ROHM提供支持电力电子仿真工具PSIM™的第4代SiC MOSFET仿真模型

2024-09-15 ROHM(罗姆半导体集团公众号)
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全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开始提供支持电力电子仿真工具PSIM™的第4代SiC MOSFET仿真模型。该模型可在Altair® US公司开发的电力电子和电机控制用的电路仿真工具PSIM™中使用。设计人员可从ROHM官网下载模型文件,轻松进行系统级评估。这一进展使得在更广泛的产业领域中进行高效设计和评估成为可能,并能进一步推动功率元器件的使用。


PSIM™的特点

  • 稳健、高速的功率转换器和电机驱动仿真

  • 通过直观的GUI,轻松创建主电路和控制电路

  • 可与Altair多物理场仿真平台联动,比如可利用CFD耦合进行高保真度温度预测


发布的产品


关于PSIM™

PSIM™是 Altair® US公司的商标。

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应:世强硬创平台www.sekorm.com
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型号- WS4A020120A,WS4A050065D,WMH075M120A1A,WS4A050065B,WS4A020120B-V,WS4A020120B,WS4A020120D,WS4A040120K,WMIT075M120B1A,WS4A040120D,WM2HA020065Y,WS4A040120B,WMT075M120B1A,WMH020M065A1A,WS4A030065D,WS4A020120J,WS4A040120B-V,WS4A020120K,WS4A030065J,WS4A025170B,WS4A025170D,WS4A030065B,WM2A030065L,WM2A030065K,WS4A030065K,WS4A050170B-V,WMD075M120B1A,WM2HV020170L,WS4A006065F,WM2HV020170K,WS4A006065E,WS4A004065A0,WS4A006065B,WS4A006065A,WS4A010065E,WS4A015065J,WS4A010065F,WS4A010065A,WS4A015065F,WS4A010065B,WM2A080170N,WM2A080170L,WM2A080170K,WM2HV140120N,WM2HV140120L,WM2HV040065L,WM2HV040065K,WM2HA040120N,WM2HA040120L,WM2HA040120K,WM2A060065N,WM2A060065K,WM2HV040065N,WM2A060065L,WS4A050170B,WM2A060065Y,WM2HA030120N,WM2HA030120K,WS4A050170D,WM2HA030120L,WM2HA020120K,WM2HV140120K,WS4A005120E,WM2HA020120L,WM2A040120L,WM2HV020120N,WM2HA020120N,WM2HV020120K,WM2HV020120L,WM2A040120K,WS4A010065J,WS4A015120J,WS4A015120D,WM2V080170K,WS4A050065B-V,WS4A005120A,WS4A005120B,WMH016M120A1A,WM2V080170L,WM2HA040065N,WM2V080170N,WM2HA040065L,WM2HA040065K,WS4A020065A,WS4A020065D,WS4A020065B,WM2HV030120K,WS4A020065B-V,WM2HA040065Y,WS4A020065F,WS4A015120A,WM2V040120L,WM2V040120K,WS4A015120B,WMH060M120A1A,WM2HA011075K,WM2HA011075L,WM2HA04006Y,WM2HV030120N,WS4A060120D,WS4A020065K,WM2HV030120L,WS4A020065J,WM2HA024200LP,WS4A060120K,WM2V040170L,WM2V040170N,WS4A025170B-V,WM2V040170K,WMH080M170A1A,WS4A030120K,WS4A030120B-V,WM2HV060120L,WM2HV060120K,WM2HV060120N,WMIT040M120B1A,WM2HV011075L,WM2HV011075K,WS4A200120T,WMT040M120B1A,WM2HA240120N,WS4A010120E,WS4A004065F0,WS4A010120D,WS4A010120B,WS4A010120A,WM2A050330L,WM2HA240120E,WS4A008065B,WM2HV040120L,WS4A060065K,WS4A008065A,WMD040M120B1A,WS4A008065F,WS4A008065E,WM2HA140120L,WSXAXXXXXX0,WM2HA140120K,WM2HA140120N,WS4A050120D,WS4A050120B,WMH040M120A1A,WM2HV016120L,WM2HV016120K,WM2HA020170L,WS4A010120J,WM2HA020170K,WS4A040065K,WS4A050120B-V,WMH060M075A1A,WS4A015065A,WS4A015065B,WM1A650170N,WM1A650170K,WM2A075120K,WM2A075120L,WM2A075120N,WM2V020065N,WM2V020065K,WM2V020065L,WS4A004065B0,WS4A004065E0,WMXAXXXXXX0,WM2V075120N,WM2HA060120K,WM2V075120K,WM2HA060120L,WM2V075120L,WM1A080120K1,WM2HA060120N,WM2HV075120L,WM2HA020065K,WS4A030065B-V,WM2HA020065L,WM2A040170K,WM2A040170L,WM2A040170N,WM2HA016120L,WM2HA016120K,WM2HA020065N,WM2HA016120T,WM2A060090N,WMH020M120A1A,WM2A060090K,WM1A080120L1,WM2A060090L,WM2A100200LP,WM1A01K170K,WS4A030120D,WM2A050200LP,WM2A020065L,WM2A020065K,WM2A020065N,WM1A01K170N,WS4A030120B

