秒懂半导体封装技术——银烧结技术
随着新一代功率半导体芯片及功率密度的进一步提高,对功率电子模块及其封装工艺要求也越来越高,特别是芯片与基板的互连技术很大程度上决定了功率模块的寿命和可靠性。传统钎焊料熔点低、导热性差,难以满足高功率器件封装及其高温应用要求。此外随着第三代半导体器件(如碳化硅和氮化镓等)的快速发展,对封装的性能方面提出了更为严苛的要求。银烧结技术是一种新型的高可靠性连接技术,在功率模块封装中的应用受到越来越多的关注。
一 银烧结技术的优势特点
1.什么是银烧结技术
20世纪80年代末期,Scheuermann等研究了一种低温烧结技术,即通过银烧结银颗粒实现功率半导体器件与基板的互连方法。
银烧结技术也被成为低温连接技术(Low temperature joining technique, LTJT),作为一种新型无铅化芯片互连技术,可在低温(<250℃)条件下获得耐高温(>700℃)和高导热率(~240 W/m·K)的烧结银芯片连接界面,具有以下几方面优势:
①烧结连接层成分为银,具有优异的导电和导热性能;
②由于银的熔点高达(961℃),将不会产生熔点小于300℃的软钎焊连接层中出现的典型疲劳效应,具有极高的可靠性;
③所用烧结材料具有和传统软钎焊料相近的烧结温度;
④烧结材料不含铅,属于环境友好型材料。
相对于焊料合金,银烧结技术可以更有效的提高大功率硅基IGBT模块的工作环境温度及使用寿命。目前,银烧结技术已受到高温功率电子领域的广泛关注,它特别适合作为高温SiC器件等宽禁带半导体功率模块的芯片互连界面材料。
2.银烧结技术原理
银烧结技术是一种对微米级及以下的银颗粒在300℃以下进行烧结,通过原子间的扩散从而实现良好连接的技术。所用的烧结材料的基本成分是银颗粒,根据状态不同,烧结材料一般为银浆(银膏)、银膜,对应的工艺也不同:
银浆工艺流程:银浆印刷——预热烘烤——芯片贴片——加压烧结;
银膜工艺流程: 芯片转印——芯片贴片——加压烧结。
芯片转印是指将芯片在银膜上压一下,利用芯片锐利的边缘,在银膜上切出一个相同面积的银膜并粘连到芯片背面。
以纳米银浆为例,在烧结过程中,银颗粒通过接触形成烧结颈,银原子通过扩散迁移到烧结颈区域,从而烧结颈不断长大,相邻银颗粒之间的距离逐渐缩小,形成连续的孔隙网络,随着烧结过程的进行,孔洞逐渐变小,烧结密度和强度显著增加,在烧结最后阶段,多数孔洞被完全分割,小孔洞逐渐消失,大空洞逐渐变小,直到达到最终的致密度。
烧结得到的连接层为多孔性结构,孔洞尺寸在微米及亚微米级别,连接层具有良好的导热和导电性能,热匹配性能良好。
二 银烧结技术在功率模块封装的应用
作为高可靠性芯片连接技术,银烧结技术得到了功率模块厂商的广泛重视,一些功率半导体头部公司相继推出类似技术,已在功率模块的封装中取得了应用。
如今,银烧结技术已经成为宽禁带半导体功率模块必不可少的技术之一,随着宽禁带半导体材料(SiC、GaN)的发展,银烧结技术将拥有良好的应用前景。
三 银烧结技术在其他领域的应用
银烧结技术不仅在功率半导体封装领域得到了广泛应用,还可以应用于其他领域,如汽车电子、航空航天、LED照明等领域。
汽车电子:随着新能源汽车的发展,电动汽车对高效率、高可靠性的电力电子器件的需求不断增加。银烧结技术可以提高功率器件的稳定性和可靠性,满足电动汽车对电力电子器件的严苛要求。
航空航天:航空航天领域对电子器件的工作温度、可靠性和耐久性有极高的要求。采用银
烧结技术的电子器件可以在极端温度环境下稳定工作,具有更长的使用寿命,因此在航空航天领域有着广泛的应用前景。
LED照明:LED照明设备对导热性能有很高的要求,因为高效的导热可以降低LED芯片的工作温度,从而延长其使用寿命。银烧结技术具有优异的导热性能,可以有效提高LED照明设备的散热效果和使用寿命。
