薄膜电阻超低电阻温度系数的生产方法
本文中毫欧电子来给大家介绍薄膜电阻超低电阻温度系数的生产方法，希望对各位工程师有所帮助。目前选择超低温金属材料是薄膜贴片电阻生产工艺领域中常用的设计方案。薄膜电阻的生产结构包括氧化铝陶瓷基板、TaN电阻材料层和Ni70Cr30金属电阻材料层、Cu/Ni/Au电极层、SiO2保护层。氧化铝陶瓷基板与Ni70Cr30金属电阻材料层之间设置有TaN电阻材料层； Ni70Cr30金属电阻材料层表面设有Cu/Ni/Au电极层，在非Cu/Ni/Au电极层区域设有SiO2保护层。
薄膜电阻超低电阻温度系数的生产方法包括以下步骤：
1、薄膜电阻选用氧化铝陶瓷基板，尺寸为50.8mm×50.8mm×0.254mm，纯度99.6%。清洗后，采用磁控溅射的方法依次沉积负电阻温度系数TaN电阻材料层、正电阻温度系数Ni70Cr30金属电阻材料层和Cu/Ni/Au金属电极层；
2、将生产的薄膜电阻放入200℃的烘箱中，热处理6小时；
3、另外，薄膜电阻采用光刻和湿法刻蚀的方法制作金属电极区图形；
4、薄膜电阻金属电极采用光刻法和离子刻蚀法制作，Ni70Cr30金属材料层制成电阻线图形；
5、将得到的基板放入夹具中，测得薄膜电阻温度系数为5.7～10.4ppm/℃；
6、经过离子刻蚀和激光调阻的方法，减小了Ni70Cr30金属电阻材料层的面积，测试温度系数为3.2～6.8ppm/℃；
7、使用PECVD在基板正面沉积一层SiO2保护层，通过光刻/Au金属电极层区域暴露Cu/Ni。
另外，在制备负温度系数薄膜电阻时，其制作方法如下：
1、在清洗干净的玻璃或陶瓷基板上，依次沉积负电阻温度系数材料层和正电阻温度系数材料层和金属电极层；
2、贴片电阻进行热处理，然后制作金属电极区图形；
3、将正电阻温度系数材料层制成所需的线型；
4、减小负电阻温度系数材料层面积或同时减小正电阻温度系数材料层和负电阻温度系数材料层的面积，得到低温度系数薄膜电阻电阻温度系数≤±10ppm/℃；
5、在金属电极区外的区域涂上钝化保护层。
此外，在制备具有正温度系数的薄膜电阻时，生产工艺也有所不同。详情如下：
1、在干净的玻璃或陶瓷基板上依次沉积负电阻温度系数材料层、正电阻温度系数材料层和金属电极层；
2、加热薄膜电阻，然后制作金属电极区图形；
3、使材料层具有正电阻温度系数所需的线型；
4.减小电阻正温度系数材料层的面积或同时减小电阻温度系数为正的材料层和电阻温度系数为负的材料层的面积，得到电阻温度系数≤±10ppm/℃低温度系数薄膜电阻；
5、在金属电极区外的区域涂上钝化保护层。
通过上述方法生产的薄膜电阻器可以保证薄膜电阻器在低温漂移设计中的稳定性能。
很多电阻厂家在选择生产工艺时都会仔细考察市场情况。目前这种薄膜电阻的生产工艺非常优越，很多高端薄膜电阻厂商已经进行了布局生产，这种低温漂系数薄膜电阻得到了市场的广泛认可，具有非常大的市场潜力。电阻市场前景。
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产品型号
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品类
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封装
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阻值（mΩ/Ω/mR/R)
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功率(W)
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精度(±%）
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温漂
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HOLR2512-R005-1%-50PPM
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低阻值贴片合金电阻
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2512
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5mΩ
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3W
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0.01
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50PPM
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选型表 - 毫欧电子 立即选型
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型号- TO220,TO-220-35W系列,TO-220-35W-ART,T022035W10Ω5%ART,TO-220-35W-ART系列,TO-220-35W,TO-220
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