瑞之辰：碳化硅正跑步进入8英寸时代

时间： 2024-08-17 来源：瑞之辰

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英飞凌近期宣布，其位于马来西亚的新晶圆厂正式进入第一阶段建设，该晶圆厂将成为全球最大、最具竞争力的8英寸碳化硅（SiC）功率半导体晶圆厂。与此同时，安森美、意法半导体、罗姆等国际巨头也纷纷涌入8英寸碳化硅晶圆市场。在深圳市瑞之辰科技有限公司（以下简称“瑞之辰”）看来，这一趋势预示着半导体行业即将迎来新一轮的技术革新和市场扩张。

“8英寸”扩大产能

据数据统计，预计到2029年，SiC市场容量将达到100亿美元。在如此巨大的市场增量吸引下，第三代半导体产业呈现出一派热闹非凡的景象。

Wolfspeed作为量产8英寸碳化硅晶圆的先驱，其在美国的工厂已实现稳定生产，并计划在未来几年内继续扩大产能，以满足日益增长的市场需求。意法半导体，作为全球知名的碳化硅芯片制造商，在欧洲和亚洲的多个国家设立了制造基地，并计划将多个晶圆厂过渡到8英寸碳化硅晶圆生产。在中国重庆，意法半导体与三安光电合作建设的8英寸碳化硅器件合资制造工厂，更是标志着国内首条具备量产能力的8英寸SiC衬底和晶圆制造线的诞生。

国内方面，瑞之辰等企业也在加速布局8英寸碳化硅赛道，力求在这一轮技术革新中占据先机。

为什么是“8英寸”

碳化硅功率器件以其高电压、大电流、高温、高频率和低损耗等独特优势，在新能源汽车、光伏发电、智能电网、工业电源、电机驱动及航空航天等多个领域展现出广阔的应用前景。随着新能源汽车市场的快速增长和光伏发电、智能电网等领域的持续发展，对碳化硅功率器件的需求也在不断增加。

当前，尽管市场上的SiC尺寸仍以6英寸为主，但国内外厂商都在积极布局8英寸。据测算，SiC晶圆从6英寸扩大到8英寸，SiC芯片产量可增加90%，同时在8英寸晶圆上制造的SiC MOSFET芯片成本有望降低54%，这将有利于进一步降低芯片成本，推动碳化硅功率器件的普及和应用。

瑞之辰的技术突破

面对碳化硅功率模块市场的广阔前景，瑞之辰凭借其在碳化硅功率器件领域的深厚积累，实现了显著的技术突破。公司研发的SiC PIM模块、智能功率模块（IPM）、半桥SiC模块和超低内阻SiC MOSFET等产品，广泛应用于驱动电机的变频器和各种逆变电源、充电桩电源、5G电源、电网、高铁、汽车等行业。通过不断的技术创新和产品优化，瑞之辰正逐步成为碳化硅功率器件市场的重要参与者。

随着第三代半导体企业加速布局8英寸碳化硅晶圆市场，碳化硅功率器件的应用范围和优势将进一步得到拓展和发挥。瑞之辰等国内企业的崛起，不仅为我国半导体产业的发展注入了新的活力，也为全球半导体产业的格局带来了深远的影响。

深圳市瑞之辰科技有限公司是一家芯片设计、方案研发的高科技公司，公司成立于2007年，主要产品有SiC功率器件、电源管理芯片、传感器芯片等系列。公司拥有自己的知识产权，拥有几十项发明专利和实用新型专利。近几年公司研发了SiC、IGBT等功率器件，封装形式有TO247-3、TO247-4PHC、IPM24A-D、WPM11C等外形，产品主要应用在储能、充电桩、逆变器、光伏、汽车、高铁、电网等领域。

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