美浦森基于2.4μm工艺平台开发的最新一代FS+Trench IGBT，动静态参数及损耗数据表现出色

时间： 2024-08-12 来源：美浦森半导体公众号

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绝缘栅双极型晶体管（IGBT）是常见的高压大功率器件，具有耐压高，导通电流大，开关损耗小，抗冲击能力强等优点。广泛用于新能源汽车，风电光伏，工业变频，白色家电以及储能和UPS等领域。根据Yole数据显示，到2025年全球IGBT市场规模将达到80亿美元，中国是全球最大的IGBT市场，份额占比超过40％，但国产化率却不及40%。

美浦森作为一家专注于功率半导体器件的研发型企业, 不断研究最新的IGBT芯片技术，取得多项专利。本次在12吋晶元2.4μm工艺平台开发的最新一代的 FS+Trench IGBT系列，其各项参数性能均优于国内外大厂同类产品，以MSH40GL120DA1G（40A 1200V TO-247-3L)为例：

工艺先进性：

国际品牌IGBT7：

工艺平台1.6μm,归一化面积100，短路10μs+，静态1.69V，开关损耗4300μJ，耐压1300+。

美浦森最新一代IGBT：

工艺平台2.4μm，归一化面积95，短路10μs+，静态1.62V，开关损耗4330μJ，耐压1300+，RBSOA 关断4倍以上额定电流。

MSH40GL120DA1G同国内外品牌产品对比数据：

MSH40GL120DA1G开关波形及短路波形：

测试开关波形

Ic=40A Vcc=600V（Vge（黑）Vce（蓝）Ic（红）

测试短路波形

Vge=15V Vcc=600V（Vge（深蓝）Vce（浅蓝）Ic（浅绿）

经过实际测试，美浦森MSH40GL120DA1G产品在大电流开关测试以及短路测试表现出优良的鲁棒性，而且在不同电流不同温度的条件下动静态参数以及损耗数据优于国内外大厂品牌。并通过新的工艺技术节点实现在2.4μm工艺平台下反超国际一线大厂1.6μm工艺平台下的产品参数表现。

基于MSH40GL120DA1G的出色表现，美浦森后续会推出更多更全的IGBT单管和模块产品，应用客户涵盖消费电子、工业、新能源以及汽车多个领域，为客户提供最新一代的IGBT解决方案。

美浦森IGBT产品介绍：

1. 高频系列的IGBT经过对关断拖尾电流的优化，可以实现高频开关。产品适用于光伏储能，UPS，感应加热以及其他大功率电源应用。

2. 通用IGBT系列在保证低开通和关断的基础上，保持了10μs的短路能力，兼顾了温升损耗和鲁棒性，在离网逆变器，通用变频器，白电，电动工具以及工缝伺服应用中表现出色。

3. 大功率IGBT模块主要应用于大功率变频器，感应加热，光储电站以及汽车主驱等。为客户提供简单的解决方案，即一个模块就可以替代多个单管串并联组成的功率电路，提高系统集成度和功率密度，简化客户设计。

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