2024/7/30  - 中电国基南方  - 选型指南 代理服务 技术支持 采购服务

【选型】中电国基南方SiC电力电子器件(SiC MOSFET/SiC SBD)选型指南(英文)

目录- Company profile    SIC MOSFET/SIC SBD Introduction    SIC MOSFET    SIC SBD   

型号- WM1A280120B,WM1A030065K,WS4A004065WB,WM2A017065B,WM1A030065L,WS3A003065E,WM1A080170B,WS3A003065A,WS3A050120D,WM1A160065B,WS3A015065F,WM1A01K170B,WS3A015065J,WS3A010170A,WM1A080170K,WS3A003065J,WM1A080170L,WS3A008120E,WS4A002065WB,WM1A280120N,WS3A008120A,WM1A280120K,WS3A030120K,WS4A008065A,WS3A030120D,WM1A025120K,WM1A025120L,WS3A008120J,WS3A060120K,WS4A008065E,WSXAXXXXXX0,WS4A012065A,WS4A004065E,WS3A005120J,WS3A003120A,WS3A005120E,WS3A003120E,WS3A020120J,WM1A045170K,WM1A045170L,WM1A080120K,WS3A020120D,WS3A020120A,WS3A010065J,WM1A045170B,WS4A002065A,WS4A006065E,WM1A080120B,WS3A002330D,WS4A006065A,WS4A010065E,WS4A010065A,WS3A016120K,WM1A080120N,WS3A020120K,WS3A005120A,WS3A008065E,WS3A008065F,WS3A003120J,WS3A012065J,WS3A012065K,WS3A008065A,WM2A025120B,WS3A008065J,WS4A004065A,WS3A004065A,WS3A012065F,WS3A012065D,WS3A012065E,WS3A005170A,WS3A012065A,WS3A020065J,WM1A120065K,WS3A020065F,WS3A020065D,WS3A006065E,WS4A012065WB,WS3A006065F,WS3A020065A,WS3A010120J,WS3A002065A,WS3A010120K,WM1A120065N,WS3A006065J,WS3A015120A,WS3A002065F,WS3A015120D,WS3A002065E,WS3A010065D,WS3A010065E,WS3A002065J,WS3A025650B,WS3A006065A,WS3A010065F,WS3A040065K,WS3A016065K,WS4A008065WB,WS3A010065A,WS3A001330D,WS3A020065K,WS3A012120K,WS4A010065WB,WM1A017065L,WM1A017065K,WS3A004065J,WS3A030330K,WM2A030065B,WM2A060065B,NSD10220S,WS3A004065E,WS3A004065F,WM1A060065L,WM1A060065K,WM1A060065N,WMXAXXXXXX0,WM1A01K170N,WM1A040120L,WM1A040120K,WS3A002120A,WS3A006120E,WS3A002120E,WM1A01K170K,WS3A006120J,WS3A015065A,WS3A015065D,WM1A160120B,WS3A010120D,WS3A002120J,WS3A010120E,WS3A015120E,WM1A160120N,WS3A024065K,WS3A006120A,WS3A015120J,WM2A120065B,WM1A160120K,WS3A040120K,WS3A010120A,WM1A040120B,WS3A030065A,WS3A005330D,WS4A020065K,WS3A030065J,WS4A006065WB,WS3A030065K,WS4A016065K,WS3A030065D,WS3A030065F,WS3A060065K

