【产品】采用SiC MOSFET芯片技术的功率模块,适用于大功率高频电源类应用
全球领先的电力电子模块(IGBT模块)解决方案的供应商VINCOTECH(威科)推出的10-FY12B2A040MR-L387L68功率模块,采用Boost拓扑,集成了升压开关、升压二极管、旁路二极管及直流电容。由于内部集成温度传感器,可实时地对模块进行温度监测,避免温度过高对系统造成永久性的损坏。10-FY12B2A040MR-L387L68功率模块还集成了用于提高开关性能的开尔文发射器,具有快速转换的突出优势。10-FY12B2A040MR-L387L68系列功率模块非常适用于太阳能、UPS等的大功率高频电源类应用领域。
Tj=25℃(除其他特殊说明外)时,10-FY12B2A040MR-L387L68功率模块的工作电压为1200V,芯片电流额定值为35A,升压二极管的连续正向直流电流最大值为40A(Tj= Tjmax、Ts=80℃),可应用到高压大电流的应用领域;另外,其直流隔离电压4000V(tp=2s),满足大功率隔离设计,同时有效的抑制输入谐波,具有超高的安全性与稳定性。
10-FY12B2A040MR-L387L68功率模块采用SiC MOSFET芯片技术,由于内部集成开尔文发射器,其上升时间和下降时间典型值仅为7ns(Rgoff=4Ω、Rgon=4Ω、Tj=25℃),具有超快的切换速率,出色的换流响应,高速的工作频率使该器件可以灵活的应用到多种高频设计中。另外,其升压二极管的反向恢复时间的典型值为9ns(Tj=25℃),反向恢复能力强,开关损耗低。同时,升压开关具有较低的导通电阻,其漏源通态电阻典型值仅为39mΩ(Tj=25℃),较低的导通电阻具有更高的敏感性,可增加功率模块的灵敏度,同时降低导通时的热损耗。
10-FY12B2A040MR-L387L68功率模块采用flow 1 封装,尺寸为82*37.4*12mm,紧凑型低电感设计使得功率模块更为节省空间。工作温度范围为-40~125℃(Tjmax-25℃,Tjmax取决于模块中结温最低的器件),符合军品级器件温度要求,可应用在多种苛刻的温度环境中。
10-FY12B2A040MR-L387L68军品级功率模块的外形图、尺寸图、原理图如下:
图1 10-FY12B2A040MR-L387L68功率模块外形图
图2 10-FY12B2A040MR-L387L68功率模块的尺寸图
图3 10-FY12B2A040MR-L387L68功率模块的原理图
10-FY12B2A040MR-L387L68功率模块突出特点与优势
·采用SiC MOSFET的超快速开关和SiC升压二极管
·集成电容器,具有低电感设计
·紧凑设计
10-FY12B2A040MR-L387L68功率模块应用领域
·太阳能
·不间断电源(UPS)
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产品型号
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品类
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产品状态
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拓扑
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电压(V)
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电流(A)
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模块高度 (mm)
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晶圆工艺
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封装
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10-0B06PPA004RC-L022A09
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SiC功率模块
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Series production
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PIM+PFC(CIP)
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600V
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4A
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17mm
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IGBT RC
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flow 0B
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选型表 - VINCOTECH 立即选型
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VINCOTECH-SiC功率模块选型表
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产品型号
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品类
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SUB-TOPOLOGY
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PRODUCT LINE
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VOLTAGEIN(V)
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CURRENTIN(A)
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MAIN CHIP TECHNOLOGY
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HOUSING FAMILY
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HEIGHTIN(mm)
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ISOLATION
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10-EY122PA005ME-LU39F08T
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SiC功率模块
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Half-Bridge-NTC
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flowDUAL E2 SiC
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1200
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300
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SiC MOSFET
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flow E2
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12
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Al2O3
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选型表 - VINCOTECH 立即选型
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