晶体管的种类和特征

时间： 2024-09-19 来源：ROHM（罗姆半导体集团公众号）

代理服务

技术支持

采购服务

晶体管是现代电子技术的核心元件，具有广泛的应用方向和重要作用。为了帮助各位工程师更深入全面地了解晶体管，ROHM为大家准备了不同类型晶体管特点的详细说明。

本应用说明概述了晶体管类型及其特征。

晶体管分类介绍

1、按制造工艺

可以划分为BJT（双极型晶体管）、FET（场效应管）、IGBT（绝缘栅双极型晶体管）以及光电晶体管，如下图所示。图中灰色区域表示ROHM没有产品化的晶体管。

2、按封装功率

可划分为小信号晶体管和功率晶体管。小信号晶体管包含通用双极型小信号晶体管、场效应晶体管（FET）、射频和微波小信号晶体管；功率晶体管包括通用功率双极型晶体管、通用功率场效应晶体管、IGBT、达林顿功率晶体管、射频和微波功率晶体管。

3、按内部电路分类

分为单个封装内只有一个晶体管的单管型、内置多个晶体管以及集成了电阻和二极管的复合型。如果应用电路配置和引脚布局合适，复合型可以小型化安装。在功率损耗较大的应用中，因为发热源集中在一个元件上，所以必须考虑热设计。

4、按外形分类

有插件型和表面贴装型。插件型将引脚插入PCB的孔中，表面贴装型将封装安装在PCB表面，取决于PCB的安装方法和散热性能。

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由雪飘梦飞转载自ROHM（罗姆半导体集团公众号），原文标题为:应用笔记下载 | 晶体管的种类和特征，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。

平台合作

提交评论

全部评论（0）

暂无评论

【经验】晶体管和二极管的区别

本文ROHM带你了解晶体管和二极管的内容。晶体管和二极管的区别：一个是元器件的结构（MOSFET、双极晶体管、功率元器件等）不同，另一个是电气特性（耐压、最大电流、功率、频率）不同。

2022-08-31 - 技术探讨代理服务技术支持采购服务

【产品】40V/0.6A的NPN型双极中功率晶体管SST4401/UMT4401U3，用于音频频率小信号放大器

SST4401/UMT4401U3是罗姆推出的集电极-发射极电压为40V的NPN型双极晶体管，与PNP型双极晶体管SST4403/UMT4403U3互补配对，其内部电路和电气参数一致，封装不同，主要应用于音频频率小信号放大器。

2019-10-12 - 新产品代理服务技术支持采购服务

【产品】1800V超高集射极电压的绝缘栅双极型晶体管RGC80TSX8R，结壳热阻仅0.28℃/W

罗姆(ROHM)是半导体、电子零部件的等应用的主要供应商之一。RGC80TSX8R绝缘栅双极型晶体管（IGBT）一款利用ROHM的沟槽栅、薄晶圆技术实现了高效化和节能化的产品，晶体管具有高速切换、低集电极-发射极饱和电压、低开关损耗和软开关等特点，同时具有低正向电压的单片体二极管，采用了TO-247N的封装方式，达到无铅标准和RoHS认证，是绿色环保器件，可以为高电压、大电流的应用提供解决方案。

2018-12-21 - 新产品代理服务技术支持采购服务

晶体管封装

资料详细介绍了多种类型晶体管的封装尺寸和包装类型。内容涵盖SOT、DFN、TO等系列封装的尺寸规格、高度、包装代码等信息，并提供了不同封装类型的尺寸图和包装方式说明。资料旨在为电子设备设计者提供晶体管封装的相关数据，以方便选择合适的元器件。

ROHM - TRANSISTORS,晶体管

2024/6/11 - 封装信息/封装结构图代理服务技术支持采购服务

运算放大器双极型和CMOS运算放大器其各自的输入偏置电流方向（极性）。

当输入为双极型晶体管时，输入段晶体管的基极电流为偏置电流。NPN为流入，PNP为流出。输入为MOSFET时，由于电流不会流入栅极，因此在输入端子和VDD间、输入端子和VSS间分别连接的静电保护元件漏电流流出和流入之差就是输入偏置电流。由于漏失的偏差，虽然有时会存在流入和流出的情况，但在室温中，绝对值为pA级。