微波器件:在高频微波器件中,由于银烧结技术具有良好的导电性和导热性,因此可以提高微波器件的工作效率和可靠性。
四 银烧结技术的挑战与发展趋势
尽管银烧结技术在功率电子领域及其他应用领域展现出诸多优势,但仍面临一些挑战和问题,需要不断研究和改进。
设备成本:银烧结技术所需的设备和材料成本较高,这对于大规模推广和应用产生一定阻碍。未来需要在降低成本和提高生产效率方面取得突破。
工艺控制:银烧结工艺参数对互连层的性能有很大影响,因此对工艺参数的控制非常关键。进一步研究和优化工艺参数,提高银烧结连接层的性能和可靠性是未来发展的重点。
环境稳定性:银烧结连接层可能受到外部环境因素的影响,如湿度、氧化等,影响其长期稳定性。因此,未来需要研究改进烧结材料的环境稳定性,以适应更广泛的应用需求。
五 碳化硅半导体封装银烧结技术分析
碳化硅芯片可在300℃以上稳定工作,预计模块结温将达到175-200℃。传统功率模块中,芯片通过软钎焊接到基板上,连接界面一般为两相或三相合金系统,在温度变化过程中,连接界面通过形成金属化合物层使芯片、软钎焊料合金及基板之间形成互联。
目前电子封装中常用的软钎焊料为含铅钎料或无铅钎料,其熔点基本在300℃以下,采用软钎焊工艺的功率模块结温一般低于150℃,当应用于温度为175-200℃甚至200℃以上的情况时,其连接层性能会急剧退化,影响模块工作的可靠性。根据RoHS指令要求,由于铅具有毒性,会对环境和人体健康产生危害,已在电子产品中禁止使用含铅钎料。
银烧结技术也被称为低温连接技术,是最为适合于宽禁半导体模块封装的界面连接技术之一,是碳化硅模块封装中的关键技术,也是目前应用最为广泛的技术。与传统连接方式相比,银烧结技术具有以下几方面的优势:烧结连接层成分为银,具有优异的导电和导热性能;由于银的熔点高达961℃,将不会产生熔点小于300℃的软钎焊连接层中出现的典型疲劳效应,具有极高的可靠性;所用烧结材料具有和传统软钎焊料相近的烧结温度;烧结料不含铅,属于环境友好型材料。
芯片与基板的耐高温、低成本连接技术和可靠性的问题是目前第三代半导体材料模块封装的关键技术。
我国第三代半导体模块耐高温连接技术以高温无铅钎料封装连接为主,主要的钎料有锌基高温钎料、金基高温钎料、Bi-Ag基钎料和Sn-Sb基钎料。高温无铅钎料虽然制备工艺简单,适应性强,但连接温度高于使用温度,热稳定性差,同时高温钎料的工艺特性(润湿性)与力学性能(强度)、物理性能(导热性与导电性)、热稳定性难以兼顾。国内使用高温无铅钎料主要为SnAg(96.5:3.5)和SnAgCu(96.5:3:0.5),熔点为221℃和217℃。
国内通过提高钎料本身的耐高温能力来提升钎焊接头的耐温能力,从而解决高温功率器件封装问题是困难的,目前国内开发的高温无铅钎料使用温度均不超过350℃,这与新一代功率芯片所能达到的工作温度500-1000℃相比差距较大。
国外研究的第三代半导体连接技术有银低温烧结连接技术、固液互扩散连接(SLD)和瞬时液相烧结连接(TLPS),其中银烧结技术是目前国外第三代半导体封装技术中发展最为成熟、应用最为广泛的技术,美国、日本等碳化硅模块生产企业均采用此技术。与高温无铅钎料相比,银烧结技术烧结连接层成分为银,具有优异的导电和导热性能,由于银的熔点高达961℃,将不会产生熔点小于300℃的软钎焊连层中出现的典型疲劳效应,具有极高的可靠性,且其烧结温度和传统软钎焊料温度相当。
