ATP e.MMC集成数据刷新技术，确保数据在使用寿命期间的可靠性和准确性，对2D NAND e.MMC提供长期供货支持
技术发展日新月异，今天的新事物可能很快就会过时。然而，在嵌入式世界中，许多关键任务系统需要在零件制造商已经停产之后继续运行数年。
3D NAND闪存自推出以来已经取得了长足的进步，并因其卓越的单元特性而成为行业标准，与平面2D NAND相比，它提供了更高的容量、更大的可扩展性、更低的功耗和众多优势。虽然3D NAND将不可避免地在许多电子设备中取代2D NAND，但许多行业仍在使用需要2D NAND解决方案的旧有系统。
平面2D NAND的需求仍将长期存在
3D NAND闪存技术无疑彻底改变了数据存储。在这个日益互联的世界中，人工智能（AI）、机器学习（ML）和数据密集型应用程序正在成为常态，用户需要更多更大的存储空间。
然而，大多数嵌入式应用程序（如启动和日志文件使用）不需要巨大的存储空间。此外，许多系统仍在传统接口上运行，如果为了适应最新技术去转换或重新设计运作模式，将带来巨大的成本，甚至会扰乱正在进行的业务。
原生平面型2D NAND由于其存储密度较低，与采用3D NAND转换为低容量产品的解决方案相比，2D NAND解决方案更具成本效益。
为了避免硬件过时对运营成本造成的负面影响，许多企业现在和未来几年仍然需要平面2D NAND。
ATP 2D NAND e.MMC：容量小但功能强大
由于其紧凑的外形尺寸、低功耗和其他高级特性，e.MMC越来越多地被工业和嵌入式应用所采用，例如连接到工业物联网（IIoT）的微型传感器。它还广泛用于网络、操作系统/启动、游戏设备、强电磁干扰（EMI）环境，及其它应用领域。ATP Electronics的e.MMC解决方案专为空间受限的系统而设计和制造，这些系统需要具有坚固可靠性和使用寿命的存储。
为了满足对基于2D NAND闪存的e.MMC的持续需求，ATP Electronics致力于长期向客户提供低容量e.MMC，产品容量包括MLC 8GB/16GB，pSLC模式的4GB/8GB。
令人耳目一新的特点
ATP Electronics的e.MMC解决方案集成了数据刷新技术，可确保数据在整个使用寿命期间的可靠性和准确性。这些技术可防止在频繁读取（热）区域和很少访问（冷）区域发生的读取干扰错误，这些错误超出了纠错码（ECC）的能力。这些不可纠正的错误通常发生在NAND闪存累积100,000个读取周期之后。
· 对于热区干扰：AutoRefresh技术
AutoRefresh技术通过监控每次读取操作中的错误位级别和读取计数，提高了只读区域的数据完整性。它会检测读取计数何时即将超过阈值，并在达到限制之前将受影响的存储块中的数据复制到健康存储块。这样可以防止控制器读取具有过多错误位的存储块，并避免无法纠正的数据损坏。重新编程操作完成后，控制器读取并比较数据以确保其完整性。
· 针对冷区扰动：动态数据刷新技术
AutoRefresh侧重于密集读取区域，而动态数据刷新可减少读干扰并保持很少访问的区域的完整性。数据刷新用于解决因在很少访问的区域长期存储而产生的数据保留和数据丢失问题。
在不影响前端读/写性能的情况下，动态数据刷新在后台自动运行。一点一点地，它按顺序扫描带有标记记录的“冷”区域。如果错误位数或读取计数超过阈值，数据将移动到健康的存储块，以防止数据丢失的风险。
下图演示了ATP的自动刷新和动态数据刷新技术如何防止汽车导航应用中的读干扰错误。
功能特性
· 提供多层单元（MLC）和伪单层单元（pSLC）模式配置
· ULA（超低阿尔法）化合物可以抵抗阿尔法粒子，并将阿尔法粒子引起的软错误率降低到1/100
· 确保数据完整性的高级固件功能：
用于热区的自动刷新技术（经常读取）读取干扰保护
冷区动态数据刷新技术（很少访问）读取干扰保护
· 动态电源管理（自动挂起模式）
· 可追溯性（二维码）
· 全系列工作温度额定值
商用级（C-Temp）：-25至85℃
工业级（I-Temp）：-40至85℃
扩展工业级（Extended I-Temp）：-40至105℃
汽车级AG2：-40至105℃
汽车级AG3：-40至85℃
· 有竞争力的成本
· 提供高级运行状况报告
产品规格
名字里有什么？我们在这里
ATP e.MMC的力量不仅在于产品本身，更在于它背后的ATP名称。作为专业内存和NAND闪存产品的领导厂商，ATP拥有超过30年的业界经验，在NAND应用特性方面拥有丰富的知识。ATP使用高质量的组件，并确保从集成电路（IC）级别开始筛选。
在ATP自己的专用工厂中，e.MMC由世界一流的工程师和高素质的生产团队精心设计，制造和测试，使用最先进的技术，包括ATP独有的固件和测试平台。ATP完全控制着整个制造过程，从晶圆到最终产品的生产。ATP进行内部测试、质量控制、快速诊断测试（RDT） 和内部现场应用支持。
通过承担对各个环节的责任和管理，ATP保持对其价值链和供应商的控制。为确保供应链稳定，我们采用长生命周期计划、受控物料清单（BOM）和缓冲库存管理。
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产品型号
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品类
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Density（Mb、Gb、GB、TB）
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Speed（MT/s、Gbps、MHz）
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Voltage (V）
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Memory
