新洁能Gen.4超结MOSFET 500V产品系列，具有损耗低、可靠性高等性能优势
引言
NCE新洁能Gen.4超结MOSFET（Super Junction MOSFET IV）在原有超结MOSFET技术的基础上，通过进一步技术升级，提升器件的结构密度，进一步降低特征导通电阻，提升器件的功率密度，在相同体积下可以大幅提升器件电流能力。同时，器件加入了开关特性优化设计，可以为系统EMC设计提供更大的余量。此外，该系列产品优化了器件的抗静电能力，提升了整机装配和应用过程中的可靠性。
新洁能Gen.4超结MOSFET涵盖500V、600V、650V、700V、800V、950V等多个电压平台，本次新洁能重点介绍的是500V产品系列。500V产品系列涵盖导通电阻从110mohm至2200mohm多个产品规格。500V电压平台还开发了具有快速恢复体二极管特性的F系列产品，该系列产品通过优化体二极管特性，减小反向恢复电荷和反向恢复时间，提升了体二极管反向恢复速度。在LLC等桥式电路中具有损耗低、可靠性高的性能优势。
Gen.4超结MOSFET 500V小电流产品可以用于非隔离照明电源等，也可以用于LLC谐振电路中，替代以往的600V产品，更具成本优势。此外，500V产品由于具备更低的特征导通电阻，所以可以封装进更小的封装体积。比如可以在TO-252中封装导通电阻典型值110mohm的产品。
参数亮点
产品特色
1. 更多封装外形；
2. Tjmax提升到175℃
3. 同规格最优的FOM
4. 电流规格齐全
5. 高可靠性
应用领域
1. 照明
2. LLC电源
3. TV
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