TÜV莱茵向瑶芯微颁发ISO 26262功能安全管理体系认证证书

时间： 2024-08-08 来源：瑶芯微电子公众号

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近日，独立第三方检测、检验和认证机构德国莱茵TÜV集团（以下简称“TÜV莱茵”）正式向瑶芯微电子科技（上海）有限公司（以下简称“瑶芯微”）颁发ISO 26262 功能安全管理体系ASIL D认证证书，标志着瑶芯微已成功建立ISO 26262功能安全管理体系，符合功能安全最高等级“ASIL D”的要求。

颁证仪式在瑶芯微上海总部举行, 瑶芯微最高管理者代表郑召星先生、瑶芯微质量和研发部门的相关负责人，TÜV莱茵大中华区工业服务与信息安全副总经理杨家玥女士等双方代表出席了此次仪式。

瑶芯微最高管理者代表郑召星先生表示：“本次通过TÜV莱茵功能安全最高等级ASIL D管理体系流程认证，充分体现了瑶芯微在汽车电子功能安全产品开发方面的决心和能力。瑶芯微作为一家国内领先的集成电路设计企业，近年来持续加大研发投入、加强管理体系与能力建设，为客户提供更高质量、更有竞争力的产品与解决方案。汽车电子是瑶芯微重点投入的领域之一，经过多年的投入和发展，公司汽车电子业务持续健康发展，产品门类丰富，应用覆盖面广。汽车电子领域对于公司的产品和管理体系与能力都有着更加严格和全面的要求。瑶芯微通过ISO 26262功能安全管理体系的建立与实施，能够为不同等级要求的汽车电子产品，系统性地开展规划、设计、开发、验证等方面的全流程管理，这是瑶芯微研发管理体系与能力建设的一个重要里程碑。未来，瑶芯微还将持续加强产品开发管理体系与能力的构建和完善，扎扎实实把产品做好，不断为客户创造价值。”

TÜV莱茵大中华区工业服务与信息安全副总经理杨家玥女士表示：“在汽车行业迅速发展的今天，安全已成为保障驾乘人员生命与财产安全的关键要素。TÜV莱茵秉承着一直以来对安全的理解，以专业、严谨、客观的态度，为瑶芯微提供优质服务。多年来，TÜV莱茵在功能安全和信息安全领域，我们潜心培养了众多专家团队，积累了深厚的项目经验。未来，也将继续携专家团队，为瑶芯微更多的产品功能安全提供专业的一站式优质服务与技术保障，进一步增强瑶芯微在国内外市场上的产品综合竞争力，衷心希望双方未来有更多合作的领域和空间。”

ISO 26262是全球公认的汽车功能安全标准，该标准涵盖功能安全需求规划、设计、实施、集成、验证、确认、配置等方面，旨在通过完善的开发流程，将汽车电气或电子系统故障的风险降到最低，并于2018年12月正式发布了最新版本。目前，ISO 26262功能安全认证已成为电子零部件供应商进入汽车行业的准入门槛之一。

关于瑶芯微

瑶芯微电子科技（上海）有限公司总部位于上海张江，主要致力于功率器件、智能传感器和信号链IC的设计、研发和销售，主营产品为功率器件（中低压Trench MOS以及SGT MOS，高压SJ超结MOS，IGBT，FRD，SiC MOS和SiC二极管）和MEMS传感器以及信号链IC。主要应用领域为：消费类和工业类以及车载的功率器件应用（比如手机快充，工业开关电源，光伏储能逆变器，车载OBC，主驱逆变，各类工业/车载电机和BMS应用）以及消费类电子市场、医疗与工控领域的MEMS传感器产品和信号链IC，具备自有知识产权、可国产替代的高可靠性和高性价比。

关于TÜV莱茵

德国莱茵TÜV集团成立于1872年，是国际领先的检测、检验、认证、培训、咨询服务提供商，拥有2万多名专家员工，服务网络遍布全球，致力于推动人员、技术、环境实现安全、可靠、高效的互动。

TÜV莱茵的功能安全及网络安全专家，均为研发出身，凭借在安全系统领域的多年研发经验，对标准的精确理解以及多年认证经验，获得了行业内的高度肯定和信任。TÜV莱茵是最早在中国开展网络安全和功能安全业务的国际第三方认证机构之一，作为核心编委会成员参与了标准制定。

