一文分享半导体的基本知识

时间： 2024-09-07 来源：BORN官网

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半导体是导电能力介于导体与绝缘体之间的一种物体。它内部运载电荷的粒子有电子载流子。

半导体是一种介于导体和绝缘体之间的材料，具有特殊的电子导电性质。在半导体中，电子的能带结构介于导带和价带之间，使得半导体的导电性能可以通过控制外部条件来调节。

半导体的基本特性包括以下几个方面：
1. 导电性：

半导体的导电性能取决于其带隙大小。在半导体中，价带中的电子几乎被占满，而导带中的电子几乎为空。只有当电子获得足够的能量时，才能从价带跃迁到导带中，形成电流。因此，半导体的导电性介于导体和绝缘体之间。

2. P型和N型半导体：

掺杂是一种改变半导体导电性的方法。掺杂是在纯净的半导体中添加少量的杂质，形成P型或N型半导体。在P型半导体中，掺入的杂质具有多余的电子，被称为施主；而在N型半导体中，掺入的杂质具有缺少的电子，被称为受主。掺杂使得半导体中的载流子浓度增加，从而增强了其导电性能。

3. PN结：

PN结是由P型和N型半导体直接接触形成的结构。在PN结中，P区和N区的电子重新排布，形成正空穴和负电子的扩散电流。在PN结中，P区的施主和N区的受主发生复合，形成电子与正空穴的复合电流。PN结具有整流特性，在外加正向偏置电压时，电流容易通过；而在反向偏置电压时，电流几乎无法通过。

4. 半导体器件：

基于半导体材料的特性，发展出了各种各样的半导体器件。常见的半导体器件包括二极管、晶体管、场效应管、集成电路等。这些器件通过控制半导体材料中的电子行为，起到放大、开关、存储等功能。

5. 温度特性：

半导体的导电性能与温度密切相关。随着温度的升高，晶格振动增强，导带中的电子数量增加，使得半导体的导电性增强。但在高温下，半导体的材料可能熔化或氧化，导致电性能受到限制。

总之，半导体是一种具有特殊导电性质的材料，广泛应用于电子器件、通信技术、能源产业等领域。在不断的研究和发展中，半导体技术已经成为现代社会的重要支撑之一。

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型号- 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中电国基南方（CETC）SiC电力电子器件选型指南

描述- 中电国基南方是国内最早从事SiC电力电子器件研发和生产的企业。在SiC为代表的第三代功率半导体领域承担了国家科技重大专项、“863”、“973”、国家重点研发计划等超过80项国家级课题；申请发明专利超过200多项，其中PCT10项，已授权67项。产品系列电压覆盖650V-6500V，电流覆盖2A-150A，产品性能和可靠性满足多种应用需求，已广泛应用于新能源汽车及充电设备、轨道交通、新能源发电、电网传输、家用电子设备等领域。