中电国基南方  - 选型指南 代理服务 技术支持 采购服务

A-011。图腾柱无桥PFC Vin=200V,Iin=100A,低频引脚上的二极管整流Rohm解决方案模拟器原理图信息

描述- 本资料提供了ROHM公司针对Totem-Pole Bridgeless PFC电路的解决方案,包括电路图、可选择的元器件及其特性。资料详细介绍了SiC MOSFET和Si-FRD二极管的选择,并提供了仿真波形和损耗计算模型。此外,还包含了如何更改电路中元器件的说明以及注意事项。

型号- SCT3160KL,SCT2280KE,SCT4013DE,SCT3030AL,RFN10TF6S,RFNL15TJ6S,SCT2450KE,RFNL20TJ6S,SCT2H12NZ,SCT3040KL,SCT3080KL,SCT3017AL,SCT4036KE,SCT2160KE,SCT4018KE,SCT2120AF,SCT4045DE,SCT3022AL,RFN20TF6S,SCT4026DE,SCT3060AL,RFN20TJ6S,SCT3080AL,SCT3022KL,SCT2080KE,SCT3120AL,SCT3030KL,SCT3105KL,SCT2750NY,SCT4062KE,RFNL10TJ6S

2024. Oct  - ROHM  - 电路原理图  - Rev.005 代理服务 技术支持 采购服务

SiC 电力电子器件产品简册

型号- WS4A020120A,WMH075M120A1A,WS4A050065B,WS4A030120K,WS4A020120B,WS4A020120D,WM2HV011075L,WM2HV011075K,WMT040M120B1A,WS4A040120K,WS4A004065F0,WS4A010120E,WMIT075M120B1A,WS4A010120D,WS3A010170D,WS4A040120D,WS4A010120B,WS3A010170B,WS4A010120A,WM2HA050200K,WS4A040120B,WMT075M120B1A,WMH020M065A1A,WM2V060075L,WS4A030065D,WM2HA040170N,WM2HA050200L,WM2HA100200L,WS4A020120J,WS4A020120K,WM2HA040170L,WM2HA050200N,WM2HA040170K,WM2HA100200K,WS1A025650B,WS4A008065B,WM2HV040120L,WM2HA100200N,WS4A008065A,WMD040M120B1A,WS4A008065F,WS4A008065E,WS4A030065B,WM2A030065N,WM2HA140120L,WSXAXXXXXX0,WM2HA140120K,WM2A030065L,WM2HA140120N,WM2A030065K,WS1A030330D,WS1A030330B,WMD075M120B1A,WMH040M120A1A,WM2HV016120L,WM2A030065Y,WM2HA080170N,WM2HA080170K,WM2HA080170L,WM2HV016120K,WS4A006065F,WS4A006065E,WM2HA020170L,WS4A004065A0,WS4A010120J,WS4A006065B,WM2HA020170K,WS4A006065A,WS4A010065E,WS4A040065K,WS4A010065F,WS4A010065A,WS4A010065B,WM2HV140120N,WM2HV140120L,WM2HA040120T,WM2HA025200L,WM2HV040065L,WM2HV040065K,WM2HA040120N,WM2HA040120L,WM2HA025200K,WM2HA040120K,WM2A060065N,WM2A060065K,WMH060M075A1A,WM2HV040065N,WM2A060065L,WM2HA030120T,WM2A060065Y,WS1B001500V,WM2HA030120N,WM2HA030120K,WM2HA030120L,WM2HA020120K,WM2HV140120K,WS4A005120E,WM2HA020120L,WM2A040120L,WM2A040120N,WM1A650170N,WM2HV020120K,WM1A650170K,WM2HV020120L,WM2A040120K,WS4A010065J,WS4A015120J,WM2A075120K,WS4A015120D,WM2A075120L,WS3A001330F,WM2A075120N,WS3A001330B,WS4A005120A,WS4A005120B,WM2HA040065N,WM2V020065N,WM2V020065K,WM2HA040065L,WM2V020065L,WM2HA040065K,WS4A004065B0,WS4A004065E0,WMXAXXXXXX0,WM2V040120N,WS4A020065A,WM2HA024200K,WM2V075120N,WS4A020065D,WM2HA024200L,WM2V075120K,WM2A050330B,WM2V075120L,WS4A020065B,WM2HV030120K,WM1A080120K1,WM2HA040065Y,WTSD1A25170D,WM2HA020065L,WS3A050170D,WS3A050170B,WM2HA016120L,WS3A002120A,WS4A015120A,WM2HA016120K,WM2V040120L,WM2V040120K,WS4A015120B,WS3A002120E,WM2HV020065L,WM2HA016120T,WM2A060090N,WM2A060090K,WM2V030065N,WM1A080120L1,WM2V030065L,WM2A060090L,WM2V030065K,WM1A01K170K,WS4A030120D,WM2HV030120N,WS4A020065K,WM2HV030120L,WM2A020065L,WM2A020065K,WM2A020065N,WM1A160650B,WM1A01K170N,WS4A030120B

