SiC科普小课堂 | 什么是米勒钳位?为什么碳化硅MOSFET特别需要米勒钳位?| 视频
在实际应用中,桥式电路的功率器件容易发生串扰行为,在串扰行为下,门极电压会被抬高,一旦门极电压超过功率器件的开启电压,将会使已关闭的功率器件出现误开通现象,从而造成直流母线短路。碳化硅MOSFET具有更快的开关速度会使得串扰行为更容易发生,也会更容易发生误开通现象。我们发现,在驱动电路中使用米勒钳位功能,可以有效地抑制碳化硅 MOSFET误开通的风险,从而提高系统可靠性和稳定性。
今天的“SiC科普小课堂”中,基本半导体市场部总监魏炜老师将着重为大家讲解什么是米勒现象?为什么驱动碳化硅MOSFET需要使用米勒钳位功能?以及基本半导体的创新性产品选型推荐。
相关产品推荐
基本半导体自主研发推出可支持米勒钳位功能的双通道隔离驱动芯片BTD25350,此驱动芯片专为碳化硅MOSFET门极驱动设计,能高效可靠地抑制碳化硅MOSFET的误开通,该驱动芯片目前被广泛应用于光伏储能、充电桩、车载OBC、服务器电源等领域中。
型号列表
关于基本半导体
深圳基本半导体有限公司是中国第三代半导体创新企业,专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化。公司总部位于深圳,在北京、上海、无锡、香港以及日本名古屋设有研发中心和制造基地。公司拥有一支国际化的研发团队,核心成员包括二十余位来自清华大学、中国科学院、英国剑桥大学、德国亚琛工业大学、瑞士联邦理工学院等国内外知名高校及研究机构的博士。
基本半导体掌握碳化硅核心技术,研发覆盖碳化硅功率半导体的材料制备、芯片设计、晶圆制造、封装测试、驱动应用等产业链关键环节,拥有知识产权两百余项,核心产品包括碳化硅二极管和MOSFET芯片、汽车级碳化硅功率模块、功率器件驱动芯片等,性能达到国际先进水平,服务于光伏储能、电动汽车、轨道交通、工业控制、智能电网等领域的全球数百家客户。
基本半导体是国家级专精特新“小巨人”企业,承担了国家工信部、科技部及广东省、深圳市的数十项研发及产业化项目,与深圳清华大学研究院共建第三代半导体材料与器件研发中心,是国家5G中高频器件创新中心股东单位之一,获批中国科协产学研融合技术创新服务体系第三代半导体协同创新中心、广东省第三代半导体碳化硅功率器件工程技术研究中心。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由雪飘梦飞转载自基本半导体官网,原文标题为:SiC科普小课堂 | 什么是米勒钳位?为什么碳化硅MOSFET特别需要米勒钳位?,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
相关推荐
【经验】采用TO-247-4封装的碳化硅MOSFET中引入辅助源极管脚的必要性
在实际应用中,基本半导体发现带辅助源极管脚的TO-247-4封装更适合于碳化硅MOSFET这种新型的高频器件,它可以进一步降低器件的开关损耗,也更有利于分立器件的驱动设计。
【经验】碳化硅功率器件可靠性测试方法详解
基本半导体的碳化硅功率器件产品在批量投入市场前都需要通过规定的可靠性测试,以确保每一款器件的性能长期稳定可靠。本文基本半导体将为您详解碳化硅功率器件可靠性测试方法。
【经验】浅谈硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动的区别
硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动两者电气参数特性差别较大,碳化硅MOSFET对于驱动的要求也不同于传统硅器件,主要体现在GS开通电压、GS关断电压、短路保护、信号延迟和抗干扰几个方面。基本半导体自主研发的碳化硅 MOSFET 具有导通电阻低,开关损耗小的特点,可降低器件损耗,提升系统效率,更适合应用于高频电路。
SiC模块先进DTS+Cu Bonding工艺,解决车规可靠性最后一块拼图?
半导体技术的进步,特别是碳化硅,产生了具有高功率密度的器件,并允许器件在明显更高的结温度下运行。互连技术在设备和组件的不间断运行中起着重要的作用。以DTS技术和铜线键合的功率模块,可作为新一代基于碳化硅的高功率模块提供有效的技术支持。
碳化硅很好,但为什么碳化硅IGBT很少见?