相比焊接模块,银烧结技术对模组结构、使用寿命、散热产生了重要影响,采用银烧结技术可使模块使用寿命提高5-10倍,烧结层厚度较焊接层厚度薄60-70%,热传导率提升3倍,国外厂商把银烧结技术作为第三代半导体封装的核心技术,银烧结技术成为芯片与基板之间连接的不二选择,同时在此基础上开发出双面银烧结技术,将银带烧结在芯片正面代替了铝线,或取消底板将基板直接烧结在散热器上,大大简化了模块封装的结构。
国外银烧结技术已经由微米银烧结进入纳米银烧结阶段,纳米银烧结与微米银烧结技术相比连接温度和辅助压力均有明显下降,极大扩大了工艺的使用范围。在银烧结技术中,为了防止氧化和提高氧化层的可靠性,需要在基板裸铜表面先镀镍再镀金或镀银,同时烧结温度控制和压力控制也是影响模组质量的关键因素。
银烧结技术在国外发展遇到的主要问题是:银烧结技术所用的银浆成本远高于焊膏,银浆成本随着银颗粒尺寸的减小而增加,同时基板铜层的贵金属镀层也增加了成本;银烧结技术需要一定的辅助压力,高辅助压力易造成芯片的损伤;银烧结预热、烧结整个过程长达60分钟以上,生产效率较低;银烧结技术得到的连接层,其内部空洞一般在微米或者亚微米级别,目前尚无有效的检测方法。
六 总结
银烧结技术作为一种高可靠性连接技术,在功率模块封装及其他领域的应用受到越来越多的关注。随着新一代功率半导体芯片及功率密度的不断提高,对电子器件性能的要求越来越高。银烧结技术可以有效提高功率模块的寿命和可靠性,满足高功率器件封装及其高温应用要求。然而,银烧结技术在成本、工艺控制和环境稳定性方面仍面临挑战,需要持续研究和改进。在未来,随着第三代半导体器件(如碳化硅和氮化镓等)的快速发展,银烧结技术将在电力电子、汽车、航空航天、LED照明以及微波器件等领域发挥更大的作用。
为了克服银烧结技术的挑战和发展趋势,研究人员和企业正致力于以下方面的工作:
材料创新:研究和开发新型烧结材料,提高其性能和稳定性,降低成本,以满足不同领域的应用需求。
银烧结的模块
工艺优化:优化银烧结工艺参数,提高互连层的性能和可靠性,降低制程复杂度和成本。
设备发展:研究和开发更高效、可靠的银烧结设备,提高生产效率,降低生产成本,为银烧结技术的大规模应用奠定基础。目前国内中科同志的银烧结设备已经在客户现场使用一年多,完成工艺验证、材料验证、良率提升等等方面的节点,获得了国内几家大客户的认可。目前正在推荐年产30-60万个SIC模块的生产线整体解决方案。
标准化:制定银烧结技术的标准和规范,推动银烧结技术在各领域的广泛应用和发展。
跨领域合作:加强学术界、企业和产业界之间的交流与合作,共同推动银烧结技术的研究、发展和应用。
随着银烧结技术的进一步研究和发展,它将在各种应用领域发挥越来越重要的作用,为解决高功率器件封装及其高温应用要求提供更优质的技术支持。相信在不久的将来,银烧结技术将在功率电子及其他相关领域取得更大的突破和应用。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由walkonair转载自昕感科技公众号,原文标题为:秒懂半导体封装技术——银烧结技术,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
相关推荐
新能源汽车碳化硅800V平台架构优势及实现方式解析
受限于硅基IGBT的工作频率和偏大的元件尺寸,目前大部分新能源车产品采用的是400V平台。随着碳化硅半导体技术的发展,越来越多车企打造出基于碳化硅的800V甚至更高的高压平台。SMC桑德斯微电子根据客户的需求设计和生产半导体及相关产品。2015年,SMC布局碳化硅产品的设计、研发与制造,并推出了一系列节能可靠、高性价比的大功率碳化硅产品器件,可广泛运用于包括新能源汽车、光伏、储能、电源等各个领域。
新能源汽车中的IGBT模块使用薄膜电容有什么好处?
IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块是电力控制和电力转换的核心器件,是由BJT(双极型晶体管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,具有高输入阻抗,低导通压降,高速开关特性和低导通状态损耗等特点,非常适合高电压和高电流的光伏逆变器、储能装置和新能源汽车等电力电子应用。
干货福利:SiC器件如何更胜Si器件一筹
硅“统治”半导体器件已50多年,目前仍是最主要的半导体器件材料,但在某些物理属性方面Si表现出明显的局限性,SiC被用来制造各种耐高温的高频大功率器件,优于Si器件。
JW JOULWATT (杰华特) DC-DC/AC-DC/线性电源/电池管理/LED照明/汽车电子产品选型指南
描述- 杰华特微电子成立于2013年,是一家快速成长的高性能模拟和数模混合半导体供应商。公司采用自有的先进工艺技术进行芯片设计和制造。公司拥有广泛的产品组合,涵盖DC/DC、AC/DC、线性电源、电池管理、信号链、显示、汽车电子等,应用范围涉及计算机、通讯、工业控制、服务器与数据中心、汽车电子、家用电器、消费类电子、照明等众多领域。
型号- JW1532N5,JW3663,JW3665,JWB19677BC,JW1123,JW1969D1,JW1120,JW19989A,JW19989B,JW5520S,JW1360,JW19989C,JW19976C,JW19988D,JW19988E,JWM9103A,JW15158I,JW16097,JW16098,JWH5123CH,JW15158D,JWQ7821,JW1125,JW7903,JW1969DC,JW5291PF,JW19976M,JW7806-2.85,JW7902,JW15158K,JW19975S,JWS22750,JW3651,JW1609E,JW5711,JW5710,JW3412,JW1969C1,JW15158B,JW19818CT,JW7111SA,JW5168BS,JW1532M5,JW19976A,JW19988B,JW19976B,JW19988C,JWH3515,JWQ7830,JWS29021,JW19975B,JW19975C,JW19987D,JW19987E,JWH3516,JW5712,JW5715,JW7806-2.75,JW5219P,JW19975M,JW5717,JW19975N,JW5716,JW3311-XXX,JW7921,JW1969C,JW1969A,JW7920,JW1386,JWH3530,JW4005H,JW19967A,JW19967B,JW19967C,JW15156E,JW15156F,JW5305F,JW7726H,JW5062TF,JW7823A,JWQ7843,JW15156D,JW1969O,JW1813B,JWS29001TA,JW5357HFM,JWS29001TB,JWB19673B,JWB19673A,JW5306F,JW19989E,JWQ7853,JWS29001,JWS29002,JW1969EC,JW3319,JW1160,JW7809-3.0,JW5523,JW1519B,JW1164,JW19957B,JW18226,JWQ5103CS,JW1822O,JW3313S-XXX,JW7115SA-1,JW3330,JWH7160A,JW5092H,JW7115SA-2,JW5092A,JW3332,JW5510,JW5513,JWH7924,JWH7917,JW16066,JWH7915,JWQ5103BS,JW19967M,JW7809-3.3,JWM9203FCL,JW7809-3.2,JW7809-3.1,JW196738C,JW196738D,JW3362,JW1180O,JW7809-2.85,JWM9123EC,JW1180E,JWH5513,JW3360,JW16033,JW1832O,JWQ5103AS,JW1965O,JW5292PF,JW5306,JW5305,JWQ7806,JWQ7924,JW1965BC,JWQ7809,JW1832D,JWQM93902,JWM9102,JW7830,JW5357HF,JW5535,JW7952,JWH7821,JW5169BS,JWM9220,JWH7823,JWH7822,JW18222,JW18221,JW3312-XXX,JWH7821