喜讯——新一代16nm车规级NAND Flash存储芯片顺利流片

时间： 2024-08-05 来源：南京扬贺扬微电子科技有限公司公众号

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16nm NAND Flash存储芯片,3D NOR Flash芯片,新一代16nm车规级NAND Flash存储芯片,车规级芯片

近日，江苏扬贺扬微电子科技有限公司(以下简称扬贺扬)自主研发设计的新一代16nm NAND Flash存储芯片顺利流片，产品性能可靠性达到车规级水平，具备高达10万次的擦写周期，在-40℃至125℃的工况温度下性能稳定，使用寿命长达20年。

技术首创

扬贺扬自主研发设计的新一代16nm NAND Flash存储芯片创新性地采用集中控制技术，首次在同一块芯片上集中控制NAND Flash和NOR Flash，从而达到了使得同一块SPI芯片可以同时具有NAND和NOR功能的效果，使得客户使用的控制芯片可以不再区分NOR与NAND的产品，减少在数字逻辑单元忙碌时，I/O单元向数字逻辑单元发送外部指令的可能性，进而降低因数字逻辑单元无法接收外部指令导致外部指令丢失的可能性。

技术优势

相比较3D NOR Flash芯片，扬贺扬自研的16nm NAND Flash芯片体积较小，生产工艺难度较低，更具成本优势。

同时，扬贺扬自研的增强型ECC功能模块技术，基于先进的纠错算法，ECC纠错能力提升至96位，在更短的时间能够内纠正更多的错误，从而提高数据传输的可靠性。并且支持更大的纠错容量，在更大的数据块中检测和纠正错误，从而更好地保护数据存储的完整性。

应用前景

随着智能网联车技术的迅速发展，对车规级芯片的需求量日益剧增，16nm芯片拥有比较成熟的制程工艺，性能、功耗、面积等指标优良。因此实现16nm芯片完全自主可控，不仅可以解决我国在智能网联车关键技术领域“卡脖子”难题，而且将切实保障国内市场需求，为国内汽车制造业注入强大支持。

新一代16nm NAND Flash存储芯片顺利流片是公司长期高度重视产品自主研发创新的结果，公司创建之初，就成立了技术研发中心，建立完善的科研工作管理体系，定期引入知名外国专家，积极对接高校开展产学研合作，为公司的技术创新奠定了坚实的基础。

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型号- BAS70-Q1,1N4148W-Q1,BZT52CXX-Q1,SMBJ-Q1,SM8S SERIES,MMBT3906-Q1,SMAJ-Q1,SS24-B-Q1,SMCJ-Q1,MMBT5401-Q1,SM8S,BAT54C-Q1,MMBT3904-Q1,GBJ5006-Q1,S1M-A-Q1,SS36-C-Q1,S2M-B-Q1,BAT54S-Q1,SM3-C-Q1,BAS16WS-Q1,SS110-A-Q1,BAS21-Q1,BAT54A-Q1,GBJ3512-Q1,SM24C-Q1,SS310-C-Q1,GBJ3510-Q1,SM8SXXA-Q1,RB521S-30-Q1,GBJ3506-Q1,GBJ5010-Q1,SS34-C-Q1,GBJ5012-Q1,BZT52BXX-Q1,BAV99-Q1,MMBT5551-Q1,BAV70-Q1

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