2024/4/7  - 中电国基南方  - 选型指南 代理服务 技术支持 采购服务

ROHM(罗姆) SiC(碳化硅)MOSFET选型指南(中文)

描述- SiC MOSFET原理上在开关过程中不会产生拖尾尾电流,可高速运行且开关损耗低。低导通电阻和小型芯片尺寸造就较低的电容和栅极电荷。此外,SiC还具有如导通电阻增加量很小的优异的材料属性,并且有比导通电阻可能随着温度的升高而上升2倍以上的硅(Si)器件更优异的封装微型化和节能的优点。

型号- SCT3160KL,SCT4062KR,SCT3030KLHR,SCT4013DE,SCT3080AW7,SCT2450KE,SCT3160KW7,SCT2H12NZ,SCT4062KW7HR,SCT2450KEHR,SCT4013DR,SCT3060ALHR,SCT3040KRHR,SCT3060ARHR,SCT3040KLHR,SCT4036KEHR,SCT4045DRHR,SCT3022KLHR,SCT2160KE,SCT3080KW7,SCT3017ALHR,SCT3022AL,SCT3080ALHR,SCT3060AR,SCT3105KLHR,SCT4036KR,SCT3060AL,SCT4026DEHR,SCT4062KRHR,SCT3040KR,SCT2080KE,SCT3080KR,SCT3105KRHR,SCT3120AL,SCT4013DW7,SCT3030KL,SCT4062KWAHR,SCT4062KE,SCT3080ARHR,SCT4036KW7,SCT2280KEHR,SCT3120ALHR,SCT2280KE,SCT4062KWA,SCT3030AR,SCT3030AL,SCT3030AW7,SCT4036KRHR,SCT4045DEHR,SCT3120AW7,SCT3040KL,SCT3105KW7,SCT2080KEHR,SCT4018KW7,SCT4045DWA,SCT3080KL,SCT3030ALHR,SCT4062KW7,SCT3040KW7,SCT3022ALHR,SCT3030ARHR,SCT4045DW7,SCT3017AL,SCT4036KE,SCT4018KE,SCT4045DE,SCT4026DW7,SCT4062KEHR,SCT3080AR,SCT4026DW7HR,SCT4026DE,SCT4026DWA,SCT3160KLHR,SCT3080AL,SCT4045DW7HR,SCT4045DR,SCT2160KEHR,SCT3022KL,SCT4018KR,SCT4026DR,SCT4045DWAHR,SCT3105KL,SCT3160KW7HR,SCT3105KR,SCT3080KLHR,SCT3060AW7,SCT4026DRHR,SCT3080KRHR,SCT4026DWAHR