A,JW1967EH,JWQ5513,JW1965AC,JW1518L,JW7809-4.0,JW1536NC,JW7809-4.5,JW5262CFM,JW5357HM,JWB19819,JWH7030,JWB19816,JW1539A,JW7726HAEC,JW5188CU,JW1882,JW19925A,JW5363HF,JW19925B,JW19925C,JW19876,JWB1981L,JW5711A,JW12558C,JW1539O,JW12558D,JW3701,JW3702,JW33708,JW12558A,JW3703,JW1965DC,JW1999A,JW1830D,JW1999B,JW5352HM,JW1964B,JW7115S-1,JW7115S-2,JWH5103AS,JWH6346A,JW1516A,JW5188DU,JW5352HF,JW19948E,JW3317-XXX,JW1516,JW5712A,JWH7160,JW1831D,JW1964D,JW5188DH,JW1964C,JW5361FM,JW1513A,JW5291F,JWH7295,JWH7294,JW5362HF,JW5186AU,JW19818C,JW5291P,JWB19818J,JWB19818L,JW5262CM,JW5701G,JW5701F,JW19853,JW5701E,JWQ3760,JW5701B,JW5262CF,JW5701A,JWH71522L,JW5186AH,JWH71522H,JWH7291,JWH7290,JW1965FC,JWQ6346A,JW4056A,JW1520AH,JW1538B,JWH7069,JW3360-XXX,JW5292F,JWH7067,JW5292P,JWH5123S,JW1530,JWB1992A,JWH5123P,JWH6344A,JWB1992B,JW1532BL,JW1962O,JW5062T,JWM9215AEC,JWB1992M,JW19925M,JW12557C,JW19925N,JW1962H,JW1962G,JWB1992N,JW5018XF,JWH7060,JW1965EC,JW1538NC,JWB1992S,JW7807-1,JW5293P,JWB1698D,JW1532AL,JW18066M,JW5061TC,JW19819L,JW5061TF,JWH5125CH,JW5703C,JW19836,JWS24285,JW1962BH,JWH5102C,JW5052C,JWH5102B,JW7726AD,JW5040C,JWH5102A,JW7726AC,JW3318-XXX,JWQ52992,JWQ52993,JW5173S,JWH5125S,JW1550,JW19928E,JW4054A,JW19818J,JW19818L,JW7726BL,JW1556,JW1962AH,JW12555B,JW77218B,JW77218C,JW7726BH,JW16638F,JWH5125C,JW19818T,JW5186A,JW16638D,JW5392H,JW5188AH,JWH5103BS,JW3760,JW5392F,JW1532Y,JW7111S,JW5188AU,JW12552B,JW19813,JW5066F,JW19818,JW5393C,JW1962DG,JW19819,JW1994A,JWH5103CS,JW1994B,JW1994C,JW5393F,JW1994D,JW5393H,JW3510,JW1572,JW1571,JW3410-XXX,JW3319-XXX,JW1994M,JW5520SA,JW5079A,JWB1536AC,JW18287E,JW18287D,JW19828,JW18287C,JW18287B,JWS24157,JW18287A,JW5188A,JW16979C,JW5079C,JW7222,JW7228,JW1996EG,JWM368H,JW5394F,JW7106,JW5031S,JW3412-XXX,JW9520,JWQ5103CSF,JW5040,JW7221,JW1531M,JW7806-4.5,JW5068A,JW5262C,JW18288E,JW5250A,JW5056F,JW18288D,JW7109,JW7807-2.8,JW18288C,JW7807-2.9,JW18288B,JW5068C,JW1962FG,JW1531B,JW7807