型号- WS4A020120A,WS4A050065D,WMH075M120A1A,WS4A050065B,WS4A020120B-V,WS4A020120B,WS4A020120D,WS4A040120K,WMIT075M120B1A,WS4A040120D,WM2HA020065Y,WS4A040120B,WMT075M120B1A,WMH020M065A1A,WS4A030065D,WS4A020120J,WS4A040120B-V,WS4A020120K,WS4A030065J,WS4A025170B,WS4A025170D,WS4A030065B,WM2A030065L,WM2A030065K,WS4A030065K,WS4A050170B-V,WMD075M120B1A,WM2HV020170L,WS4A006065F,WM2HV020170K,WS4A006065E,WS4A004065A0,WS4A006065B,WS4A006065A,WS4A010065E,WS4A015065J,WS4A010065F,WS4A010065A,WS4A015065F,WS4A010065B,WM2A080170N,WM2A080170L,WM2A080170K,WM2HV140120N,WM2HV140120L,WM2HV040065L,WM2HV040065K,WM2HA040120N,WM2HA040120L,WM2HA040120K,WM2A060065N,WM2A060065K,WM2HV040065N,WM2A060065L,WS4A050170B,WM2A060065Y,WM2HA030120N,WM2HA030120K,WS4A050170D,WM2HA030120L,WM2HA020120K,WM2HV140120K,WS4A005120E,WM2HA020120L,WM2A040120L,WM2HV020120N,WM2HA020120N,WM2HV020120K,WM2HV020120L,WM2A040120K,WS4A010065J,WS4A015120J,WS4A015120D,WM2V080170K,WS4A050065B-V,WS4A005120A,WS4A005120B,WMH016M120A1A,WM2V080170L,WM2HA040065N,WM2V080170N,WM2HA040065L,WM2HA040065K,WS4A020065A,WS4A020065D,WS4A020065B,WM2HV030120K,WS4A020065B-V,WM2HA040065Y,WS4A020065F,WS4A015120A,WM2V040120L,WM2V040120K,WS4A015120B,WMH060M120A1A,WM2HA011075K,WM2HA011075L,WM2HA04006Y,WM2HV030120N,WS4A060120D,WS4A020065K,WM2HV030120L,WS4A020065J,WM2HA024200LP,WS4A060120K,WM2V040170L,WM2V040170N,WS4A025170B-V,WM2V040170K,WMH080M170A1A,WS4A030120K,WS4A030120B-V,WM2HV060120L,WM2HV060120K,WM2HV060120N,WMIT040M120B1A,WM2HV011075L,WM2HV011075K,WS4A200120T,WMT040M120B1A,WM2HA240120N,WS4A010120E,WS4A004065F0,WS4A010120D,WS4A010120B,WS4A010120A,WM2A050330L,WM2HA240120E,WS4A008065B,WM2HV040120L,WS4A060065K,WS4A008065A,WMD040M120B1A,WS4A008065F,WS4A008065E,WM2HA140120L,WSXAXXXXXX0,WM2HA140120K,WM2HA140120N,WS4A050120D,WS4A050120B,WMH040M120A1A,WM2HV016120L,WM2HV016120K,WM2HA020170L,WS4A010120J,WM2HA020170K,WS4A040065K,WS4A050120B-V,WMH060M075A1A,WS4A015065A,WS4A015065B,WM1A650170N,WM1A650170K,WM2A075120K,WM2A075120L,WM2A075120N,WM2V020065N,WM2V020065K,WM2V020065L,WS4A004065B0,WS4A004065E0,WMXAXXXXXX0,WM2V075120N,WM2HA060120K,WM2V075120K,WM2HA060120L,WM2V075120L,WM1A080120K1,WM2HA060120N,WM2HV075120L,WM2HA020065K,WS4A030065B-V,WM2HA020065L,WM2A040170K,WM2A040170L,WM2A040170N,WM2HA016120L,WM2HA016120K,WM2HA020065N,WM2HA016120T,WM2A060090N,WMH020M120A1A,WM2A060090K,WM1A080120L1,WM2A060090L,WM2A100200LP,WM1A01K170K,WS4A030120D,WM2A050200LP,WM2A020065L,WM2A020065K,WM2A020065N,WM1A01K170N,WS4A030120B

选型指南 - 中电国基南方 - 2024/7/30 PDF 中文下载

TVS二极管检测事项

TVS二极管是一种专门用于保护电子电路免受瞬态电压冲击的器件，广泛应用于电子设备的过压保护中。由于瞬态电压的高频率和高电压特性，TVS二极管通过快速响应将过电压钳位在安全范围内，保护敏感的电子器件。为了确保TVS二极管在电路中正常发挥作用，在使用前进行全面的检测是非常必要的。本文将介绍TVS二极管检测时需要注意的关键事项，帮助工程师确保其功能和性能的稳定性。

