拆解案例分享 |真茂佳ZMA230P06D汽车级功率MOSFET在比亚迪仰望U8大灯中的应用
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拆解分析
在车灯研究院最新一期的拆解推文中,作者对比亚迪豪华车仰望 U8 进行车灯拆解,发现这款车型的交互灯PCBA使用了真茂佳的 ZMA230P06D芯片。
芯片特性
真茂佳ZMA230P06D MOSFET采用先进的Trench工艺,具有简化驱动电路,导通阻抗低,浪涌能力强等特点,在车灯应用里边主要用于高边开关和防反。因此在汽车车灯行业中有着广泛的应用案例。
真茂佳产品系列
1 MOSFET
真茂佳汽车级功率MOSFET主要包含RobustFETTM,SpeedFETTM和BPFETTM三大系列,击穿电压涵盖-100V~200V,具有高可靠性及出色性能,内阻最低达到0.4mΩ,其低导通电阻和针对应用而优化的动态参数带来损耗小、效率高,低EMI等优点,目前已有超过20多种封装形式,200多款车规产品,主要应用于热管理 (引擎冷却风扇 & 水泵 & 油泵),传统动力系统,底盘 (EPS & i-Boost & ESC & One-Box),电动化 (逆变器 & DC-DC & OBC),车身电子,网联化(T-box等),智能驾驶&智能座舱等,真茂佳通过器件结构创新和工艺开发,提升功率密度和封装小型化,节省系统空间,增强散热能力,提高器件可靠性。
真茂佳同样专注于高性能第三代功率半导体技术,并开发出可靠、稳健的 SiC 供应链,为国内电源,动力驱动及能源转换行业提供从分立器件到模组级解决方案。主打产品为SiC MOSFET,产品电压涵盖 650V~3300V,电阻涵盖15mΩ~1.5Ω,现已量产;1700~3300V产品在验证阶段;2000V 产品预计在2024年Q4推向市场。真茂佳半导体公司完全按照高标准技术和工艺要求生产SiC产品,使其具有优异的FOM特性和高可靠性,产品除了车用也适用于工业及新能源行业的充电桩,光伏逆变器,储能逆变器,工业电机驱动和高性能辅助电源等应用场景。
3 IGBT
真茂佳有IGBT 芯片、成品及模块等,已量产产品电压通盞650V-1200V,其VCESAT典型值为157V和 1.67V;1700V-3000V产品在验证阶段;1700V产品预计在2024年Q4推向市场,真茂佳 IGBT产品具有超低饱和压降、超低的动态损耗、更优的折中曲线及高达 200A/cm2的电流密度等优点,真茂佳根据不同应用及市场需求开发了系列产品:H系列(高频}、T系列(最佳性能+低损耗)、S系列等,为客户提供高质解决方案。
4 GaN-HEMT
真茂佳的GaN主要开发650V, 100V~200V电压的产品。产品将会应用在开关电源,快充,DC/DC转换OBC等领域。真茂佳立志为广大客户提供高易用性,高可靠性,高鲁棒性和高功率密度的GaN产品,解决客户在实际应用中遇到的问题。
5 高边开关
高边开关是面向汽车和工业应用创新型产品系列,与分立式解决方案相比,本产品拥有更简单的控制方案,同时提供诊断功能和保护功能,并具备更高的可靠性。真茂佳的高边开关主要应用于12V平台,导通内阻4-120mΩ,集成了强大的保护功能,包括短路或过载电流限制保护、过温保护及过压保护。此外产品还具备诊断功能,用于指示电路的运行情况,并根据客户需求提供多种封装方案,为客户提供更节能、便捷、高效、稳定的应用方案。
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本文由拾一转载自真茂佳半导体公众号,原文标题为:拆解案例分享 | 比亚迪仰望U8大灯,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
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真茂佳MOSFET选型表
真茂佳MOSFET,品类为power MOSFET和power speedFET,TO-252/DFN/TOLL等多种封装形式,VDSS Min(V):-30~150V,VGS(V):±20V,ID(A) Tc=25℃:-1.8~475A,PD(W) Tc=25℃:6~375W,Ciss(pF):275~10870pF,Coss(pF):33~9658pF,Crss(pF):3.7~854pF,Rg(Ω):1.2~9Ω,Qg(nC):7~185nC,Qgs(nC):1.5~51C,Qgd(nC):0.9~49nC,Operating Temperature(℃):-55~175℃
产品型号
|
品类
|
封装/外壳/尺寸
|
VDSS Min(V)
|
VGS(V)
|
ID(A) Tc=25℃
|
PD(W) Tc=25℃
|
Ciss(pF)
|
Coss(pF)
|
Crss(pF)
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Rg(Ω)
