【产品】650V/10A的碳化硅肖特基二极管B2D10065Q，DFN 8*8封装
基本半导体推出的碳化硅肖特基二极管（SiC肖特基二极管）B2D10065Q，反向重复峰值电压最大额定值为650V，连续正向电流最大额定值为10A（TC=155°C条件下），总电容电荷典型值为29nC，具有反向电流极低，无反向恢复电流，VF具有正温度系数等特点，不含卤素，符合RoHS标准，可用于开关电源（SMPS），不间断电源， 功率因数校正和电机驱动器等应用。
器件采用DFN 8*8封装，工作结温宽至-55~175°C，存储温度范围宽至-55~135°C，能够在不同环境下可靠工作。
图1 产品外观和内部电路图
特点：
极低的反向电流
无反向恢复电流
与温度无关的开关特性
VF具有正温度系数
优秀的浪涌电流保护能力
低电容
优势：
几乎无开关损耗
通过Si二极管提高系统效率
更高的功率密度
更高的开关频率
降低散热器需求
较小的磁性元件节省了系统成本
低EMI
订购信息如下：
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型号- B2D20065HC1
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提供基本半导体碳化硅肖特基二极管选型，抗浪涌电流能力强高，反向漏电低，覆盖电压 650V/1200V,正向平均电流 2A-20A
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产品型号
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品类
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VRRM
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IF
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IFSM
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VF
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Ptot
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QC
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B1D02065K
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碳化硅肖特基二极管
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650V
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2A
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16A
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1.4V
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39W
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6.8nC
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选型表 - 基本半导体 立即选型
B3D40065HC SiC肖特基二极管
描述- 该资料详细介绍了B3D40065HC型号的碳化硅肖特基二极管的产品特性、电气特性、热特性、典型性能和应用领域。该二极管具有低漏电流、零反向恢复电流、温度独立开关行为等特点，适用于开关电源、不间断电源、服务器/电信电源、功率因数校正和太阳能等领域。
型号- B3D40065HC
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型号- B2D40065HC1
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型号- B3D50120H2
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型号- B2D06065E1
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型号- B2D10065F1
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型号- B3D30120HC
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型号- B3D20120H
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型号- B3D15120H
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型号- B2D40120HC1
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可定制LAMP LED、 CHIP LED、 PLCC LED、 汽车用车规级LED、COB LED的尺寸/电压/电流等参数，电压1.5-37V，电流5-150mA，波长470-940nm。
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