐波，具有超高的安全性与稳定性。

10-FY12B2A040MR-L387L68功率模块采用SiC MOSFET芯片技术，由于内部集成开尔文发射器，其上升时间和下降时间典型值仅为7ns（R_goff=4Ω、R_gon=4Ω、T_j=25℃），具有超快的切换速率，出色的换流响应，高速的工作频率使该器件可以灵活的应用到多种高频设计中。另外，其升压二极管的反向恢复时间的典型值为9ns（T_j=25℃），反向恢复能力强，开关损耗低。同时，升压开关具有较低的导通电阻，其漏源通态电阻典型值仅为39mΩ（T_j=25℃），较低的导通电阻具有更高的敏感性，可增加功率模块的灵敏度，同时降低导通时的热损耗。

10-FY12B2A040MR-L387L68功率模块采用flow 1 封装，尺寸为82*37.4*12mm，紧凑型低电感设计使得功率模块更为节省空间。工作温度范围为-40~125℃（T_jmax-25℃，T_jmax取决于模块中结温最低的器件），符合军品级器件温度要求，可应用在多种苛刻的温度环境中。

10-FY12B2A040MR-L387L68军品级功率模块的外形图、尺寸图、原理图如下：

图1 10-FY12B2A040MR-L387L68功率模块外形图

图2 10-FY12B2A040MR-L387L68功率模块的尺寸图

图3 10-FY12B2A040MR-L387L68功率模块的原理图

10-FY12B2A040MR-L387L68功率模块突出特点与优势

·采用SiC MOSFET的超快速开关和SiC升压二极管

·集成电容器，具有低电感设计

·紧凑设计

10-FY12B2A040MR-L387L68功率模块应用领域

·太阳能

·不间断电源（UPS）

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产品型号	品类	SUB-TOPOLOGY	PRODUCT LINE	VOLTAGEIN（V）	CURRENTIN(A)	MAIN CHIP TECHNOLOGY	HOUSING FAMILY	HEIGHTIN（mm）	ISOLATION
10-EY122PA005ME-LU39F08T	SiC功率模块	Half-Bridge-NTC	flowDUAL E2 SiC	1200	300	SiC MOSFET	flow E2	12	Al2O3