无线充的EMC辐射问题分享
一、前言
随着用电设备对供电质量、安全性、可靠性、方便性、即时性、特殊场合、特殊地理环境等要求的不断提高，使得接触式电能传输方式越来越不能满足实际需要。
无线技术的发展，使得无线电功率的传输成为可能，无线充电器的研究与开发也将实现用户的要求。
二、原理分析
无线充的工作原理和变压器的工作原理很类似，充电器通电后，产生一个交变电流，交变电流使无线充内部的发射线圈产生一个交变磁场，当手机或者其它需要充电设备靠近这个交变磁场时，充电设备的接收线圈会感受到磁场，并且将电磁能量转化为电能，进行充电，前提条件是充电设备必须有接收线圈。
三、实际案例分享
下图为某个无线充在无线充电15W正常工作时的垂直方向和水平方向的测试数据。我们可以看到的是两个方向测试的结果差异不大，都是在30MHz~200MHz之间有一些包络超标。
通过噪声超标的频段推测噪声源头是主板的DCDC噪声和MOS管开关噪声，通过电源线束传输增强导致噪声超标。
根据推测，我们可以通过对噪声源头以及噪声路径进行整改，从而降低噪声。
1.在噪声源头DCDC的SW脚靠近芯片端接入RC吸收电路10Ω2.2nf；
2.MOS管产生噪声的原因是当MOSFET关断时，其DS之间的电压从0上升到Vds(off)，因此有很大的dV/dt，我们可以通过增大MOS管的驱动电阻来增长MOS管的关断时间，在开关时刻电压电流交叠时间就越大，造成的开关损耗就越大，从而达到dV/dt下降的结果。MOS管的驱动电阻有一个选取范围，通常是5Ω~100Ω之间，在这里我们将5Ω调成10Ω。
如上图所示，RL为驱动电阻位置，右边为方波输出
3.针对电源线束引出的噪声增强问题，在电源输入的正极和负极绕一个磁环，发现噪声有明显的改善，把磁环换成我们公司的大电流共模滤波器，根据封装和电流要求，所以选择了TLDCM7035-2-701TF的大电流共模滤波器。根据单极天线骚扰源公式：
E=12.6*10^-7fIL/r
E：电场强度（V/m）
f：电流的频率（MHz）
L：电缆的长度（m）
I：电流的强度（mA）
r：测试点到电流环路的距离（m)
我们通过减小噪声输出的天线长度来降低噪声。
在将共模电感设计进电路的时候，我们需要注意共模电感下的地层需要掏空，滤波电路的输入、输出之间要做好隔离，共模电感才能达到很好的滤波作用。（具体可以参考上图设计L3）。
如上图所示，我们可以看到在30MHz~200MHz之间有一些包络超标都有了明显的改善。
在PCB板设计时，我们可以根据环形天线骚扰源公式：
E=263*10-16f^2AI/r
E：辐射强度(V/m)
f：电流的频率(MHz)
A：电流的环路面积(cm2)
I：电流的强度(mA)
r：测试点到电流环路的距离(m)
对PCB板设计优化来减小噪声回路面积从而达到降低噪声的目的，在设计电路时，我们尽可能的将电容和电感往DCDC芯片靠近。我们还可以在PCB板背面覆铜到地，这样会有更好地散热和也能降低噪声，最好使用多层板。
四、总结
无线充是最近几年才开始流行并且广泛使用的，所以关于无线充的其它一些EMC问题还是比较少遇到，当我们遇到这些问题时，依然是遵从干扰源——耦合路径——干扰敏感源这三方面去分析并且解决问题。
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目录- Company Profile SMT type Power Inductor DIP type Power Inductor RF Coil type EMI/EMC type Toroids type Other Special type PACKAGING/TAPE AND REEL SPECIFICATION IN BAG PAKEAGE PAKEAGE OVERVIEW
型号- SMTDRS 0745,SNR5040-470□,SMTPQ,BDE3D15-3R3N,4W1008,SMTDRRI73-150M,SMTDRS 0730,SMTDRRI4D18-150N,SMTDRS 0732,SMTDRRI74-220M,TC-1R0M-10A-3818,SMTDRRI74P-102□-4P,UPIB1205-100M-C,TBKM-680M-2A-4426,LHP322512-6R8M,LFT2513,TC-200M-3A-5026,BRI3D18-270M,4W1010,SMTDRS 0728,SMTDRRI74P-181□-4P,SMTDR54-680K,FS1012-183K,BDE,SMTDRRI73-151M,SMTDRRI129-100N,1R2N,SMTDRH103R-680N,BDR,BDE3D15,BDE3D18,WBRID-237555-H7S-TF8,SMB-201209-E2-121A,FC1025-500N-5A,SMD5650V–2R2□,SMD5650V–332□,BDE3D12,FS1012-182K,SMDCHGR1008F-33N□,FS1012-184K,EC0410-4R7K,MF0709 SERIES,1010,HPI0410-R47M,100M,100L,1008,1005,SMD3225V-680□,TC-1R2M-25A-6053,1004,SNR5040,SMD5650V–331□,HPI0402-3R3M,SMTLF,LHP322520,UPIF0804-3R3M,TC-560M-0.5A-3726,LFTB1608,HPI0515-R68M,BDE2D12-3R3N,SMD3225VP-220□,UPIF1704-330M,SMTDRRI6D28-470N,101M,ET24-453U-0.5A,SMTDR32-181K,EC24-470K,101L,101K,UPIB 0804,252010P,1018,SMTDRS 1255 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可定制共模扼流圈、DIP功率扼流圈、大电流扼流圈、环形扼流圈/线圈等产品，耐温范围-40℃~125℃，电感量最高1200mH。
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可定制电感可承受4.5KV高压，可适配于30MHz高频应用；支持平共模电感、谐振电感、PFC电感、大电流直流电感等产品电压/频率等参数性能定制；通过AECQ-200认证。
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