为什么NAND Flash需要进行坏块管理而NOR Flash不需要？
NOR Flash和NAND Flash是两种不同类型的闪存技术，它们在存储单元的连接方式、耐用性、坏块管理等方面存在差异。
NOR Flash的存储单元是并联的，每个存储单元的字线和源线分别相连，这使得NOR Flash在读取速度上具有优势，适合用于执行代码的存储，如固件和操作系统的存储。NOR Flash的耐用性相对较低，通常每个单元块的擦写次数在十万次左右。NOR Flash通常在芯片设计时就包含了冗余比特，当某个存储单元失效时，可以用这些冗余比特进行替换，从而保证了存储的可靠性。
与此相反，NAND Flash的存储单元是串联的，每个存储单元的字线和源线首尾相接，这种设计使得NAND Flash在写入和擦除操作上更为高效，适合于大容量的数据存储。NAND Flash的耐用性较高，每个单元块的擦写次数可达到一百万次。然而，NAND Flash在生产过程中可能会产生坏块，这些坏块可能是由于物理损伤、电压不稳定、环境因素等造成的。NAND Flash的坏块管理机制包括初始化扫描、持续监控、错误校正码（ECC）的使用、磨损均衡等，以确保数据的安全性和存储设备的性能 。
所谓坏块，本身就是NAND Flash中的叫法，因为NAND Flash的最小擦除单位是block，当某个block因某个或某几个单元在进行擦除时报告了错误，那这一整个block将会被标记为坏块。而NOR Flash的最小擦除单位不一定是block，也可以是sector，同时NOR Flash的错误管理机制和NAND Flash不一样，没有标记一整个block为坏块之说，所以就认为NOR Flash不存在坏块。但是NOR Flash也会有概率出现错误的存储单元，只是不叫坏块罢了。
存储单元的错误有两类：一是出厂时的固有错误，这个只要是flash都会有；二是使用过程错误，这类NAND Flash出现的概率比NOR Flash要高。因为NAND阵列的存储单元是串联的，存储单元容易收到相邻单元的影响，而NOR阵列的存储单元是独立的，不容易收到相邻单元的干扰。
NAND Flash的坏块管理通常包括以下几个步骤：
1. 出厂时的坏块检测和标记。
2. 使用过程中，通过ECC等技术检测和修复数据错误，间接识别坏块。
3. 出现坏块时，使用备用块进行替换，并更新映射表以避免使用坏块。
4. 通过算法将写入操作均匀分布到存储器上，实现磨损均衡，延长使用寿命。
NOR Flash由于其并联的设计和较低的耐用性，通常被认为是没有坏块的，但实际上，NOR Flash也可能存在坏块，只是在内部已经通过冗余比特替换等方式进行了处理。
总的来说，NOR Flash不需要进行复杂的坏块管理，主要是因为其设计中已经包含了冗余比特来替换失效的存储单元，而NAND Flash由于其存储单元的串联设计和更高的耐用性要求，需要进行更为复杂的坏块管理来保证数据的完整性和存储设备的可靠性。
SD NAND的坏块管理机制
SD NAND（贴片式TF卡）是NAND Flash技术的一种实现形式，采用标准SDIO接口，它通过内置控制器和固件，提供了一种简单易用、高性能、高耐用性的存储解决方案，特别适用于对尺寸、功耗和集成度有特定要求的应用。
SD NAND产品通常内置了坏块管理机制，确保存储的可靠性和耐用性。如MK米客方德推出的SD NAND产品内部集成了先进的控制器，该控制器实现了一套高效的坏块管理机制。这套机制不仅提高了存储设备的可靠性和耐用性，而且通过智能算法优化了数据存储和访问速度，适用于多种应用场景，包括物联网设备、车载系统、工业控制系统和医疗设备等。
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产品型号
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品类
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Density（Mb、Gb、GB、TB）
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Speed（MT/s、Gbps、MHz）
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Memory
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Temp. Range (℃)
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Bus
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Interface
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Package
