【IC】新洁能新品Gen.5 Trench MOSFET PMOS 30V系列：超高成度、超短沟道长度

时间： 2024-08-22 来源：NCE（无锡新洁能股份有限公司公众号）

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新洁能研发团队持续创新，中低压沟槽型工艺平台推出增强型MOSFET G5系列新品，电压涵盖20-60V系列产品，N型沟道和P型沟道，不同功率级别的众多封装外形系列产品，已在8英寸和12英寸产线成功量产，本次着重推介PMOS 30V产品型号。

G5系列在已有沟槽型工艺平台基础上，芯片具有超高成度，超短沟道长度特点。产品采用超高元胞密度、超小线宽独特设计，使得单位芯片面积内电流密度增加，集成度较上一代产品提高了1.5倍以上，Rsp以P30V为例降低46.88%，产品鲁棒性保持上一代的水平。

产品型号

产品特点

◆ 超低特征导通电阻Rsp

◆ 高可靠性

◆ 高鲁棒性

◆ 高功电流密度

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zwjiang Lv9. 科学家 2024-11-21

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