ROHM 4th Gen SiC MOSFET Simulation Models for PSIM™ Now Available

时间： 2024-08-02 来源：ROHM Official Website

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ROHM has begun offering 4th Gen SiC MOSFET simulation models compatible with PSIM™, a circuit simulator designed for power electronics and motor drive developed by Altair®. Designers can now easily download model files to perform system-level evaluations, allowing for efficient design and evaluation across a wire range of industrial sectors, further promoting the use of power devices.

PSIM™ Features

・ Provides robust, high-speed simulation of power converters and motor drives

・ Easily create main and control circuits with an intuitive GUI

・ Integration with Altair’s multi-physics platform enables high-fidelity temperature predictions through CFD coupling

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・ROHM 4th Gen SiC MOSFETs

・ROHM Design Models

About PSIM™

*PSIM™ is a trademark of Altair®

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本文由雪飘梦飞转载自ROHM Official Website，原文标题为:2024-07-26 4th Gen SiC MOSFET Simulation Models for PSIM™ Now Available，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。

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ROHM提供支持电力电子仿真工具PSIM™的第4代SiC MOSFET仿真模型

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开始提供支持电力电子仿真工具PSIM™的第4代SiC MOSFET仿真模型。该模型可在Altair® US公司开发的电力电子和电机控制用的电路仿真工具PSIM™中使用。设计人员可从ROHM官网下载模型文件，轻松进行系统级评估。这一进展使得在更广泛的产业领域中进行高效设计和评估成为可能，并能进一步推动功率元器件的使用。

2024-09-15 - 产品代理服务技术支持采购服务

ROHM（罗姆） SiC（碳化硅）MOSFET选型指南（中文）

描述- SiC MOSFET原理上在开关过程中不会产生拖尾尾电流，可高速运行且开关损耗低。低导通电阻和小型芯片尺寸造就较低的电容和栅极电荷。此外，SiC还具有如导通电阻增加量很小的优异的材料属性，并且有比导通电阻可能随着温度的升高而上升2倍以上的硅（Si）器件更优异的封装微型化和节能的优点。

型号- SCT3160KL,SCT4062KR,SCT3030KLHR,SCT4013DE,SCT3080AW7,SCT2450KE,SCT3160KW7,SCT2H12NZ,SCT4062KW7HR,SCT2450KEHR,SCT4013DR,SCT3060ALHR,SCT3040KRHR,SCT3060ARHR,SCT3040KLHR,SCT4036KEHR,SCT4045DRHR,SCT3022KLHR,SCT2160KE,SCT3080KW7,SCT3017ALHR,SCT3022AL,SCT3080ALHR,SCT3060AR,SCT3105KLHR,SCT4036KR,SCT3060AL,SCT4026DEHR,SCT4062KRHR,SCT3040KR,SCT2080KE,SCT3080KR,SCT3105KRHR,SCT3120AL,SCT4013DW7,SCT3030KL,SCT4062KWAHR,SCT4062KE,SCT3080ARHR,SCT4036KW7,SCT2280KEHR,SCT3120ALHR,SCT2280KE,SCT4062KWA,SCT3030AR,SCT3030AL,SCT3030AW7,SCT4036KRHR,SCT4045DEHR,SCT3120AW7,SCT3040KL,SCT3105KW7,SCT2080KEHR,SCT4018KW7,SCT4045DWA,SCT3080KL,SCT3030ALHR,SCT4062KW7,SCT3040KW7,SCT3022ALHR,SCT3030ARHR,SCT4045DW7,SCT3017AL,SCT4036KE,SCT4018KE,SCT4045DE,SCT4026DW7,SCT4062KEHR,SCT3080AR,SCT4026DW7HR,SCT4026DE,SCT4026DWA,SCT3160KLHR,SCT3080AL,SCT4045DW7HR,SCT4045DR,SCT2160KEHR,SCT3022KL,SCT4018KR,SCT4026DR,SCT4045DWAHR,SCT3105KL,SCT3160KW7HR,SCT3105KR,SCT3080KLHR,SCT3060AW7,SCT4026DRHR,SCT3080KRHR,SCT4026DWAHR

2024/2/27 - ROHM - 选型指南代理服务技术支持采购服务

ASC300N1200MEP2B 1200V SiC MOSFET模块

描述- 本文档介绍了ASC300N1200MEP2B这款1200V SiC MOSFET模块。该产品具有高电流密度、低感设计、低开关损耗和高频操作等特点，适用于高频切换应用、DC/DC转换器、电机驱动、伺服驱动、不间断电源系统和光伏系统等领域。

