瞬态热阻抗测试原理、步骤及结构函数解读

IGBT的短路测试

在我们设计产品进行IGBT选型的时候，我们在关注电流、电压、损耗等等性能参数中，短路耐量一直是备受关注的一点。而这时的关注也仅仅是“人群中多看你一眼”的节奏，有没有后续还得看实际测试，这也是众多规格书中基本存在的一句话“仅作参考”。所以，切实有效的测试才是下决定前最重要的一环，不同的工况有着不一样的需求，只有切实地验证之后才能较为放心大胆的使用。

电动汽车动力“心脏“IGBT全面解析：构成本质、原理、工作范围、关键特性、应用指南

本文将详细探讨IGBT的工作原理、结构特点、适用范围，以及与其他功率器件（如MOSFET和双极晶体管）的比较，并通过实际应用产品的分析，揭示IGBT在不同领域中的独特优势。

IGBT器件技术——氢注入场截止技术发展历程、技术及优势

随着电力电子技术的快速发展，功率半导体器件在电力转换和控制领域中发挥着关键作用。随着IGBT器件应用工况越来越严苛，对性能应用的效率越来越高，IGBT器件性能提升显得更为重要。本文介绍氢注入技术发展历程、工艺技术及优势。

模块化储能PCS技术“大比武”，功率IGBT模块是核心

本文讨论了模块化储能PCS技术在储能领域中的快速发展和应用，强调了其因分布式场景多样化和储能安全、经济需求而得到重视。文章还详细介绍了部分企业的模块化储能PCS产品和技术特点，此外，文章还提到了模块化PCS技术在应对系统能量密度提升、削峰填谷、电力稳定等方面的优势。整体而言，模块化储能PCS技术正逐渐成为储能领域的重要发展方向，为分布式能源和智能电网的发展提供了有力支持。

研讨会2024功率器件新技术研讨会

描述- 11月21日在线直播，带来低导通电阻的功率MOS、集成驱动的GaN IC、IGBT新技术、用于电机驱动/BMS/移动储能的SGT MOS、高压车规SiC功率MOS、国产车规IGBT模块等功率器件新产品新技术，点击了解报名

议题- 降低20%导通电阻的功率MOS  |  集成驱动的GaN IC  |  沟槽栅场截止型IGBT新技术  |  适用于电机驱动/BMS/移动储能等应用SGT MOSFET  |  1700V SiC功率MOS  |  国产50A IPM模块  |  高可靠国产车规IGBT模块  |  ROHM——专注功率，电源和模拟技术的全球知名半导体厂商  |  EPC——基于氮化镓（GaN）功率管理器件的领先供应商  |  致力于功率器件和智能传感器技术的专业半导体厂商——瑶芯微（ALKAIDSEMI）  |  中国半导体功率器件十强企业：扬杰科技（YANGJIE）  |  致力于成为双碳时代功率半导体中国领跑者——阿基米德半导体（Archimedes）  |  中国领先的碳化硅（SiC）半导体和芯片解决方案提供商——瞻芯电子（InventChip）  |  专业从事电源管理、电机驱动、微控制器、传感器的集成电路和系统方案的设计与开发——华润微电子（CRM ICBG ）  |  Kyocera（京瓷）——全球领先的材料与电子元件制造商  |  Shindengen（新电元）——“桥王”，整流桥全球份额占比约40%  |  中国半导体功率器件十强的主板上市企业——新洁能（NCEPOWER）  |  国内首家抗负压能力可达-40V/600ns的电机驱动（HVIC）制造商——数明半导体  |  国内领先的半导体分立器件整合制造商 (IDM) —— 捷捷微电(JieJie Microelectronics）  |  国产一站式电路保护解决方案专家——硕凯（SOCAY）  | 

车规模块内部集成RC-snubber

增加RC-snubber有效地抑制了阵地和电压尖峰。电流尖峰幅值的增加是由于snubber电容放电而产生。这种节约效果是显著的，表现在8%的rms电流或12%的结温度。这些发现有助于增加rms输出电流或减少有源芯片面积，以节省成本。

阿基米德半导体携光储及车用IGBT模块实力亮相上海第十七届SNEC展会！

6月13至15日，阿基米德半导体在十七届全球SNEC展会璀璨亮相，阿基米德半导体展示了SiC MOSFET/IGBT单管，半桥IGBT模块，三电平IGBT模块, SiC模块等众多产品。这些产品广泛应用于直流快充/超充，工业电源，感应加热，光伏逆变器，储能PCS，新能源汽车等领域，为行业实现了更高的可靠性和能源转化效率。

栅极电荷的理解与应用

​为了有效的使用功率器件，有必要了解规格书中的栅极电荷信息。栅极电荷信息一般出现在规格书的两个位置：一、在动态特性的表格中；二、在特性图中展示栅源电压与总栅极电荷特性曲线。本文阿基米德半导体来给大家分享栅极电荷的理解与应用。本文说明针对MOSFET，但也同样适用于IGBT。

车规级SiC/IGBT厂商阿基米德半导体授权世强硬创代理，助力碳中和

阿基米德半导体1200V 75A IGBT芯片综合损耗超过国际友商IFX3代产品20%、6代产品15%；1200V 60A FRD芯片的反向恢复特性优于国内友商20%。

阿基米德半导体首席科学家刘胜院士一行拜访重点客户！

2024年2月27至3月1日，阿基米德半导体公司首席科学家刘胜院士、CEO、CTO等核心团队拜访公司重点客户深圳麦格米特电气股份有限公司（SZ:002851）、深圳市盛弘电气股份有限公司（SZ:300693）、深圳市英威腾电气股份有限公司（SZ:002334），并前往广州拜访新能源汽车领先厂商广汽集团（SZ:601238）和小鹏汽车（HK：09868）并与上述企业主要负责人进行深入交流。

为什么说IGBT的诞生，使人类“驯服”了电！

IGBT（绝缘栅双极型晶体管）在新能源汽车行业中占据重要地位，结合了三极管和MOS管的优势。主要用作电流的高效开关，适用于大电压和大电流的操控。其优点包括高输入阻抗、低导通压降与高开关频率。IGBT被广泛运用于新能源汽车的驱动系统、充电桩以及轨道交通等领域。