【产品】650V/10A的碳化硅肖特基二极管B2D10065Q，DFN 8*8封装

时间： 2020-11-13 来源：基本半导体

技术问答

基本半导体推出的碳化硅肖特基二极管（SiC肖特基二极管）B2D10065Q，反向重复峰值电压最大额定值为650V，连续正向电流最大额定值为10A（T_C=155°C条件下），总电容电荷典型值为29nC，具有反向电流极低，无反向恢复电流，VF具有正温度系数等特点，不含卤素，符合RoHS标准，可用于开关电源（SMPS），不间断电源，功率因数校正和电机驱动器等应用。

器件采用DFN 8*8封装，工作结温宽至-55~175°C，存储温度范围宽至-55~135°C，能够在不同环境下可靠工作。

图1 产品外观和内部电路图

特点：

极低的反向电流

无反向恢复电流

与温度无关的开关特性

VF具有正温度系数

优秀的浪涌电流保护能力

低电容

优势：

几乎无开关损耗

通过Si二极管提高系统效率

更高的功率密度

更高的开关频率

降低散热器需求

较小的磁性元件节省了系统成本

低EMI

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