-2.7,JW7807-2.5,JW7807-2.2,JWH5140,JW5262M,JW7211,JW5262L,JW7807-2.1,JW5371F,JW7221L,JWH5141,JW5250S,JW5393,JW5262N,JW5392,JW7806-4.0,JW1531O,JW5394,JW5069A,JW1568K,JW5059TC,JW1515HA,JW1520D,JWB18226,JW5069C,JW1962EG,JW1532B,JW5059TF,JW5057C,JW1556B,JW5033C,JW1556C,JW1532A,JWH5140F,JW5066,JW7124,JW7808-2.75,JWH5276,JW5372F,JWH5155,JW3362-XXX,JWM9106EC,JWH5156,JWM9203CL,JW5057S,JW5142P,JW7122,JW5065,JW1565J,JW7807-1.8,JW7807-1.5,JW5056,JWH5280,JW5361M,JW7112,JW7808-2.85,JW7113,JW7807-1.2,JWM367H,JWH6375,JW7118,JW5361F,JWH5042,JW5361H,JWH6374,JW15307,JW5292,JWH5046,JW5291,JWH7103,JW5058S,JW5393HF,JW5143P,JW7806-3.0,JW5293,JW7806-3.1,JWQ7065,JW7806-3.2,JW7806-3.3,JWQ71910,JWB1981S2,JWB1981S3,JWB1981S4,JWS29001CA,JWS29001CB,JWB1981S5,JWB1981S6,JW1566A,JW1962GG,JW16608F,JW1816,JW1962JG,JW1536AC,JW5362H,JWB1997A,JW5352HFM,JW5361HM,JWH7232,JW16066B,JW5393CF,JW16066C,JW7260,JW5361HF,JW19673C,JW5186CU,JW15329B,JW15329A,JW7265,JW7806-2.5,JWB1997M,JWQ5125A,JWB1997N,JWH71524H,JW7806-2.7,JW7806-2.8,JW1602,JW7806-2.9,JW1660B,JWB1997S,JW5363F,JW1609,JW1236A,JW5018YF,JW3902,JW1236B,JW3903,JWH71524L,JW1606,JW1962IG,JWH7241,JWM367,JWH5141F,JW1996HG,JWM368,JWM369,JW16803O,JW5363H,JWH6396,JW5070,JW5186DU,JW5071,JW15328A,JW7806-2.2,JW15158AS,JW15328B,JWQ5102A,JW5255A,JW7105B,JW5186DH,JWM362,JW5352M,JW7228P,JW5352H,JW7107S,JW7700A8,JW1681O,JW18222S,JWB1995B,JWQ29021,JWQ5102C,JWQ5102B,JW7806-1.8,JW7806-1.9,JW1985,JW1149H,JW3655E,JW1807BH,JWH5084,JW1962KG,JWH5083,JWS22251,JW5092,JW15326B,JW19698F,JW19698E,JW5093,JWQ5102CSF,JW7806-1.2,JW19698C,JWB1995SB,JW7806-1.5,JW5015A,JW1332C,JW1332B,JW5100A,JW5100B,JW1332A,JW1807CH,JWQM93902A,JW7809-1.2,JW19818JT,JWQM93902F,JWH5103CSF,JW1518HCD,JW1255O,JWQ5123
SiC器件在电动汽车无线充电的应用及技术优势
无线电能传输技术是一种新兴的充电技术,通过电磁感应原理将电能从发射侧装置传输到接收侧装置中,再通过功率变换电路给负载进行充电,从而实现非接触式充电。近年来,电动汽车无线充电技术备受关注,并逐步走向商业化应用。本文将重点探讨碳化硅器件在电动汽车无线充电的应用及技术优势。
【IC】爱仕特新款高可靠汽车级碳化硅功率模块DCS12,封装一次铸造成型,为高速发展的新能源汽车注入动力
