拆解案例分享 |真茂佳ZMA230P06D汽车级功率MOSFET在比亚迪仰望U8大灯中的应用

时间： 2024-08-12 来源：真茂佳半导体公众号

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拆解分析

在车灯研究院最新一期的拆解推文中，作者对比亚迪豪华车仰望 U8 进行车灯拆解，发现这款车型的交互灯PCBA使用了真茂佳的 ZMA230P06D芯片。

芯片特性

真茂佳ZMA230P06D MOSFET采用先进的Trench工艺，具有简化驱动电路，导通阻抗低，浪涌能力强等特点，在车灯应用里边主要用于高边开关和防反。因此在汽车车灯行业中有着广泛的应用案例。

真茂佳产品系列

1 MOSFET

真茂佳汽车级功率MOSFET主要包含RobustFET^TM，SpeedFET^TM和BPFET^TM三大系列，击穿电压涵盖-100V~200V，具有高可靠性及出色性能，内阻最低达到0.4mΩ，其低导通电阻和针对应用而优化的动态参数带来损耗小、效率高，低EMI等优点，目前已有超过20多种封装形式，200多款车规产品，主要应用于热管理 (引擎冷却风扇 & 水泵 & 油泵)，传统动力系统，底盘 (EPS & i-Boost & ESC & One-Box)，电动化 (逆变器 & DC-DC & OBC)，车身电子，网联化(T-box等)，智能驾驶&智能座舱等，真茂佳通过器件结构创新和工艺开发，提升功率密度和封装小型化，节省系统空间，增强散热能力，提高器件可靠性。

2 SiC MOSFET

真茂佳同样专注于高性能第三代功率半导体技术，并开发出可靠、稳健的 SiC 供应链，为国内电源，动力驱动及能源转换行业提供从分立器件到模组级解决方案。主打产品为SiC MOSFET，产品电压涵盖 650V~3300V，电阻涵盖15mΩ~1.5Ω，现已量产;1700~3300V产品在验证阶段;2000V 产品预计在2024年Q4推向市场。真茂佳半导体公司完全按照高标准技术和工艺要求生产SiC产品，使其具有优异的FOM特性和高可靠性，产品除了车用也适用于工业及新能源行业的充电桩，光伏逆变器，储能逆变器，工业电机驱动和高性能辅助电源等应用场景。

3 IGBT

真茂佳有IGBT 芯片、成品及模块等，已量产产品电压通盞650V-1200V，其VCESAT典型值为157V和 1.67V;1700V-3000V产品在验证阶段;1700V产品预计在2024年Q4推向市场,真茂佳 IGBT产品具有超低饱和压降、超低的动态损耗、更优的折中曲线及高达 200A/cm2的电流密度等优点，真茂佳根据不同应用及市场需求开发了系列产品:H系列(高频}、T系列(最佳性能+低损耗)、S系列等,为客户提供高质解决方案。

4 GaN-HEMT

真茂佳的GaN主要开发650V, 100V~200V电压的产品。产品将会应用在开关电源，快充，DC/DC转换OBC等领域。真茂佳立志为广大客户提供高易用性，高可靠性，高鲁棒性和高功率密度的GaN产品，解决客户在实际应用中遇到的问题。

5 高边开关

高边开关是面向汽车和工业应用创新型产品系列，与分立式解决方案相比，本产品拥有更简单的控制方案，同时提供诊断功能和保护功能，并具备更高的可靠性。真茂佳的高边开关主要应用于12V平台，导通内阻4-120mΩ，集成了强大的保护功能，包括短路或过载电流限制保护、过温保护及过压保护。此外产品还具备诊断功能，用于指示电路的运行情况，并根据客户需求提供多种封装方案，为客户提供更节能、便捷、高效、稳定的应用方案。

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