芯达茂IGBT功率器件应用解决方案,可满足各种的应用需求
1、IGBT芯片结构及原理
• IGBT的导通与截止是由栅极电压控制的,如图一所示。栅极加正向电压时,MOSFET内形成通道,并为PNP晶体管提供基极电流,使IGBT导通。栅极加负向电压时,MOSFET内通道消失,基极电流切断,IGBT截止。
• 开态相当于水龙头放水,IGBT持续通电流状态;漂移区存在大量电子-电洞;漂移区电阻降低,使耐压高的IGBT也具有低的导通电压特性。
• 关态相当于水龙头关闭,水龙头需要承载一定的水压且不能漏水;IGBT承载电压且不能有漏电流;漂移区不存在大量电子-电洞;漂移区可以承压。
• 开关状态:截止到导通或者导通到截止都是瞬间完成;寄生电容充电和放电过程。
图一
IGBT对应不同应用会有特性上的的权衡,例如变频器应用(电机控制)会相较电源类应用的频率低,所以更在意导通损耗要低且要有能够承受短路的能力,一般来说tsc>10μs, 而电源类的应用则需要开关损耗低,如图二所示。
图二
2、IGBT的应用领域
IGBT的应用领域广泛,如图三所示为其主要应用领域,标红底的部份则是远期较有可能被SiC取代的领域。
图三
3、芯达茂产品的优势
芯达茂因应光伏逆变/储能/充电桩/PFC的应用领域及电路拓璞,开发了各式相应的功率器件,可满足各种的应用需求,如下表所示:
图四
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