提升汽车EPS系统电机驱动性能，屏蔽栅沟槽MOSFET AKG4N018GM-A是可靠选择

时间： 2024-08-15 来源：世强

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N-channel SGT MOSFET,屏蔽栅沟槽MOSFET,N沟道SGT MOSFET,AKG4N018GM-A

前言

在EPS系统中，电机驱动电路通常采用功率MOSFET来控制直流电机的运行，传统的平面栅MOSFET在汽车EPS系统中的使用已经相当普遍。然而，由于汽车性能在不断提高，平面栅MOSFET逐渐暴露出一些缺点，如较高的Rds(on)导致功耗增加，较差的散热性能可能导致电机过热等问题。相比之下，屏蔽栅沟槽MOSFET具有低导通电阻、高电流能力、良好的热性能，在汽车EPS系统电机驱动中得到了广泛应用。

为解决此类需求，瑶芯推出多款满足EPS系统电机驱动电路的屏蔽栅沟槽MOSFET，满足汽车各个部位的使用要求。本文给大家介绍的是AKG4N018GM-A，该产品是一款漏源电压40V的N沟道SGT MOSFET，具有1.85mΩ的超低导通电阻，最大连续漏极电流161A，专为高效率电源管理设计。符合AEC-Q101认证，RoHS合规，无卤素。适用于电池管理系统、电机驱动器和DC-DC转换器。

低导通电阻，高效率动力传递

AKG4N018GM-A 屏蔽栅沟槽MOSFET具备1.85mΩ的极低导通电阻（Ros(ON)），这一参数特性可以很好地降低EPS系统的电机驱动在高电流工作条件下，关键部位的功率损耗，提升系统整体的能效比，还可以在更低的能耗下提供更大的辅助能量，进一步优化电动汽车的续航里程。

快速响应，精准控制

该屏蔽栅沟槽MOSFET的导通延迟时间（td(on)）和关闭延迟时间（td(off)）分别为13ns和22ns，如此快速的开关特性，不仅确保了电机驱动器能够迅速响应驾驶员的转向指令，还能够在高速行驶或紧急避让等情况下，实现精准的转向辅助。

优越的热性能，保障持续稳定运行

而屏蔽栅沟槽MOSFET AKG4N018GM-A的热特性同样出色，结到外壳的热阻（RθJC）为1.7°C/W，结到环境的热阻（RθJA）为45°C/W，这样的低热阻特性有助于在高负载条件下的快速散热，保持屏蔽栅沟槽MOSFET 的稳定运行，避免因过热导致的性能下降或损坏。

符合汽车行业标准，确保可靠性

屏蔽栅沟槽MOSFET AKG4N018GM-A通过了汽车电子元件的严格质量标准AEC-Q101认证，这些认证包括了对屏蔽栅沟槽MOSFET在极端温度、湿度和机械冲击等条件下的测试，确保了其在恶劣环境下仍能保证汽车的可靠性和耐用性。

AKG4N018GM-A屏蔽栅沟槽MOSFET以其低导通电阻、快速响应、优越的热性能和符合汽车行业标准的可靠性，为汽车EPS系统电机驱动提供了一个高性能的解决方案。选择AKG4N018GM-A，不仅能够提升EPS系统的性能，还能确保汽车关键部位长期稳定运行，满足汽车行业对高效、高可靠性的追求。

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