|
Qg(nC)
|
Qgs(nC)
|
Qgd(nC)
|
Operating Temperature(℃)
|
ZMA029P03D
|
power MOSFET
|
TO-252
|
-30V
|
±20V
|
-120A
|
107W
|
10870pF
|
1082pF
|
854pF
|
3Ω
|
184nC
|
37nC
|
23nC
|
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Galaxy 银河微电 IGBT产品介绍及市场应用
常州银河世纪微电子股份有限公司(Changzhou Galaxy Century Microelectronics Co., Ltd.)发布了一系列IGBT产品,包括单管和模块,适用于多种应用领域。产品线涵盖650V至1700V电压等级,包括工缝、逆变器、电机控制、光伏、储能、新能源汽车、充电桩、电池管理系统等。资料详细介绍了产品型号、技术参数、应用领域和性能对比。
银河微电子 - IGBT模块,IGBT芯片,工业和光伏组件,SGT MOS,INDUSTRIAL AND PV MODULES,MOS,HYBRID IGBT+SIC SBD,车用模组,屏蔽栅沟槽MOSFET,IGBT,混合IGBT+SIC SBD,IGBT单管,AUTOMOTIVE MODULE,PIM 模块,GM200HF120S4T1,GM200HF120S4F1A,GM50FFB120C1T1H,GM15P]120E1T3A,GM400HF120S4T1M,BL042N10TH,GKU40N65EH3,GM240TU120Q1F2,GKU25N120ET2,GKU50N65ET,GM40FFB120C1T1,GM400HF65S4T1A,GKU40N65,GM200SG65S1T1,GKU60N65DH5,GM450HF120C3T1M,GKB20N65,GKU50N65EH3,GKU40N120ET2-25C,GKU100N65DH5,GKU40N120ET2,GM150FFB120C2T1M,GM600HF65S4T1,GM300HF120S4T1M,GM450ML65Q2F2,GM25PJ120E2T3A,GKU40N120NH3-25C,GM10PJ120E1T3A,GM225TU120Q2T2H,GM100HF120S2F1B,GM75HF120S2F2,GM100PI120C2T1,GKU50N120CH3,GKY50N120,GM100HF120S2F1A,GKD06N65,GKU40N120NH3,GM35PJ120E2T3A,GM50PI120C1T3A,GKU15N120ET2,GM40PI120C1T3A,GKF20N65,GKU10N120T2,GM225TU120E2T2H,GKP20N65,GM40HF120S2F2A,GKU30N65,GKU60N65EH5,GM150HF120S4F2,GKU20N65,GKU75N65EH5,GKU40N120DT2,GM450ML65C1T2,GM600HF120C3T1M,变频器,电机控制,PFC,储能领域,新能源大巴,PTC公司,新能源车PTC,不间断电源,UPS,伺服,PTC加热器,DCDC,BMS电池管理系统,重卡,DCDC公司,交流焊机,便携式储能,壁挂式直流桩,家用电磁灶,逆变器,压缩机,热管理系统,新能源车空压泵,PTC,电机驱动领域,MAIN INVERTER主电机驱动器,直流充电桩,空调INVERTER,高频电源领域,数码发电机,空调,新能源车,空调压缩机,逆变电源,水泵,OBC,光伏领域,工缝,便携式逆变电源,商用电磁灶,高频电源,户储,储能,空压机,AUXILIARY INVERTER辅电机驱动器,电机驱动,HV-LV DCDC变换器,OBC 车载充电机,充电桩,便携式储能电源,IH电饭煲,光伏,变频微波炉,感应加热领域,工业电源,新能源汽车领域,全氟化碳,数码电焊机,新能源车空压机,商灶,光伏逆变器,焊机
芯力特推出40/60/80/100V车规级MOSFET产品,适用于汽车车身控制、水泵油泵、无线充电等应用场景
芯力特依托豪威集团强大的产品/工艺/设计以及供应链能力,陆续推出了一系列车规级MOSFET产品,适用于汽车车身控制、水泵油泵、车大灯、无线充电等应用场景。芯力特新推出的车规级MOSFET产品,满足AECQ101标准,提供了N40V,N60V,N80V,N100V,P40V,P60V等系列产品。
东海半导体授权世强硬创,代理IGBT单管/模块、SiC二极管/MOS
40A 1200V TRENCHSTOP IGBT采用先进的沟槽和场截止技术设计,不仅能提供优异的VCEsat和开关速度、低栅极电荷,还拥有卓越的开关速度,VCEsat中的正温度系数带来轻松并联的能力。
ZMBG030N065DAB 650V IGBT