技术探讨发布时间 : 2024-10-12

【选型】中电国基南方SiC电力电子器件（SiC MOSFET/SiC SBD）选型指南（英文）

目录- Company profile SIC MOSFET/SIC SBD Introduction SIC MOSFET SIC SBD

型号- WM1A280120B,WM1A030065K,WS4A004065WB,WM2A017065B,WM1A030065L,WS3A003065E,WM1A080170B,WS3A003065A,WS3A050120D,WM1A160065B,WS3A015065F,WM1A01K170B,WS3A015065J,WS3A010170A,WM1A080170K,WS3A003065J,WM1A080170L,WS3A008120E,WS4A002065WB,WM1A280120N,WS3A008120A,WM1A280120K,WS3A030120K,WS4A008065A,WS3A030120D,WM1A025120K,WM1A025120L,WS3A008120J,WS3A060120K,WS4A008065E,WSXAXXXXXX0,WS4A012065A,WS4A004065E,WS3A005120J,WS3A003120A,WS3A005120E,WS3A003120E,WS3A020120J,WM1A045170K,WM1A045170L,WM1A080120K,WS3A020120D,WS3A020120A,WS3A010065J,WM1A045170B,WS4A002065A,WS4A006065E,WM1A080120B,WS3A002330D,WS4A006065A,WS4A010065E,WS4A010065A,WS3A016120K,WM1A080120N,WS3A020120K,WS3A005120A,WS3A008065E,WS3A008065F,WS3A003120J,WS3A012065J,WS3A012065K,WS3A008065A,WM2A025120B,WS3A008065J,WS4A004065A,WS3A004065A,WS3A012065F,WS3A012065D,WS3A012065E,WS3A005170A,WS3A012065A,WS3A020065J,WM1A120065K,WS3A020065F,WS3A020065D,WS3A006065E,WS4A012065WB,WS3A006065F,WS3A020065A,WS3A010120J,WS3A002065A,WS3A010120K,WM1A120065N,WS3A006065J,WS3A015120A,WS3A002065F,WS3A015120D,WS3A002065E,WS3A010065D,WS3A010065E,WS3A002065J,WS3A025650B,WS3A006065A,WS3A010065F,WS3A040065K,WS3A016065K,WS4A008065WB,WS3A010065A,WS3A001330D,WS3A020065K,WS3A012120K,WS4A010065WB,WM1A017065L,WM1A017065K,WS3A004065J,WS3A030330K,WM2A030065B,WM2A060065B,NSD10220S,WS3A004065E,WS3A004065F,WM1A060065L,WM1A060065K,WM1A060065N,WMXAXXXXXX0,WM1A01K170N,WM1A040120L,WM1A040120K,WS3A002120A,WS3A006120E,WS3A002120E,WM1A01K170K,WS3A006120J,WS3A015065A,WS3A015065D,WM1A160120B,WS3A010120D,WS3A002120J,WS3A010120E,WS3A015120E,WM1A160120N,WS3A024065K,WS3A006120A,WS3A015120J,WM2A120065B,WM1A160120K,WS3A040120K,WS3A010120A,WM1A040120B,WS3A030065A,WS3A005330D,WS4A020065K,WS3A030065J,WS4A006065WB,WS3A030065K,WS4A016065K,WS3A030065D,WS3A030065F,WS3A060065K

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100V/33A的N沟道场效应管IRF540NS，具有低导通电阻和低阈值电压等特性

萨科微半导体推出的中压MOS管IRF540NS作为一款性能卓越的N沟道场效应管，漏源电压达到100V，连续漏极电流为33A，具有低导通电阻和低阈值电压等特性，使其成为通信系统中电源管理、驱动控制和能量转换的理想选择。

产品发布时间 : 2024-05-13

LED灯珠发光二极管原理与电性参数

LED是取自Light Emitting Diode三个字的缩写，中文译为“发光二极管”，顾名思义发光二极管是一种可以将电能转化为光能的电子器件，具有二极管的特性。本文HOIVWAY来为大家介绍LED灯珠发光二极管原理与电性参数，希望对各位工程师朋友有所帮助。

技术探讨发布时间 : 2024-10-01

半导体分类知识大全：半导体产品类别该如何区分？

半导体产品的类别应该怎么去区分呢？按照国际通行的半导体产品标准方式进行分类，半导体可以分为四类：集成电路，分立器件，传感器和光电子器件，这四类可以统称为半导体元件。本文凌讯微电子将为您详细讲解。

技术探讨发布时间 : 2023-11-15

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详细介绍激光二极管的基本原理、结构、材料、种类和应用

激光二极管（半导体激光器）是一种利用半导体pn结将电流转换成光能并产生激光的电子器件。激光二极管具有优异的指向性和直进性，作为一种容易控制能量的光源，被广泛应用于光通信、医疗、感测、数据存储和休闲娱乐等领域。其基本原理是利用电子和空穴复合时产生的光。目前市场上已有不同波长和输出特性的众多产品。本文将详细介绍激光二极管的基本原理、结构、材料、种类和应用。

技术探讨发布时间 : 2024-09-15