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Size (mm)
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FI4S26M016GSC3
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DDR4 DIMM
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16GB
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2666MT/s
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1.2V
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DDR4
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0℃ to 85℃
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64bits
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260pin
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SODIMM
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69.6 x 30mm
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选型表 - FORESEE 立即选型
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型号- 30V-050,YAZ1P5D47,25D301K,SMAJ6.0CA,SMAJ40CA,ESDLC24VD8B,3R075L-8X10,HLT9P04C,HLS150N30K,YAZ1P5D51,5.0SMDJ170A,P8SMB120CA,16V-110,15KP58A,SMD1206-351,YAZ1P5D3V3,ESDLC15VD3B,YAZ1P5D3V6,RS3BBF,YAZ1P5D56,5D361KJ,HLS135N100,P8SMB13CA,YAZ1P5D3V9,HLS80R1K5,SMDJ78CA,HLP9N90,ES2JBF,ESDLC8V0D3B,S2MB,1812 SERIES,PGB0603-05,YC2M2012B121GBE,YAZ1P5D62,Y1ZP35D43G,HLS80R1K1,10D560KJ,SMCJ14CA,5D121KJ,P8SMB60A,S2MF,YAZ1P5D68,HLT30P55,HLS70N40K,HLP9N80,30V-075,5.0SMDJ85A,PGB0603-12,SMCJ100CA,SMBJ300A,YAZ1P5D75,5KP30A,HLS55N100PF5,SMF120CA,SMBJ150CA,16V-135,SMDJ170A,SMAJ70A,33D-7,250V SERIES,HLP9N70,33D-5,PGB0603-24,HLT9P03C,SMDJ58A,33D-9,HLG3401A1N,32D122K,SA48CA,SMCJ30A,YAZ1P5D82,ESD12VAP,HLP2P06C,10D-11,HLP14N80,SA180A,10D-13,10D-15,15KP54A,20D781KH,20D781KJ,15KP120CA,YAZ1P5D91,SA22CA,P6KE8.2CA,SMAJ100A,16V-160,5.0SMDJ170CA,SA110CA,HLS60200K,ESD12VD3,HLT30P10,SMDJ54A,10D680KJ,SMD1210-150-6V,SMDJ160CA,3KP14CA,SMBJ400CA,5KP SERIES,SMF36CA,ESD24VAP,ESD12VD8,ESD12VD5,7D220KJ,P6SMB51CA,ESD12VD9,10D K SERIES,HLT30P06,1.0SMB22CA,SMCJ220CA,32D561K,2R230S-6X4.2,HLT30P03,HLS187N80,5D241KJ,SMD1206-075-16V,SMD2920-200-16V,1.5KE51A,7D781K,HLS170N30PF5,P6SMB,HLS60R580,SA70CA,1.5KE36CA,5D121K,LC SERIES,DA SERIES,5KP36A,P6SMB16A,SMAJ18CA,SM8,SA17CA,1.5KE170CA,SMD1812-351,25D122K,5KP90CA,S