该资料介绍了ZMJ半导体公司生产的650V IGBT(绝缘栅双极型晶体管)产品。该IGBT采用先进的沟槽和场截止技术,具有非常低的VCE(sat)、低栅极电荷和优异的开关性能。资料详细说明了产品的特性、绝对最大额定值、热阻、电子特性、动态特性、开关特性、二极管开关特性以及封装信息。
真茂佳 - IGBT,ZMBG030N065DAB,工业电源,能量产生,INDUSTRIAL POWER SUPPLIES,ENERGY GENERATION
【应用】40V/140A LFPACK MOSFET+汽车级驱动芯片助力汽车电子水泵小型化设计
Shindengen推出的 P140LF4QNK 功率MOSFET ,小尺寸,LF PACK封装产品, L*W=5.000mm*6.050mm。
世强硬创获真茂佳半导体授权代理,车规级MOSFET损耗小/效率高/EMI低
产品多应用于动力系统、车身电子、网联化、智能驾驶&智能座舱、汽车电动化、汽车底盘、热管理系统等领域。
【产品】汽车级功率MOSFET P140LF4QNK、P105LF4QNK,适合车载水泵、EPS和辅助电机等应用
P140LF4QNK、P105LF4QNK是ShinDengen推出的沟槽型功率MOSFET,体积小重量轻,符合AEC-Q101标准和ISO/TS16949标准,最大漏-源电压均为40V,最大漏极直流电流分别为140A和105A,适合车载水泵、EPS和辅助电机等应用。【世强硬创沙龙2019】
【方案】3KW光伏水泵逆变器优选元器件方案
本方案采用Vincotech高开关频率IGBT模块、Silicon Labs电容隔离、进芯电子DSP控制芯片等器件组成的光伏水泵逆变器电路,将西部丰富的太阳能资源转换为水泵工作所需要的交流电,实现了供电清洁无污染。同时对灌溉系统的水位进行采样监控,达到对逆变器工作实时控制的目的,安全高效。
NIPPON CHEMI-CON,VINCOTECH,WEIDMUELLER,LITTELFUSE,LAIRD,SILICON LABS,SGMICRO,ADVANCECHIP,SMI - DSP,IGBT模块,DC输入连接器,导热垫片,保险丝,TVS,数字信号处理器,铝电解电容,隔离芯片,AC输出连接器,LDO,驱动IC,压力传感器,导热材料,ADP32F12A-150QP G,TFLEX HD300,ADP32F12A-150QPG,TPCM780,10-FY074PA100SM-L583F08,SM5G-GGG-T-080S-000,PV-STICK-_VPE10,SI8621BD-B-ISR,EKY-800ELL391MK30S,SI8233BB-D-IS1,PV-STICK+_VPE10,SGM2036-3.3YN5G/TR,0505025.MXEP,PV BSS VAPM 5P M,SMCJ64CA,PV PS VAPM 5P F,光伏水泵逆变器,逆变器,3KW光伏水泵逆变器,绿化灌溉,智能水泵驱动器,水泵,太阳能抽水机
ZMC020N120C4 1200V N沟道SiC MOSFET
该资料介绍了ZMJ半导体公司的1200V N-Channel SiC MOSFET器件,型号为ZMC020N120C4。这款器件采用先进的SiC MOSFET技术制造,具有低RDS(on)、高开关速度、低电容等特点,适用于电机驱动、车载充电器、DC-DC转换器和辅助驱动等领域。
真茂佳 - 碳化硅功率场效应晶体管,N-CHANNEL SIC MOSFET,SILICON CARBIDE POWER MOSFET,N沟道SIC MOSFET,ZMC020N120C4,DC-DC,直流-直流,电机驱动,辅助驱动装置,ON BOARD CHARGER,板载充电器,AUXILIARY DRIVES,MOTOR DRIVES
【选型】P沟道MOSFET CJAC70P06导通电阻低至7.6mΩ,可兼容PDC6901X用于水泵控制器中
在客户的水泵控制器项目上,需要一颗MOS来驱动控制电路,原来使用博盛的PDC6901X,现需要找寻另一款合适的型号作为备选方案。给客户推荐了长晶科技的P沟道MOSFET CJAC70P06,参数和性能都与博盛的PDC6901X差不多,可以满足替换的基本需求。
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可定制连接器的间距范围1.25mm~4.5mm、单列/双列列数、焊尾/表面贴装/浮动式等安装方式、镀层、针数等参数,插拔寿命达100万次以上。
最小起订量: 1 提交需求>
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可来图定制均温板VC尺寸50*50mm~600*600 mm,厚度1mm~10mm,最薄0.3mm。当量导热系数可达10000W/M·K,散热量可达10KW, 功率密度可达50W/cm²。项目单次采购额需满足1万元以上,或年需求5万元以上。
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