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Temp. Range (℃)
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Bus
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Interface
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Package
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Size (mm)
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FI4S26M016GSC3
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DDR4 DIMM
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16GB
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2666MT/s
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1.2V
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DDR4
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0℃ to 85℃
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64bits
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260pin
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SODIMM
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69.6 x 30mm
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选型表 - FORESEE 立即选型
Worldwide Leader in Legacy Memory PRODUCT CATALOG 2024
型号- AS4C8M16SA-7TXN,AS6C2008A,AS6C62256-55SXN,AS4C2M32S-7BXN,AS4C64M4SA-6TIN,ASFC64G31T5-51BIN,AS4C8M32MD2A-25BPCN,AS4C64M32MD2A-25BIN,AS5F18G04SND-10LIN,AS1C512K16P-70BIN,AS4C8M32MSB-6BIN,AS7C38096B-10BIN,ASFC32G31T3-51BIN,AS29CF160B-55TIN,AS4C16M16SA-6TXN,AS7C31025C-12JIN,AS4C256M16D3LC,AS4C16M32MSB,AS7C31024B-XXTCN,M29F160FT55N3E2,AS4C16M32MSA,AS4C64M16MD2A-25BIN,AS4C32M16MSB-6BIN,M29F800FT55N3E2,AS25F1128MQ-70WIN,AS7C1024B-XXJCN,AS5F34G04SNDB-08LIN,AS29CF800T-55TIN,AS4C8M16SA-6BXN,AS4C4M16SA-6TXN,AS9F38G08SA-25BIN,AS7C31025B-12TJIN,N25Q064A13ESFA0F,AS25F364MQ-10WIN,AS4C32M8D1-5TXN,AS9F31G08SA-25BIN,AS4C256M16D4-83BXN,38096A,AS7C31025B-XXJIN,AS1C1M16P-70BIN,AS25F34MD-10S1IN,AS6C6416-55TIN,AS4C128M8D2A-25BXN,256B,AS4C64M4SA-7TCN,256A,AS4C16M16SA 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FORESEE工业存储产品选型指南
目录- eMMC NAND Flash nMCP DDR3L SSD DDR4 DIMM Company Profile
型号- FS33ND04GS108TFI0,FISKRM032G-B2A43,FISQRM128G-B2A43,FEMDRW008G-88A43,FI4V26W008GSD5,F60C1A0004-M6AR,FISPRM128G-B2A43,FEMDMW008G-88A37,F35SQA512M-WWT,FEMDMW008G-88A39,FISKRW008G-B2A53,FISHRM001T-G8A56,FI4V26M008GSC3,FISPRM001T-G8A56,FSEIASLD-64G,F35SQA002G-WWT,FSEIASLD-32G,FEMDRW128G-88A19,FI4S26W016GSD5,FEMDRW032G-88A19,F35SQA001G-WWT,FI4S26W008GSD5,FEMDMW032G-88A19,FISQRM032G-B2A53,F70ME0101-RDWA,FEMDRW008G-88A39,FSNS8A002G-TWT,FEMDME004G-A8A39,FSNS8A001G-TWT,FS33ND04GS108BFI0,