型号- ASC300N1200MEP2B

2023/1/10 - 爱仕特 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

A-003。升压PFC VIN=200V，IIN=2.5A，CCM（同步FET）Rohm解决方案仿真器原理图信息

描述- 本资料提供ROHM Solution Simulator的Boost PFC电路仿真信息，包括输入电压、电流、输出电压、开关频率等参数设置，以及电路中使用的器件如SiC MOSFET、门驱动器、电感、电容等的选择和特性。资料还展示了仿真波形、效率、功耗等性能指标，并提供了如何更改器件和计算损耗的说明。

型号- SCT3160KL,SCT2280KE,SCT4013DE,SCT3030AL,SCT2450KE,SCT2H12NZ,SCT3040KL,SCT3080KL,SCT3017AL,SCT4036KE,SCT2160KE,SCT4018KE,SCT2120AF,SCT4045DE,SCT3022AL,SCT4026DE,SCT3060AL,SCT3080AL,SCT3022KL,SCT2080KE,SCT3120AL,SCT3030KL,SCT3105KL,SCT2750NY,SCT4062KE

2024. Oct - ROHM - 电路原理图 - Rev.005 代理服务技术支持采购服务

【经验】以SIC MOSFET SCT3040KR为例说明SiC MOS应用中Vds关断尖峰的应对策略

在SiC MOS应用中，通常在mos关断过程中存在较大的Vds尖峰，主要原因在Turn ON 时流过的电流的能量储存在线路和基板布线的寄生电感中，并与开关元件的寄生电容共振所产生的。本文将以ROHM SiC MOSFET SCT3040KR为例说明SiC MOS应用中Vds关断尖峰的应对策略。

2019-11-28 - 设计经验代理服务技术支持采购服务

ROHM（罗姆）SiC（碳化硅）MOSFET选型指南（英文）

目录- SiC MOSFETs

型号- SCT3160KL,SCT4062KR,SCT3030KLHR,SCT4013DE,SCT3080AW7,SCT2450KE,SCT3160KW7,SCT2H12NZ,SCT4062KW7HR,SCT2450KEHR,SCT4013DR,SCT3060ALHR,SCT3040KLHR,SCT4036KEHR,SCT4045DRHR,SCT3022KLHR,SCT2160KE,SCT3080KW7,SCT3017ALHR,SCT3022AL,SCT3080ALHR,SCT3060AR,SCT3105KLHR,SCT4036KR,SCT3060AL,SCT4026DEHR,SCT4062KRHR,SCT3040KR,SCT2080KE,SCT3080KR,SCT3120AL,SCT4013DW7,SCT3030KL,SCT4062KE,SCT4036KW7,SCT2280KEHR,SCT2280KE,SCT3030AR,SCT3030AL,SCT3030AW7,SCT4036KRHR,SCT4045DEHR,SCT3120AW7,SCT3040KL,SCT3105KW7,SCT2080KEHR,SCT4018KW7,SCT3080KL,SCT3030ALHR,SCT4062KW7,SCT3040KW7,SCT3022ALHR,SCT4045DW7,SCT3017AL,SCT4036KE,SCT4018KE,SCT4045DE,SCT4026DW7,SCT4062KEHR,SCT3080AR,SCT4026DW7HR,SCT4026DE,SCT4036KW7HR,SCT3080AL,SCT4045DW7HR,SCT4045DR,SCT2160KEHR,SCT3022KL,SCT4018KR,SCT4026DR,SCT3105KL,SCT3105KR,SCT3080KLHR,SCT3060AW7,SCT4026DRHR

2022/8/3 - ROHM - 选型指南 - Edition 2022 代理服务技术支持采购服务

B-011。3级NPC-T逆变器Pout=10kW Rohm解决方案模拟器原理图信息

描述- 本资料介绍了ROHM公司的一款3级NPC逆变器解决方案，主要针对10kW输出功率的应用。资料中详细列出了可选用的SiC MOSFET器件，包括其产品编号、特性和参数。此外，还提供了仿真波形图和如何更改器件的说明，以及损失计算模型的相关信息。资料强调了在使用ROHM产品时的注意事项，包括验证最新规格、适用于特定应用前的咨询以及出口法规遵守等。

2024. Oct - ROHM - 电路原理图 - Rev.007 代理服务技术支持采购服务

SiC MOSFET损耗计算方法：通过波形的线性近似分割来计算损耗的方法

本文ROHM将介绍根据在上一篇文章（《SiC MOSFET损耗计算方法：开关波形的测量方法》）中测得的开关波形，使用线性近似法来计算功率损耗的方法。

2024-05-25 - 技术探讨代理服务技术支持采购服务

HPA120C165R 1200V SiC MOSFET

描述- 本资料介绍了HPA120C165R 1200V SiC MOSFET的特性、封装与内部电路设计。该器件采用宽禁带SiC技术，具有低导通电阻和高阻断电压的特点，适用于开关电源、可再生能源和电机驱动等领域。