SERIES,P0080TA,SMF,SMDJ51A,3KP45CA,P6SMB15A,ESD3V0J4,3R230S-6X8,3KP58CA,HLP38N30,10D471KH,25D561K,1.5KE56A,ESD8V0D5B,US2B,US2A,10D471KJ,US2K,HLS12N100C,US2J,30V-900,US2G,SA5.0CA,US2D,HLP4P20,RS2AB,20D911KH,YAZ1P5D XXX,HLR08U02,20D911KJ,RS2AF,5KP24CA,US2M,P6SMB16CA,HLP110P06,SMBJ90A,10D-20,SMF64A,US1B,US1A,SMBJ12CA,2R***L-5.5X6 SERIES,US1J,P6SMB13A,US1G,US1D,US1M,ESDLC24VD3B,US1K,SMBJ5.0A,HLT6N06,30V-090,SMD2920-100-33V,ESD8V0D3B,HLS20100N2,5D561K,1.0SMB6.8A,Y1ZD9V1,HLS120R800,P6SMB12A,YC2M2012B,20D220K,P8SMB75CA,YAZ1P5D10,32D911K,YAZ1P5D16,YAZ1P5D15,YAZ1P5D18,YAZ1P5D12,YAZ1P5D11,P6KE180CA,YAZ1P5D13,Y3ZP2D5V6,Y5ZP2D XXX,P6SMB10A,P6SMB11A,HLR75S12,Y3ZP2D5V1,MF58-203F-3950,25D SERIES,P8SMB64A,YAZ1P5D20,HLP75N08,P6SMB100CA,YAZ1P5D27,5.0SMDJ78CA,SMD0603-003-30V,YAZ1P5D22,20D,YAZ1P5D24,Y3ZP2DXXX,10D101K,1.5KE10CA,YAZ1P5D30,7D471K,YAZ1P5D39,SMF60A,YAZ1P5D33,25D431K,YAZ1P5D36,5D820KJ,5D560K,P6KE27CA,5KP33A,P6SMB82CA,10D102K,14D911K,20D221K,YAZ1P5D43,7D470K,5KP11CA,HLR12U12,YAZ2D8V2,20D470KJ,P6SMB47CA,RS2GB,20D K系列,HLT60N03,HLT60N02,HLS60150K,MF52A-104F-3950,1.5KE540A,HLT60N08,RS2GF,HLT60N04,SMDJ200CA,HLT60N06,16V-1000,SMF70A,SMDJ190CA,3KP64A,HLR12U06,HLR12U04,HLR12U02,10D112K,SMAJ48CA,SMBJ43CA,10D680K,HLT60N10,14D561K,1.0SMB9.1A,HLS247N120Q,1N4001W,S3AF,S3AC,SMCJ7.5A,SMAJ400A,S3AB,600V-110,60V-300,SMF19CA,ES3DBF,SA90A,34S471K,10D241K,SMD1206-075-6V,SMBJ18A,MF52A-303J-4200,HLP840,14D431K,HLT4P06,P8SMB SERIES,25D,1N4002W,MF52A-104H-4100,SMAJ300CA,P6KE220CA,SA40CA,25D911K,HLP830,YC2M2012B161GBE,1N4003W,3KP9.0CA,1.5KE510CA,SMD1812-421,MF52A-302J-3950,HLT5N04A1N,SMD1210-035-16V,Y3ZP2D18,14D681KH,P6KE100CA,2R300S-8X6,SMBJ16A,MF52A-103F-3380,HLS145NH80PF5,14D KJ 系列,Y5ZP2D XXX SERIES,SMBJ30CA,P6SMB SERIES,5KP28A,14D681KJ,S3DB,Y3ZP2D10,S3DC,Y3ZP2D12,HL78MXX,Y3ZP2D11,Y3ZP2D14,Y3ZP2D13,Y3ZP2D16,0603,Y3ZP2D15,YAZ1DXXX SERIES,14D112KJ,S3BF,HLT4P10,1N4004W,SMF110A,S3BB,S3BC,SMD1210-200-6V,60V-375,SMAJ8.5CA,SMAJ180A,HLP12P06,SMBJ17A,SMF85CA,RS2BB,SMBJ120CA,14D121K,14D112KH,RS2BF,14D561KJ,5KP8.0A,1N4005W,14D561KH,5KP250A,3KP75CA,SMD1812-401,Y3ZP2D39,SMBJ14A,HLR24U12,P6SMB18A,7D621KH,SMDJ16CA,7D621KJ,14D560K,600V-160,Y3ZP2D33,Y3ZP2D36,SMBJ130A,S3DF,RS2DB,1N4006W,ES2ABF,Y3ZP2D30,RS3KBF,5KP120CA,SA100A,SMBJ15A,SMAJ170CA,2R400L-8X6,RS2DF,Y3ZP2D20,Y3ZP2D22,600V-150,Y3ZP2D24,Y3ZP2D27,Y1ZP35D7V5G,YC2M 