2024/2/27  - ROHM  - 选型指南 代理服务 技术支持 采购服务

A-005。升压PFC Vin=200V,Iin=2.5A,DCM(同步FET)Rohm解决方案仿真器原理图信息

描述- 本资料提供了ROHM Solution Simulator的电路图信息,包括一个Boost PFC电路的模拟参数和设置。该电路采用同步FETs,输入电压为200V,输入电流为2.5A,工作在DCM模式。资料详细描述了电路的各个参数,如开关频率、温度、驱动电压等,并提供了可选的元器件和产品型号。此外,还展示了电路的仿真波形和损耗计算模型,以及相关的注意事项和免责声明。

型号- SCT3160KL,SCT2280KE,SCT4013DE,SCT3030AL,SCT2450KE,SCT2H12NZ,SCT3040KL,SCT3080KL,SCT3017AL,SCT4036KE,SCT2160KE,SCT4018KE,SCT2120AF,SCT4045DE,SCT3022AL,SCT4026DE,SCT3060AL,SCT3080AL,SCT3022KL,SCT2080KE,SCT3120AL,SCT3030KL,SCT3105KL,SCT2750NY,SCT4062KE

2024. Oct  - ROHM  - 电路原理图  - Rev.005 代理服务 技术支持 采购服务

【经验】简析Sic MOSFET相对于IGBT器件的三个优势:低导通损耗、低开关损耗、高驱动电压条件下更低导通电阻

ROHM的SCT2080KEHR是1200V,导通电阻是80mΩ,电流40A,封装TO-247-3的车规级SiC MOSFET,驱动电压范围VGSS在 -6V~+22V,驱动范围比较窄。本文以CT2080KEHR为例,对比市场通用的1200V/40A的TO-247-3的IGBT单管,说明Sic MOSFET在导通损耗和开关损耗上更具优势。

2020-07-01 -  设计经验 代理服务 技术支持 采购服务

【经验】以SIC MOSFET SCT3040KR为例说明SiC MOS应用中Vds关断尖峰的应对策略

在SiC MOS应用中,通常在mos关断过程中存在较大的Vds尖峰,主要原因在Turn ON 时流过的电流的能量储存在线路和基板布线的寄生电感中,并与开关元件的寄生电容共振所产生的。本文将以ROHM SiC MOSFET SCT3040KR为例说明SiC MOS应用中Vds关断尖峰的应对策略。

2019-11-28 -  设计经验 代理服务 技术支持 采购服务

A-006。交错式PFC VIN=200V,IIN=5.0A,CCM Rohm解决方案仿真器原理图信息

描述- 本资料提供了ROHM公司的一款交错PFC电路的仿真方案,包括电路图、仿真参数、可选器件和性能分析。该方案适用于输入电压200V,输入电流5.0A,连续模式(CCM)的工作条件。资料详细介绍了电路的组件、工作频率、温度、开关频率等参数,并提供了可选的SiC MOSFET、SiC SBD等器件及其特性。此外,还展示了仿真波形、效率、功耗等性能数据,以及如何更改器件和计算损耗模型的方法。

型号- SCT3160KL,SCS208AG,SCT2280KE,SCT4013DE,SCT3030AL,SCS206AG,SCT2450KE,SCS205KG,SCT2H12NZ,SCS220AG,SCT3040KL,SCS320AHG,SCS220KG,SCT3080KL,SCS315AHG,SCT3017AL,SCT4036KE,SCT2160KE,SCT4018KE,SCT2120AF,SCT4045DE,SCT3022AL,SCS308AHG,SCS306AHG,SCS304AHG,SCS310AHG,SCS215AG,SCT4026DE,SCS210AG,SCT3060AL,SCS302AHG,SCS212AG,SCT3080AL,SCT3022KL,SCT2080KE,SCT3120AL,SCT3030KL,SCT3105KL,SCS215KG,SCT2750NY,SCT4062KE,SCS210KG,SCS312AHG

2024 Oct  - ROHM  - 电路原理图  - Rev.005 代理服务 技术支持 采购服务

ROHM(罗姆)SiC(碳化硅)MOSFET选型指南(英文)

