探索光耦：如何根据可控硅光耦的VDRM和封装类型进行选型？

时间： 2024-08-20 来源：晶台

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在现代电子设备和电力控制系统中，可控硅光耦因其能够有效控制交流负载而被广泛应用。然而，为了确保设备的稳定运行和长寿命，选择合适的VDRM（最大重复峰值电压）显得尤为重要。本文将详细介绍如何根据不同的交流负载电压选择适合的VDRM，以及封装选择的重要性。

图 1

什么是VDRM？

VDRM，即最大重复峰值电压，是指可控硅光耦在反向阻断状态下所能承受的最大电压。选择合适的VDRM可以防止因电压过高导致的器件击穿，从而保障电路的稳定性和安全性。

图 2

不同交流负载的VDRM选择

100V至120V交流负载应用：对于这一电压范围的交流负载，晶台光耦通常建议选择VDRM为400V的可控硅光耦。这是因为在交流电源的峰值电压和电压波动的情况下，400V的VDRM能够提供足够的裕量，确保器件不会因电压过高而损坏。

200V至240V交流负载应用：对于这一更高电压范围的交流负载，建议选择VDRM为600V或800V的可控硅光耦。选择600V或800V的VDRM可以更好地应对较高的峰值电压和电压波动，提供更高的电压耐受能力，从而确保设备在高电压环境下的稳定运行。

封装选择的重要性

图 3

除了VDRM的选择，封装类型也是一个关键因素。可控硅光耦的交流电源电压直接施加于输出端子T1与T2之间。根据具体的交流电源电压和使用环境，需要确保输出端子之间的距离以避免电弧和其他潜在问题。

晶台光耦提供了可控硅光耦的多种封装类型，常见的有通用型DIP6和小型SOP4封装。通用型DIP6封装适用于大多数应用环境，而小型SOP4封装则在需要节省空间和提高集成度的应用中表现优异。

图 4

选择合适的VDRM和封装类型是确保可控硅光耦稳定运行的关键。在面对不同的交流负载电压时，正确的选择不仅能提高设备的可靠性，还能延长其使用寿命。晶台光耦凭借丰富的产品线和专业的技术支持，致力于为用户提供最优的光耦技术方案，助力您的项目成功。通过合理选择VDRM和封装类型，您可以在电力控制领域游刃有余，确保设备在各种环境下的最佳性能。

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产品型号	品类	正向电压(V)	反向电流(uA)	击穿电压(V)	暗电流(nA)	电流传输比(%)	隔离电压(V)	总消耗功率(mW)	工作温度(℃)	封装
KL817-A-F	DC晶体管光耦	1.2V	10uA	80V	100nA	80~160%	5000V	200mW	-55~+110℃	DIP4（尺寸6.54.593.5mm）