2012B SERIES,100D-9,1N4007W,YAZ1D6V2,ESD24VD8,HLP9N20,SMBJ12A,SMAJ6.0A,ESD24VD3,P6KE62CA,ESD24VD5,YAZ1D6V8,20D511KH,20D511KJ,SA7.5CA,ESD36VD3,5.0SMDJ78A,SMCJ7.0A,SMDJ51CA,HLG2301BA1N,5.0SMDJ48CA,Y5ZP2D3V9,Y5ZP2D3V3,ES5JC,Y5ZP2D3V6,SMBJ13A,15KP51A,Y5ZP2D3V0,S3GF,P6KE75A,S3GC,S3GB,10D201KJ,SMCJ150A,30V-110,HLS18N200K,SMD1812-200-16V,3R075L-6X8,SA6.0A,S3JF,5KP8.5A,SMAJ78A,S3JB,YAZ2D110,S3JC,ESDSMDA15C,HLP14N10,ESD36VAP,US3ABF,5KP120A,30V-120,SMBJ10A,SMD1210-075-6V,SMBJ11A,SMAJ22CA,7D180KJ,5D330KJ,SMCJ6.5CA,HLS2045N2,2R***S-8X6,YAZ2D100,SMAJ75A,SMCJ36A,RS2KB,SMDJ210A,SA190CA,15KP75CA,RS2KF,7D K SERIES,5.0SMDJ75A,P0300DA,ES5GC,SMF54CA,YAZ2D130,1.5KE100A,3R600L-6X8,P6SMB170A,HLS16N100C,SMCJ45CA,3KP60A,US5GBF,RS2JB,15KP240CA,HLT40P03PF5,RS2JF,HLT40P03PF4,P6KE75CA,S3KB,HLT9P01C,YAZ2D120,S3KF,S3KC,SMAJ6.5A,SMBJ440A,Y1ZP35D47G,RS2MF,7D K,SMCJ58CA,HLT20N10,HLS20150K,SMDJ7.5CA,SMD1206-301,RS2MB,MF52□□□4300,5.0SMDJ17CA,1.5KE18CA,ESD3V3APB,14D201KJ,3R200S-5X7.6,5KP60CA,HLT15N03C,5.0SMDJ70CA,YAZ2D150,HLT20N06,HLS90N60PF5,SMCJ33A,7D K系列,HLT30ND03PF4,20D751KJ,20D751KH,SMD1206-050-24V,YC2M1012B121FBP,3R470L-6X8,L SERIES,20D K SERIES,S3MC,S3MB,ES5DC,HLT20N15,HLS250N80,YAZ2D140,14D301K,SA6.5A,S3MF,5.0SMDJ33CA,P0640S,SA36CA,SMBJ,HLS90N30PF5,SMDJ20CA,SMF6.0A,HLR30U03,HLS130N85,LB SERIES,HLR30U02,HLR30U04,3D-13,RS1G,HLR30U06,RS1D,7D681KJ,3D-11,ESDLC5V0D8B,RS1B,YAZ2D170,20D361K,SMD1210-020-30V,HLS8060K,RS1A,P8S
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瀚海微：从容量到速度，SD NAND技术的领航者
在数字化浪潮的推动下，数据存储需求呈现出爆炸性增长的趋势。从高清视频、大型游戏到物联网设备，无一不在考验着存储技术的极限。在这一背景下，瀚海微公司凭借其创新的SD NAND技术，成功引领了TF卡与SD卡的全面升级，不仅在容量上实现了质的飞跃，更在速度上树立了新的标杆。
应用方案 发布时间 : 2024-09-15
复旦微电子（FMSH）MCU/RFID读写器/读卡器IC/串行EEPROM芯片/SPI NOR Flash/SPI NAND Flash闪存选型指南（英文）
描述- Founded in July 1998, Shanghai Fudan Microelectronics Group Co., Ltd (hereinafter：FMSH) was jointly initiated by Fudan University's State Key Laboratory of Application-Specific Integrated Circuits and Systems and Shanghai Commercial Investment Corporation.