目录- SiC MOSFETs   

型号- SCT3160KL,SCT4062KR,SCT3030KLHR,SCT4013DE,SCT3080AW7,SCT2450KE,SCT3160KW7,SCT2H12NZ,SCT4062KW7HR,SCT2450KEHR,SCT4013DR,SCT3060ALHR,SCT3040KLHR,SCT4036KEHR,SCT4045DRHR,SCT3022KLHR,SCT2160KE,SCT3080KW7,SCT3017ALHR,SCT3022AL,SCT3080ALHR,SCT3060AR,SCT3105KLHR,SCT4036KR,SCT3060AL,SCT4026DEHR,SCT4062KRHR,SCT3040KR,SCT2080KE,SCT3080KR,SCT3120AL,SCT4013DW7,SCT3030KL,SCT4062KE,SCT4036KW7,SCT2280KEHR,SCT2280KE,SCT3030AR,SCT3030AL,SCT3030AW7,SCT4036KRHR,SCT4045DEHR,SCT3120AW7,SCT3040KL,SCT3105KW7,SCT2080KEHR,SCT4018KW7,SCT3080KL,SCT3030ALHR,SCT4062KW7,SCT3040KW7,SCT3022ALHR,SCT4045DW7,SCT3017AL,SCT4036KE,SCT4018KE,SCT4045DE,SCT4026DW7,SCT4062KEHR,SCT3080AR,SCT4026DW7HR,SCT4026DE,SCT4036KW7HR,SCT3080AL,SCT4045DW7HR,SCT4045DR,SCT2160KEHR,SCT3022KL,SCT4018KR,SCT4026DR,SCT3105KL,SCT3105KR,SCT3080KLHR,SCT3060AW7,SCT4026DRHR

2022/8/3  - ROHM  - 选型指南  - Edition 2022 代理服务 技术支持 采购服务

SiC MOSFET损耗计算方法:通过波形的线性近似分割来计算损耗的方法

本文ROHM将介绍根据在上一篇文章(《SiC MOSFET损耗计算方法:开关波形的测量方法》)中测得的开关波形,使用线性近似法来计算功率损耗的方法。

2024-05-25 -  技术探讨 代理服务 技术支持 采购服务

A-003。升压PFC VIN=200V,IIN=2.5A,CCM(同步FET)Rohm解决方案仿真器原理图信息

描述- 本资料提供ROHM Solution Simulator的Boost PFC电路仿真信息,包括输入电压、电流、输出电压、开关频率等参数设置,以及电路中使用的器件如SiC MOSFET、门驱动器、电感、电容等的选择和特性。资料还展示了仿真波形、效率、功耗等性能指标,并提供了如何更改器件和计算损耗的说明。

型号- SCT3160KL,SCT2280KE,SCT4013DE,SCT3030AL,SCT2450KE,SCT2H12NZ,SCT3040KL,SCT3080KL,SCT3017AL,SCT4036KE,SCT2160KE,SCT4018KE,SCT2120AF,SCT4045DE,SCT3022AL,SCT4026DE,SCT3060AL,SCT3080AL,SCT3022KL,SCT2080KE,SCT3120AL,SCT3030KL,SCT3105KL,SCT2750NY,SCT4062KE

2024. Oct  - ROHM  - 电路原理图  - Rev.005 代理服务 技术支持 采购服务

【产品】开关频率超100KHz的SiC三相逆变器模块

flow3xPHASE 0 SiC采用3x BUCK/BOOST拓扑结构,更高的效率和更低的发热量。

2017-05-26 -  新产品 代理服务 技术支持 采购服务
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品牌:华轩阳电子

品类:碳化硅场效应管

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品牌:纳芯微电子

品类:Isolated Gate Driver

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品类:Gate Driver

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品类:晶体管

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品牌:CREE

品类:Six Channel SiC MOSFET Driver

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品牌:CREE

品类:晶体管

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品类:Anti-surge chip resistors

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品牌:ROHM

品类:电阻

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品牌:ROHM

品类:Transistor

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品牌:ROHM

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紫外光固化丙烯酸酯胶粘剂定制

可定制丙烯酸酯胶粘剂的粘度范围:250~36000 mPa·s,硬度范围:50Shore 00~85Shore D,其他参数如外观颜色,固化能量等也可按需定制。

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单组份环氧胶定制

可定制环氧胶的粘度范围:9000~170000 mPa·s;固化方式:可加热、仅室温、可UV;其他参数如外观颜色、硬度等也可按需定制。

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