DDR5技术的发展与应用前景
DDR5技术作为下一代内存标准,展现出广阔的发展前景。随着技术的不断进步和需求的增长,DDR5技术不仅将提升计算机系统的性能和效率,还将推动各行业的创新和发展,满足未来数据处理和存储需求的挑战。本期文章,电科星拓将和大家一起了解DDR5技术的发展和应用前景。
一、DDR技术简介
1、DDR的概念
DDR,即DDR SDRAM(Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory),这里DDR的发展,准确地说是SDRAM的发展。SDRAM其实就是同步DRAM的意思,“同步”是指内存工作需要同步时钟,内部命令的发送与数据的传输都以它为基准。
DDR内存频率与CPU外频同步,且允许在时钟脉冲上升沿和下降沿传输数据,大幅提升了数据传输效率。
64bit的数据位宽与当时CPU的总线一致,只需要一根内存就能让电脑正常工作了,这降低了采购内存的成本。
2、DDR~ DDR5的主要变化
DDR~ DDR5的主要变化体现在DDR的性能,容量和省电三个方面,具体变化如下表:
二、DIMM的组成与应用
1、JEDEC 简介
JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council),即固态技术协会,是微电子产业的领导标准机构,该协会成立于1958年,最初作为电子产业协会联盟(EIA)的一部分,为新兴的半导体产业制定标准。1999年,JEDEC独立运作,并更名为JEDEC固态技术协会。至今,JEDEC的标准为全行业所接受和采纳,成为推动技术进步和产业发展的关键力量。
作为一个全球性组织,JEDEC的成员构成跨国性,目前拥有近300家会员公司,包括几乎所有前100家公司。该协会通过其包括50个委员会和分委员会的标准制定程序,集结了生产商和供应商,以满足产业发展和技术需求的多样化。JEDEC的主要功能涵盖术语定义、产品特性描述、测试方法、生产支持、产品质量与可靠性、机械外形、固态存储器、DRAM、闪存卡及模块以及射频识别(RFID)标签等的确定和标准化。
JEDEC的核心使命是促进开放、易获取和快速完成的自愿标准制定,涵盖广泛的技术领域,并与其他组织联合制定标准。所有JEDEC标准均为开放和自愿采纳,旨在全球范围内促进竞争和有利于竞争的公司之间的合作。
JEDEC建立了高效的标准制定和发布程序,通常能在60-90天内完成必要的标准制定工作。这些标准和文件都可以免费通过其官方网站获取,体现了JEDEC致力于推动全球电子产业技术创新和发展的承诺。
2、DIMM的分类
DIMM,全称双列直插式内存模块(Dual-Inline-Memory-Modules),分类主要分为以下几种,UDIMM(Unbuffered DIMM),SODIMM(Small Outline DIMM),RDIMM(Registered DIMM),LRDIMM(Load Reduced DIMM)。其中RDIMM和LRDIMM主要应用于服务器市场,而UDIMM和SODIMM主要应用于桌面和笔记本市场,这里不详细介绍。
RDIMM:
带寄存器的双列直插内存模块,是一种带奇偶校验的同步动态内存。在内存模组PCB上有提高电流驱动能力的集成电路芯片,能在较大程度上提高服务器支持的内存容量。RDIMM和UDIMM相比增加了RCD。在内存条上加了一个RCD进行传输,其位于CPU和内存颗粒之间,既减少了并行传输的距离,又保证并行传输的有效性。RDIMM的地址和控制信号经过寄存驱动加强,时钟经过RCD的PLL锁定滤抖,相对于UDIMM,RDIMM更稳定,容量更大,但是对于单个的读写访问要滞后一个时钟周期。RDIMM模组主要应用于服务器和工作站市场。
LRDIMM:
低负载双列直插内存模块,使用(RCD+DB)。LRDIMM相比RDIMM,在使用RCD缓冲AC、CLK信号的基础上,增加了Data Buffer(DB)芯片,对数据进行进一步的驱动,提升对数据通道的带负载能力,进一步提升内存容量。
3、DDR5 DIMM的特点
2021年,JEDEC 宣布发布JESD79-5 DDR5 SDRAM标准,标志着行业向DDR5 DIMM的过渡。DDR5 内存带来了许多关键的性能提升,以及新的设计挑战。DDR4到DDR5 DIMM过渡中的七个最重要的技术指标改进如下表所示:
通过上表,我们可以发现,DDR5具有如下优势:
①DDR5拥有更高数据速率
DDR5内存速率最终将达到6.4 Gbps,2倍于DDR4。
DDR5中集成了DFE等新功能,从而实现了更高的IO速度。
②DDR5使用新的电源体系结构
DIMM内置12V电源管理IC(PMIC)。DDR5 DIMM电源管理从主板转移到DIMM内,生成1.1V VDD电源,实现更好的负载管理,有益于信号完整性和噪声控制。
DDR5通道架构更新。DDR4 DIMM具有72位总线,由64个数据位+8个ECC位组成。DDR5每个DIMM有两个通道,每个通道均为40位宽:32个数据位和8个ECC位。尽管总数据宽度都是64位,但具有两个较小的独立通道可提高内存访问效率。
DDR5集成了细粒度存储库刷新功能。允许某些存储库在使用中的同时进行刷新,进一步降低等待时间。
因此DDR5不仅有直接的速率提升优势,而且此优势可以通过更高的效率得到放大。
③DDR5容量更高
借助DDR5缓冲芯片DIMM,服务器或系统设计人员可以在单芯片封装(SDP)中使用多达64Gb DRAM的密度,而DDR4 SDP中最大仅可容纳16Gb DRAM。
颗粒容量增加带来DIMM容量的增加。举个例子,DDR4 DIMM在使用SDP的情况下最大容量为64 GB,而DDR5可以做到256 GB。
DDR5支持片上ECC,错误透明模式,封装后修复以及读和写CRC模式等功能,以支持更大容量的DRAM。
④DDR5 BL更长
DDR5的Burst Length(BL)扩展到16,以增加突发有效负载。允许单个突发访问64字节的数据,显著提高了并发性,提高了内存效率。
DDR5技术的应用前景
DDR5技术作为下一代内存标准,具备更高的数据传输速率和带宽,提升了计算机系统的性能和响应能力。相比DDR4,DDR5内存模块支持更高的频率和密度,能够显著提高数据处理速度,适用于需要高性能和大规模数据处理的应用场景,如大数据分析、人工智能和高性能计算。此外,DDR5内存还采用了更先进的电源管理技术,有效降低能耗,符合节能环保的趋势。DDR5技术的推广将促进整个电子行业的技术进步,为未来的计算和存储需求提供更强大的支持。
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产品型号
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品类
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Density(Mb、Gb、GB、TB)
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Speed(MT/s、Gbps、MHz)
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Voltage (V)
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Memory
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Temp. Range (℃)
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Bus
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Interface
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Package
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Size (mm)
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FI4S26M016GSC3
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DDR4 DIMM
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16GB
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2666MT/s
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1.2V
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DDR4
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0℃ to 85℃
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64bits
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260pin
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SODIMM
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69.6 x 30mm
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选型表 - FORESEE 立即选型
DDR5 VLP ECC UDIMM
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