TÜV莱茵一直是汽车检测认证领域的领导者，可为整车厂和零部件供应商提供一站式解决方案。在汽车功能安全和网络安全领域，TÜV莱茵提供的服务涵盖ISO/SAE 21434、ISO 26262、Automotive SPICE、GDPR，渗透测试等，满足企业“全面安全”的需要。

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瑶芯微 - HIGH-VOLTAGE MOSFET,SGT,原边开关管 SJ MOSFET,SIC场效应晶体管,次级同步整流 SGT MOSFET,SJMOS,高压MOSFET,SIC MOS,TRENCH FIELD STOP IGBT,IGBT,PFC 升压二极管,TRENCH MOSFET,SIC JBS,双通道低压MOSFET,功率器件,SGT MOSFET,低压先进MOSFET,次级输出 VBUS TRENCH MOSFET,初级开关管 SJ MOSFET,TRENCH,沟槽场截止IGBT,LOW-VOLTAGE ADVANCED MOSFET,FAST RECOVERY DIODE,LOW-VOLTAGE MOSFET,沟槽MOS管,SIC MOSFET,副边输出 VBUS TRENCH MOSFET,硅基MOSFET,低压 MOSFET,低压MOSFET,SI-BASE MOSFET,低压 SGT MOSFET,FRD,副边同步整流 SGT MOSFET,DUAL-CHANNEL LOW-VOLTAGE MOSFET,快恢复二极管,SJ MOSFET,SI 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2022/10/14 - 选型指南代理服务技术支持采购服务

直流无刷电机驱动电路MOSFET应用

由于无刷电机具有高扭矩、长寿命、低噪声等优点，已经在各领域中得到了广泛应用。其内部电子绕组可看作一个电感线圈。如图1所示内部结构及电流波形，通过不断改变定子绕组中的电流方向，从而改变电磁铁的磁性，使得电机连续旋转。因此需要设计一个驱动电路，改变定子绕组中的电流方向才能使得转子旋转，常用驱动电路为三相全桥逆变电路。

2024-08-19 - 设计经验代理服务技术支持采购服务

DIW030M060带反向二极管的中型快速开关IGBT

该资料详细介绍了DIW030M060型中速开关IGBT模块，包括其电气特性、机械数据、应用领域和特性。该模块适用于太阳能逆变器、PTC加热器和不间断电源（UPS）等应用，具有快速开关速度、短路保护和高可靠性等特点。

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2024-10-31 - 数据手册 - Version 2024-10-31 代理服务技术支持采购服务

瑶芯微（ALKAIDSEMI）致力于功率器件和智能传感器的设计、研发和销售，主营产品为功率器件、MEMS传感器以及匹配的信号处理芯片，提供了自有知识产权的高可靠性和高性价比的产品，作为各种交互入口的提供商，最终实现高中低端产品国产化全覆盖。

功率器件 MOSFET 快恢复二极管碳化硅MOS 碳化硅二极管 MEMS传感器

代理服务线上商城技术资料

解析IGBT在系统中的短路及其保护

IGBT是由MOSFET和BJT复合而成，具有小驱动功率、大电流、无二次击穿效应且易于并联的优势。然而，在一些特殊工况下发生过流或短路时，器件流过的电流为正常额定值的数倍，器件管芯结温迅速升高，进而导致器件损坏，因此外围电路或驱动必须快速判断并切断驱动信号。本文瑶芯微将解析IGBT在系统中的短路及其保护。

2024-10-22 - 技术探讨代理服务技术支持采购服务

【IC】ROHM开发出实现业界超低损耗和超高短路耐受能力的1200V IGBT

ROHM面向车载电动压缩机、HV加热器、工业设备用逆变器等应用，开发出符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101、1200V耐压、实现了业界超低损耗和超高短路耐受能力的第4代IGBT。此次发售的产品包括4款分立封装的产品（TO-247-4L和TO-247N各2款）和11款裸芯片产品“SG84xxWN”，预计未来将会进一步扩大产品阵容。

2024-11-22 - 产品代理服务技术支持采购服务

MASPOWER(麦思浦)IGBT/MOSFET/FRD模块/AC-DC电源转换器/IC选型指南

公司专注于电压800V—4700V超高压MOSFET细分领域系列化开发，解决客户缺芯问题，主要服务工业电源，光伏储能，仪器仪表，医疗电源，国网电力电源等行业。

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