深圳爱仕特科技有限公司推出新款汽车级碳化硅功率模块DCS12,旨在缩小半导体器件使用尺寸的同时,提高逆变器功率密度、可靠性、耐用性以及寿命周期,给高速发展的新能源汽车注入动力。
昕感科技将携SiC器件、SiC功率模块以及电源模组方案亮相2024慕尼黑上海电子展
2024年7月8号-10号,慕尼黑上海电子展将在上海新国际博览中心隆重举行。昕感科技作为大功率器件及模组解决方案IDM厂商,将携SiC器件、SiC功率模块,以及电源模组方案亮相。最新推出的1200V/7mΩ、1200V/13mΩ SiC MOSFET将会现场展出。展位号: E3馆 3166。
辰达行携整流器件、小信号器件、保护器件、MOSFET和SiC器件亮相elexcon2024深圳国际电子展
8月27日至29日,elexcon2024深圳国际电子展在深圳会展中心(福田)隆重开幕。此次展会中,MDD辰达半导体精彩亮相,展示了其最新系列产品及针对工业控制、汽车电子、智能家电等领域的应用方案。
无锡市委常委、江阴市委书记赴昕感科技视察指导,合力推动功率半导体芯片项目建设
2024年6月14日上午,无锡市委常委、江阴市委书记许峰以市人大代表的身份,深入一线、现场视察,听取民意、汇集民智,不断开创江阴高质量发展新局面。昕感科技作为代表企业受到许峰书记一行视察指导。江苏昕感科技有限责任公司专注于功率半导体芯片的研发及产业化,产品广泛应用于新能源汽车、光伏发电等领域。
【应用】SiC器件可在5G基建、新能源汽车充电桩、工业互联网等领域中提高电能利用率
碳化硅(SiC)材料是功率半导体行业主要进步发展方向,用于制作功率器件,可显着提高电能利用率。可预见的未来内,新能源汽车是碳化硅功率器件的主要应用场景。特斯拉作为技术先驱,已率先在Model 3中集成全碳化硅模块,其他一线车企亦皆计划扩大碳化硅的应用。
新能源汽车、5G手机,第三代半导体的“春天”
从固话通讯和燃油汽车,到5G智能手机和新能源汽车,电力电子产品已经成为了我们生活的一部分,而这一过程的转变都离不开宽禁带半导体——第三代半导体。 第三代半导体具备着高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率等特点,因此被业内誉为固态光源、电力电子、微波射频器件的“核芯”以及光电子和微电子等产业的“新发动机”。
高压快充推动碳化硅SiC器件产业化:新能源汽车市场趋势与技术革新
随着全球新能源汽车市场的蓬勃发展,高压快充技术作为新能源汽车补能的主要解决方案,正逐步成为市场主流。凭借多年来在磁性元器件领域中积累的研发技术、生产经验,铭普已形成PFC电感、共模电感、电源变压器、PLC变压器和塑封逆变电感等系列产品矩阵且积极与碳化硅芯片公司合作。
无锡市委书记杜小刚一行视察昕感科技晶圆厂建设情况
江苏昕感科技有限责任公司专注于功率半导体芯片制造,总投资20亿元,总建筑面积超4.5万平,核心生产无尘室面积达1万平。产品广泛应用于新能源汽车、光伏发电等领域。预计8月份设备进场调试,12月底正式投产,项目满载后产值可达数十亿元。
森国科董事长受邀出席2024全球新能源智能汽车电子技术创新大会并作重要演讲
2024年7月18日,2024全球新能源智能汽车电子技术创新大会在深圳盛大举办。大会现场云集500+家半导体、新能源汽车企业,超20位行业专家分享干货,6场行业细分领域分论坛。森国科董事长杨承晋先生受邀出席第三代半导体分论坛,并作为演讲嘉宾与来自全球的汽车行业领袖、技术专家及行业精英共襄盛举。
【元件】基本半导体碳化硅MOSFET通过AEC-Q101车规级认证,全力推进新能源汽车高效应用
近日,基本半导体自主研发的1200V 80mΩ碳化硅MOSFET AB2M080120H顺利通过AEC-Q101车规级可靠性认证,产品性能和可靠性满足汽车电子元器件在极端环境下的严苛要求,至此公司获车规级认证的碳化硅功率器件产品家族再添一员。
电子商城
服务
可定制UV胶的粘度范围:150~25000cps,粘接材料:金属,塑料PCB,玻璃,陶瓷等;固化方式:UV固化;双固化,产品通过ISO9001:2008及ISO14000等认证。
最小起订量: 1支 提交需求>
可定制丙烯酸酯胶粘剂的粘度范围:250~36000 mPa·s,硬度范围:50Shore 00~85Shore D,其他参数如外观颜色,固化能量等也可按需定制。
最小起订量: 1 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论