昕感带你看懂SiC MOSFET SOA曲线
SOA的全称是Safe Operating Area,中文名是安全工作区,指功率器件可以正常工作不被损坏的电流-电压区间。当下商用功率SiC MOSFET的数据手册中都会提供SOA曲线,方便工程师进行设计。本文昕感科技将带你详细了解SOA曲线。
01、为什么要有SOA曲线
下图给出功率MOSFET开关过程的电压电流波形示意图,器件开启时导通负载电流,电压和电流的比值为导通电阻;器件关断时阻断母线电压,漏电流近似为0。
从波形可以看出,开关过程中器件的电压电流不是同步变化的,以开启过程为例,t1-t2阶段,MOSFET电流开始上升,但依然承受高电压;t2-t3阶段,MOSFET电流为负载电流,两端电压开始下降。这是因为器件处于关断状态时,负载电流由并联的二极管续流,t1-t2阶段,电流开始由二极管转移到MOSFET,但此阶段因为二极管中存在正向电流,依然处于正偏状态,无法替MOSFET分担母线电压,只有在t2时刻后,二极管中无正向电流,才能进入反偏状态开始阻断母线电压。
这一过程在器件输出特性曲线中的对应关系如下,器件关断时阻断高电压,因为栅极电压小于阈值电压,电流近似为0;t1-t2阶段,栅极电压高于阈值电压,器件电流上升进入饱和区;t2阶段以后,器件电压下降,逐渐进入欧姆区。
可见开关过程中存在MOSFET同时导通大电流、承担高电压的时间段,即器件瞬时功率较高的时间段。在设计过程中,需要考虑这一阶段的大功率是否会损坏器件并造成系统失效,而判断依据就是电流、电压及持续时间是否在安全工作区内。
02、SOA曲线解读
以昕感N1M120080PK-A器件为例,SiC MOSFET的SOA曲线可以分为4个部分,如下图所示,本小节带大家介绍各个部分的含义。
① 电阻限制区:此区域下SiC MOSFET受导通压降的限制,边界线上电压和电流的比值为器件在最大结温下的导通电阻。如果器件的开启栅压或最大工作结温发变化,此区域的斜率也会相应调整。
② 最大电流限制区:此区域由器件能承受的最大电流限制,对应数据手册中的最大脉冲电流(ID(pulse)),与bonding线设计、芯片尺寸等因素有关。
③ 最大功耗限制区:在给定壳温(Tc)下,此区域需要考虑避免器件的结温(Tj)超出最大限制。在热平衡状态下,器件的温升(Tj-Tc)等于耗散功率和热阻的乘积,这要求电流电压的乘积不能超出最大耗散功率。同样以昕感N1M120080PK-A器件为例,如下所示,数据手册中也给出了不同脉冲宽度、不同占空比下器件热阻的变化,可以根据实际系统需求对SOA曲线进行重新计算。
④击穿电压限制区:器件工作的漏源电压(VDS)不能超出数据手册标注的最大额定电压,否则器件PN结可能被击穿。
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