瑶芯推出最新新能源车、光储、充电桩及各类电源的功率器件解决方案
作为国内领先的功率器件和数模混合信号链IC产品供应商，瑶芯推出最新新能源车、光储、充电桩及各类电源的功率器件解决方案，覆盖低压SGT MOS、高压SJ MOS、IGBT和SiC MOSFET系列。
650V G4 45/60mΩ
瑶芯650V 45mΩ和60mΩ SiC MOSFET均具备超高的耐压能力，在高压环境中可以稳定可靠地运行。低导通电阻是它们的显著优势之一，大大降低了功率损耗，提高了能源转换效率。
广泛用于工业及电动汽车领域，降低冷却成本，延长设备使用寿命，提高生产效率。并且有助于减小充电器和驱动系统的体积和重量，提高车辆的续航里程。
图 1
2.650V G5 25/45mΩ
瑶芯最新一代650V G5分立式SiC MOSFET，涵盖25mΩ/45mΩ等多款产品，无论是工业级还是车规级要求，都能完美满足。
其中最引人注目的是比导通电阻RDS(on)×Active area (Ron,sp)得到了极大优化，相比上一代650V G4，G5(Ron,sp)降低了38%！同时，对寄生电容CGD等参数的优化，使其在电源拓补电路中展现出超高效率。
图 3
3.1200V G4.5
瑶芯已量产的1200V G4.5技术平台AK1CK2MXXXWAM系列SiC MOSFET拥有14-80mΩ多个规格，在Ron与动态性能、开关损耗上均实现了相当大的提升。
无论是在电动汽车领域，还是其他新能源应用中，AKS 1200V G4.5技术平台都展现出了强大的竞争力。为用户带来了更高效、更可靠的使用体验。
图 4
4.1200V G5
瑶芯1200V G5 AK2CK2MXXXWAMH系列SiC MOSFET，采用更为先进的工艺平台，在G4.5的基础上再次迭代，Rsp进一步优化，降低9%；大大降低导通损耗，让充电过程更节能高效。同时，其高转换效率确保了电能的充分利用，可节省大量时间和成本。
此外，低开关损耗的特性使得充电桩在工作时发热更少，稳定性更高，延长了充电桩的使用寿命。
图 5
5.2300V G4
瑶芯2300V SiC MOSFET采用全新的TO-247Plus-4L封装，爬电距离满足2600V电气应力，在高压应用中，能够显著提高系统的效率，减少能源的浪费，为节能减排事业贡献力量。并且拥有快速开关速度，有助于降低电磁干扰，提升系统的整体性能和可靠性。
在工业驱动领域，广泛应用于大型电机的驱动控制，降低设备运行成本，提高生产效率。
在新能源发电领域，特别是风力发电和太阳能发电系统，能够提升逆变器的转换效率，使电能更高效地并入电网，增加了可再生能源的输出。
在轨道交通中，用于列车的牵引系统，能够实现更高的功率密度和更小的体积，同时提高运行的可靠性和稳定性。
图 6
SJ MOSFET
瑶芯基于超结（SJ）多层外延技术，推出全新G2.5平台SJ MOSFET，包含两大电压等级（600V&650V），相较于上一代，该系列不仅显著降低了比导通电阻（RDS(ON)*Area），还针对高频率高功率应用进行优化。其中采用TOLL封装的600V 35.5mΩ型号已实现量产，凭借其极低的导通损耗，优秀的开关性能以及抗干扰能力，在中高档开关电源（SMPS）例如服务器电源、通信电源等取得优异的表现。
图 7
瑶芯SGT MOSFET AK1G4N009GAL可用于元器件一级的解决方案，该产品在传统MOSFET管基础上进行改良，更加适配服务器电源设计需求。导通电阻更小，开关损耗降低，电源转换效率得到大幅度提升。
图 8
瑶芯全新一代150V SGT MOSFET产品AK1G15N072GAMF，品质因子(RDS(ON)*QG)相对于上一代产品优化了50%，显著改善了开关损耗和导通损耗，确保其在高频率高负载条件下提供卓越的性能表现。
图 9
瑶芯30V SGT MOSFET新产品AKG3N005GAL及AKG3N007GAL来自瑶芯微最新的30V SGT MOSFET平台，采用先进的PDFN5x6封装，拥有极低的导通电阻RDS(ON)，能够显著降低导通损耗，适用于紧凑设计和高密度的应用场景。
图 10
IGBT MOSFET
1.1200V/140A
瑶芯推出全新G3平台H系列高速IGBT单管，包含两大电压等级（650V&1200V），该系列单管针对光储、UPS、EV charger、焊机等应用进行了专门的优化，并配备了全电流快恢复二极管。凭借极低的开关损耗和导通损耗，H系列单管将成为光伏和储能应用的新星。其中，1200V H系列电流规格覆盖40A-140A，采用TO-247PLUS-4L封装的140A型号已实现规模化量产。相较于瑶芯微上一代1200V G2平台单管，G3平台H系列高速IGBT单管具有更好的表现，多颗大电流单管并联可以轻松实现100kW及以上逆变器。
图 11
2.650V/150A
650V H系列同样补全了大电流版图，100A至150A的强劲规格，搭配多样化的封装选择，从40A至150A全规格覆盖，满足不同场景下的精细需求。采用TO-247PLUS-4L封装的150A型号，凭借其卓越的电压抑制能力、极低的导通损耗及反向恢复损耗，为设计工程师提供了简化设计、减少器件并联的绝佳解决方案，让系统构建更加高效、灵活。
图 13
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本文由三年不鸣转载自瑶芯微电子公众号，原文标题为:展品抢先看！ | 瑶芯邀您共赴2024深圳PCIM Asia展览会，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
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解析IGBT在系统中的短路及其保护
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