2024-06-28 - 技术问答代理服务技术支持采购服务

关于比较器，请告知双极型和CMOS比较器其各自的输入偏置电流方向（极性）。

2024-07-30 - 技术问答代理服务技术支持采购服务

【产品】SOT-346T封装PNP型通用双极晶体管2SB1695，集电极电流IC为-1.5A

罗姆（ROHM）半导体集团是全球最知名的半导体厂商之一，2SB1695是其推出的PNP型通用双极晶体管，封装尺寸极小，与2SD2657系列NPN型晶体管互补配对。且2SB1695具有很大的集电极电流和很低的集电极-发射极饱和电压，产品主要应用于低频放大器。

2019-08-19 - 新产品代理服务技术支持采购服务

【产品】用于驱动电路的PNP型通用双极性晶体管2SAR586J，符合RoHS标准

2SAR586J是ROHM最新推出的用于驱动电路的PNP型通用双极性晶体管，产品具有低集电极-发射极饱和电压，符合工业级温度要求，集电极电流为-5A，符合RoHS标准，主要用于低频放大器。

2019-06-24 - 新产品代理服务技术支持采购服务

R8011KNX晶体管

本资料提供了ROHM公司一款R8011KNX型号晶体管的静电破坏测试结果。测试包括针对不同标准的带电设备模型（CDM）和人体模型（HBM）的静电破坏测试。资料中详细列出了不同测试标准下的测试类型和等级，并强调了产品对静电敏感，需采取适当措施防止静电破坏。此外，还包含了产品使用注意事项、技术信息、应用范围以及法律声明等内容。

ROHM - TRANSISTOR,晶体管,R8011KNX

2023.03 - 测试报告 - Rev.001 代理服务技术支持采购服务

NPN晶体管时，发射极接地，给集电极施加正电压时的耐压是规格书上提供的VCEO。（PNP晶体管时，集电极接地，给发射极施加正电压时的耐压是VCEO。）与此反向（NPN晶体管是集电极接地，给发射极施加正电压时）的耐压与发射极-基极间的耐压大致相同。发射极-基极间的耐压通常为5-7V左右，所以建议使用时要使集电极-发射极间的反向电压保持在5V以下（如果给集电极-发射极间的反向施加接近耐压值的电压，就有可能发生hFE下降等性能退化的情况）。集电极-发射极间的反向电压如果在5V以下，将只有漏电流大小的电流通过。下图以罗姆产品为例。数字晶体管也如上所述，可对集电极-发射极间（OUT-GND间）的反方向施加最大5V的电压，但当GND-IN中有电阻时，电流会通过该电阻流过。

2019-09-11 - 技术问答代理服务技术支持采购服务

【产品】SOT-89封装-80V/-0.7A PNP型中等功率双极晶体管2SAR514P5，特征频率典型值达380MHz

2SAR514P5是ROHM推出的PNP型双极晶体管，该产品具有低集电极-发射极饱和电压和高开关速度，电气性能出色。该产品采用SOT-89封装，符合RoHS标准，主要应用于低频放大器和高速开关应用。

2019-11-26 - 新产品代理服务技术支持采购服务

R8006KNX晶体管

本资料提供了ROHM公司一款R8006KNX型号晶体管的静电破坏测试结果。测试包括针对不同标准的带电设备模型（CDM）和人体模型（HBM）的静电放电测试。资料中详细列出了不同测试标准下的测试类型和等级，并强调了产品对静电敏感，需在制造和储存过程中采取适当措施以防止损坏。此外，还包含了产品使用注意事项、技术信息、应用范围以及法律合规性等内容。

ROHM - TRANSISTOR,晶体管,R8006KNX

2023.03 - 测试报告 - Rev.001 代理服务技术支持采购服务