FISKRW032G-B2A43,FEMDMW016G-88A43,FI4S26M016GSC3,FISQRM064G-B2A43,FISHRW256G-G8A56,FEMDME008G-A8A39,FEMDME016G-A8A58,FISKRM008G-B2A53,FEMDME008G-A8A43,FEMDME032G-A8A58,FISPRM064G-B2A43,FI4V26W016GSD5,F35UQA002G-WWT,FS704B2R1CH6A2KAM,FISPRW064G-B2A43,FSNU8A002G-TWT,FEMDMW064G-88A19,FISQRW064G-B2A43,F70ME0101D-RDWA,FISKRW032G-B2A53,FISPRW256G-G8A56,FEMDME064G-A8A58,F35UQA001G-WWT,FEMDMW016G-88A37,F60C1A0004-M79W,F60C1A0004-M79R,FISKRM064G-B2A43,FISKRW016G-B2A53,FEMDRM016G-58A43,FISQRW032G-B2A53,FISKRW064G-B2A43,FSNU8A001G-TWT,FISHRM064G-B2A43,FISHRM256G-G8A56,FISHRW064G-B2A43,FISPRM512G-G8A56,FISKRM032G-B2A53,FS35ND04G-S2Y2QWFI000,FISPRW128G-B2A43,FISQRW128G-B2A43,FI4S26M008GSC3,FISHRW001T-G8A56,FISKRM016G-B2A53,FISPRW512G-G8A56,FS33ND01GS108BFI0,FISQRM016G-B2A53,FISQRW032G-B2A43,FEMDME016G-A8A43,FISHRW128G-B2A43,F60C1A0002-M69W,FSEIASLD-128G,FISKRM128G-B2A43,FISQRM032G-B2A43,FISHRM128G-B2A43,FISPRW001T-G8A56,FEMDRM008G-58A39,FISQRW016G-B2A53,FISHRW512G-G8A56,FISKRW128G-B2A43,F60C1A0002-M6AR,FISPRM256G-G8A56,FEMDRW016G-88A43,F35UQA512M-WWT,FISHRM512G-G8A56,FEMDRW064G-88A19
澜智（ZETTA）闪存选型表
提供澜智闪存选型表：NOR Flash：容量可达2Mb~1Gb，SPI接口，可擦写次数达10万次；EEPROM：容量可达2Kb~1Mb，可擦写次数达300万次；NAND Flash：容量可达1Gb~8Gb，支持内嵌的4bits/256bytes的ECC处理，支持标准SPI口以及SLC，可擦写次数达10万次
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产品型号
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品类
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Type
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Density
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Interface
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Voltage
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Package
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ZD24C08A-SSGMT
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I²C兼容（2线）串行EEPROM
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EEPROM
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8Kb
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I2C
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1.65V-5.5V
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SOP8-150
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选型表 - ZETTA 立即选型
e.MMC MLC Solutions The Global Leader in Specialized Storage and Memory Solutions
型号- E700PI,E600SA,E700PIA,E600SIA,E700PA,E600SI,E600SC,E700PAA,E600SAA,E700PC
【经验】什么是NAND闪存的检错校正，LDPC，BCH，Reed-Solomon算法？
本文介绍了NAND闪存存储设备中坏块以及ATP NAND闪存设备采用先进的错误检测和纠正技术。
设计经验 发布时间 : 2020-01-15
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