为什么市场上少有碳化硅IGBT?这和碳化硅的材料特性息息相关。与标准硅材料相比,碳化硅最大的优势是耐高温、耐高压、损耗低,这也使其成为目前高压大功率应用中的半导体材料首选。总的来说,因制备成本太高,且性能过剩,因此碳化硅IGBT在大多数应用场合都“毫无竞争力”。
碳化硅功率半导体在光伏储能领域的应用概述
如今的储能系统被要求处理不常见的高水平电流,并且维持高度的可靠性和稳定性,在必要时,它们还需要快速精准地释放储存的能量,这需要高质量的宽禁带功率半导体。与传统硅器件相比,中瑞宏芯(macrocore semiconductor)的碳化硅MOSFET和Diode具有更高的性能和更低的损耗,同时允许能源系统工程师设计出更轻便的系统,从而降低整体系统尺寸和成本。
【技术】一文介绍芯众享碳化硅和氮化镓器件在服务器电源上的应用
碳化硅在服务器电源中率先得到应用。得益于碳化硅极小的反向恢复损耗,碳化硅二极管较早便取代了PFC中的硅二极管,立竿见影的提高了PFC的效率。随着碳化硅MOSFET技术的成熟和可靠性的提高,又出现了采用碳化硅MOSFET取代硅MOSFET的设计。
【元件】基本半导体新品工业级全碳化硅MOSFET功率模块,更好满足客户对高功率密度需求
基本半导体开发推出了工业级全碳化硅MOSFET功率模块Pcore™2 E1B和Pcore™4 E1B。该系列产品采用了Press-Fit压接工艺、带NTC温度检测以及高封装可靠性的氮化硅(Si3N4)AMB基板等技术,在比导通电阻、开关损耗、抗误导通、抗双极性退化等方面表现出色。
国基南方加速碳化硅MOSFET技术攻关,建立国内第一条6英寸碳化硅功率产品生产线
国基南方持续推进碳化硅MOSFET关键核心技术攻关和产业化应用,经过集智攻坚,团队建立国内第一条6英寸碳化硅功率产品生产线,在国内率先突破6英寸碳化硅MOSFET批产技术,形成了成套具有自主知识产权的碳化硅功率产品技术体系。
蓉矽1200V 40mΩ碳化硅产品NC1M120C40HT用于车载充电机,整体系统效率提升约为2%,峰值可达97%以上
蓉矽半导体自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT已顺利通过AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严可靠性考核,支持11kW/22kW大功率主流充电,适配目前OBC 800V高电压电池发展趋势。采用1200V SiC器件可以简化系统拓扑复杂度,总损耗可降低50%以上,磁性器件体积可降低70%以上。整体系统效率提升约为2%,峰值可达97%以上。
碳化硅MOSFET在TO-247-3和TO-247-4封装中开关过程 ∣ 视频
相较于硅基IGBT,碳化硅MOSFET有着更快的开关速度,因此需要一种更适合发挥碳化硅MOSFET性能的封装形式。今天的“SiC科普小课堂”中,基本半导体市场部总监魏炜老师将以TO-247-3和TO-247-4两种封装形式为例,为大家讲解不同封装的碳化硅MOSFET在开关过程中的性能表现。
【应用】SiC器件可在5G基建、新能源汽车充电桩、工业互联网等领域中提高电能利用率
碳化硅(SiC)材料是功率半导体行业主要进步发展方向,用于制作功率器件,可显着提高电能利用率。可预见的未来内,新能源汽车是碳化硅功率器件的主要应用场景。特斯拉作为技术先驱,已率先在Model 3中集成全碳化硅模块,其他一线车企亦皆计划扩大碳化硅的应用。
蓉矽1200V 40/75mΩ碳化硅MOSFET用于直流充电桩,减少50%器件用量,助力800V高压快充充电桩行业发展
基于蓉矽半导体第二代1200V 40/75mΩ SiC MOSFET的两电平方案结构简单、控制方便,可简化系统拓扑,减少50%的器件用量,助力800V高压快充充电桩行业的发展。蓉矽半导体1200V 40mΩ SiC MOSFET电压等级为1200V,最大可持续电流达75A。
电子商城
服务
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m,厚度2mm-100mm,单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量: 1片 提交需求>
提供电机的输出反电势波形测试、驱动芯片输入/输出波形测试服务,帮助您根据具体应用场景来选择适合的电机驱动芯片型号,确保电机驱动芯片能够与其他系统组件协同工作达到最佳效果。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
实验室地址: 成都 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论