型号- HPA120C165R

August 2024 - SEMIHOW - 数据手册 - REV.A0 代理服务技术支持采购服务

ASC800N1200MED 1200V SiC MOSFET模块

描述- 本资料介绍了ASC800N1200MED这款1200V SiC MOSFET模块的特性。该模块具有高温度、湿度和偏置操作能力，适用于超低损耗的高功率转换器、高频电机驱动和伺服驱动等领域。

型号- ASC800N1200MED

2023/1/10 - 爱仕特 - 数据手册代理服务技术支持采购服务查看更多版本

罗姆第4代SiC MOSFET裸芯片批量应用于吉利集团电动汽车品牌“极氪”3种主力车型

日前，搭载了罗姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模块成功应用于“极氪”电动汽车3种车型的主机逆变器上，有助于延长车辆续航距离以及提高性能。

2024-08-30 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

HPAF65C055R 650V SiC MOSFET

描述- 本资料介绍了HPAF65C055R 650V SiC MOSFET的特性、参数和应用。该器件采用宽禁带SiC技术，具有低导通电阻和高阻断电压的特点，适用于开关电源、可再生能源和电机驱动等领域。

型号- HPAF65C055R

August 2024 - SEMIHOW - 数据手册 - REV.A0 代理服务技术支持采购服务

SiC MOSFET 5kW 高效率无风扇逆变电路

描述- 采用了发挥碳化硅(SiC)MOSFET高频特性的Trans-link交错型逆变电路(1)、实现了5kW时的功率转换效率达到99%以上。在该电路拓扑中，平滑电抗器的电感量可以减小。由于电抗器的匝数减少、使铜损大幅度减少实现了高效率。在这份资料中，介绍这个全新的逆变器设计的例子。

型号- PS2501L-1,MCR18ERTJ200,NJM78L05UA,MCR03EZPJ332,MCR03EZPJ334,RK73B1JTTD104J,PC092-01-00,B4B-XH-A,TR10P,DE1E3KX222MA4BN01,RK73B1JTTD472J,GRM188B31H104KA92,RB751S-40,MB3P-90,RK73B2BTTD105J,RK73B2BTTD4R7J,PH-1X10RG2,RK73B1JTTD103J,B5B-PH-K-S,PH-2X09SG,SSM3K318T,GRM1851X1H472JA44,KRB-408,GRM188B11H103KA01,HOT-2608B,ELXZ350ELL101MF15D,TLP700A,SCT3030AL,GRM188R11H104KA93,MCR10ERTJ4R7,TC4069UBF,RK73B1JTTD102J,PC045-00-00,S4B-EH,MOSX1C1R0J,NJM431U,GRM185B31E105MA12,DE1E3KX102MA4BN01,2SCR542P,GRM188R71E104KA01,PH-2X04SG,FHU-2×4SG,MCR10EZPJ105,PH-2X08SG,RK73B1JTTD153J,RK73B1JTTD101J,MCR03EZPJ101,ADR-48-50-0R5YA,MCR03EZPJ102,MCR03EZPJ103,24LC64SN,EG01C,MCR03ERTJ302,CQ-3303,CT-6E-P5KΩ,TR008A,1SS355,NE555D,ECQE6103KF,MCR18ERTJ4R7,ES1A,GRM188B11H102KA01,PC089-01-00-50P,NJM2732M,BFC233920105,MB4P-90,MCR03ERTJ331,B3P-VH,TBD,STR-A6079M,ACPL-C87AT,SCS212AM,MCR18ERTJ1R0,TRANS-LINK,GRM1851X1H222JA44,2SAR542P,MOSX1C334J,MCR03ERTJ202,FHU-2X9SG,VDCT,UDZS5.1B,ECQE6104KF,ELXZ100ELL681MF15D,S3B-EH,RK73B1JTTD271J,2SC3325,PH-1X04SG,MCR03EZPJ152,GRM188R71E105KA12,ELXS451VSN561MA50S,GRM21BR71E105KA99,MCR03ERTJ470,RK73B1JTTD470J,SCT3017AL,RK73B2BTTD563J,RK73B1JTTD000J,TA48M05F,MCR03ERTJ102,MCR03ERTJ103,SBR1U150SA-13,FHU-2X8SG,450MPH105J,UCS2W220MHD

2021.10 - ROHM - 应用笔记或设计指南 - Rev.001 代理服务技术支持采购服务

【经验】如何通过增加栅极电容的方式减缓SiC MOSFET 的米勒效应

SiC MOSFET 同Si 基MOSFET和IGBT一样，由于存在米勒电容，都会有米勒效应的存在。由于SiC材料所带来的优势，SiC MOSFET可以工作在更高开关频率下，这样就会面临更严峻的误触发现象。所以在驱动电路设计中需要增加相关设计，使之能够较为有效地避免误触发。本文将主要介绍增加栅极电容的方式。

2020-02-14 - 设计经验代理服务技术支持采购服务