型号- FM3312,FM33LC045N,FM3313,FM25LG,FM33LC025N,FM3316,FM15160,FM25FXX SERIES,FM25LQ,FM33LG0XX SERIES,FM25FXX,FM25Q SERIES,FM25LG SERIES,FM33LC046N,FM33LC026N,FM33L015,FM33L013,FM33G042,FM33L012,FM33G043,FM24CXX,FM38025T,FM33LG023,FM17XX,FM33LG022,FM15XX,FM33LG028,FM3312T,FM33LG025,FM25QXX,FM17XX SERIES,FM33LG026,FM33G0XX,FM33G045,FM25Q,FM33G046,FM33L016,FM33G048,FM33A068,FM33L022,FM33LC023N,FM25F,FM17520,FM33L026,FM33L025,FM33LC043N,FM33L023,FM17522,FM3316 SERIES,FM33A0XX SERIES,FM3313 SERIES,FM3312 SERIES,FM33LC046U,FM33A0410,FM33A0610,FM15XX SERIES,FM151M,FM25F SERIES,FM24CXX SERIES,FM320X,FM17550,FM33LG043,FM33LG042,FM33LG045,FM33LG0XX,FM33A045,FM33A042,FM320X SERIES,FM33LG046,FM25QXX SERIES,FM33LC0XX,FM33G0XX SERIES,FM33LG048,FM33LC0XX SERIES,FM33G022,FM33G023,FM33G025,FM33G026,FM33A048,FM33G028,FM33LC043U
ALLIANCE FLASH选型表
提供存储芯片、EMMC、NAND FLASH、NOR FLASH选型，容量8Mb-16GB,工作温度-40 ~ 85°C。
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产品型号
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品类
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DENSITY(GB、Mb)
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ORGANISATION
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VCC(V)
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TEMPERATURE RANGE(°C)
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PACKAGE
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NCNR
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MOQ
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VCCQ(V)
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ASFC4G31M-51BIN
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FLASH
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4GB
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32Gbx1 NAND
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3V
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Industrial (-45 + 85°C)
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153ball FBGA(11.5x13mm)
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NO
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160
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1.8V, 3.3V
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选型表 - ALLIANCE 立即选型
MK米客方德推出业界首颗SLC型SD NAND，功耗与性能的最优解
MK米客方德于2015年推出了业界首颗SLC型SD NAND Flash产品，旨在解决市场上Micro SD卡存储容量两极分化和品质不一的问题。SD NAND相比Micro SD卡，具有更小的体积，更高的稳定性和可靠性，并在功耗与性能之间达到最优化。
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MK-米客方德存储卡选型表
MK-米客方德提供以下技术参数的存储卡选型，其中包含品类SD NAND FLASH、Micro SD Card、SD Card、eMMC，存储容量：128MB~128GB
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产品型号
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品类
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存储容量
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Flash类型
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工作温度
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时钟频率(fc)
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工作电压
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待机电流
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接口类型
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等级认证标准
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湿敏等级
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应用等级
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MKDV1GIL-AST
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SD NAND FLASH
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1Gbit
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SLC
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-40℃~+85℃
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50MHz
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2.7V~3.6V
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200uA
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SD2.0
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ROHS
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LeveI3
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工业级
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选型表 - MK-米客方德 立即选型
【应用】国产NOR FLASH BY25Q128ASSIG(R)保障工业电柜控制系统的数据不会丢失
某用户设计中需要外置一颗128M的NOR Flash，用于在掉电、故障等情况下，保证控制系统的数据不会丢失，避免生产过程中的停机和损失。SPI通信，要求数据保留时间可以达到10年以上。针对用户需求，可以推荐博雅科技的BY25Q128ASSIG(R)，供电电压2.7~3.6V，符合大部分用户设计3.3V电压的设计要求；208mil SOP8小封装节省布板空间，方便用户设计。
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瀚海微 SD NAND在嵌入式领域的优势
瀚海微SD NAND在嵌入式领域展现出显著优势，它具有高性能、低功耗、大容量和可靠性强等特点，满足了嵌入式系统对存储的多样化需求，其独特的架构设计和先进的制造工艺使其在读写速度、寿命和稳定性方面表现出色。此外，瀚海微SD NAND还提供了灵活的接口和丰富的功能，便于系统集成和应用开发。
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支持1拖1/1拖8/eMMC离线烧录，可烧录IC类型：UFS/UMCP/MCU/MPU/EPROM/EEPROM/FLASH/Nand Flash/PLD/CPLD/SD Card/TF Card/ CF Card/eMMC Card/eMMC/eMCP/MoviNand/OneNand等；IC包装Tray/Tube/Tape；提供免费10pcs样品试样。
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可烧录MCU/MPU，EPROM,EEPROM,FLASH,Nand Flash, PLD/CPLD,SD Card,TF Card, CF Card,eMMC Card,eMMC,MoviNand, OneNand等各类型IC,IC封装：DIP/SDIP/SOP/MSOP/QSOP/SSOP/TSOP/TSSOP/PLCC/QFP/QFN/MLP/MLF/BGA/CSP/SOT/DFN.
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