能华半导体与南京大学创新中心签署战略合作协议,将进一步推动第三代化合物半导体技术创新
2024年8月20日至21日,江苏能华微电子科技发展有限公司(以下简称“能华半导体”)与南京大学固态照明与节能电子学协同创新中心(以下简称“南大创新中心”)在江苏无锡共同签署了战略合作协议。此次合作不仅是能华半导体在半导体领域市场领先地位的重要体现,更是公司在技术创新与产业升级方面迈出的关键一步。
作为国内领先的半导体企业之一,能华半导体始终致力于第三代半导体器件的研发与生产,凭借其卓越的产品质量和先进的技术水平,在行业内赢得了广泛的赞誉。此次与南大创新中心的战略合作,将进一步巩固能华半导体在第三代化合物半导体领域的领先地位,并通过共同创建科技创新平台来整合高校、企业和行业组织等资源,服务于地方高能效半导体器件与材料产业的转型升级和数字化高质量发展。
双方将加强技术交流与合作,通过共同开展科技创新项目,加速科技成果的转化应用,提升创新能力,并助力能华半导体拓展业务范围。此外,双方还将通过联合举办论坛,研讨会等活动以提高行业外对氮化镓材料和应用的优势的了解,促进行业内的交流,同时让行业各方更深入地了解能华半导体的技术和产品。另外,双方将通过及时的信息共享机制更快了解市场的需求,为客户提供更加有针对性的产品。
此次合作协议的签署标志着能华半导体在资源整合,强强合作方面的又一个重要举措。通过与南大创新中心的深度合作,能华半导体将进一步推动第三代化合物半导体的技术创新,为产业的发展做出更多的贡献!
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由ll转载自CorEnergy(能华半导体公众号),原文标题为:强强联合| 能华半导体与南京大学创新中心签署战略合作协议,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
相关推荐
能华半导体邀您相约慕尼黑上海电子展,共同推动半导体行业的璀璨未来!
2024慕尼黑上海电子展将于2024年7月8日至10日再度启航,坐标上海新国际博览中心。CorEnergy能华半导体作为国内领先的专注于第三代半导体GaN的高新技术企业,欣然受邀参展。自2010年成立以来,能华汇聚了从外延到器件设计、制造工艺,封装和测试到应用模块等各个环节的科技创新型资深专家,是全球为数不多同时掌握增强型GaN技术、耗尽型GaN技术以及耗尽型GaN直驱方案的半导体公司。
热烈祝贺能华半导体获全国第三代半导体2023-2024新锐企业奖
2023年10月29日,2023全国第三代半导体大会在深圳宝安格兰云天国际酒店四楼会议厅隆重开幕。在此,热烈庆祝能华半导体荣获全国第三代半导体2023-2024年度新锐企业奖!感谢行业对能华半导体的肯定。
业内领先的氮化镓芯片IDM企业能华半导体荣获“国家级专精特新小巨人企业”称号
2024年9月2日,江苏省工业和信息化厅官网公示了工业和信息化部第六批专精特新小巨人企业名单。作为在化合物半导体行业内领先的氮化镓芯片IDM企业,凭借深厚的技术积累、优质的产品实力和高度的市场认可,江苏能华微电子科技发展有限公司榜上有名,荣获“国家级专精特新小巨人企业”称号。
能华半导体授权世强硬创代理氮化镓外延片及器件,器件阈值电压提高约60%
能华半导体E-mode GaN产品采用增强型氮化镓(GaN)技术,较常规产品来说,其阈值电压(VTH)提高约60%。
荣湃驱动器有很多系列,如何选择适合的产品系列?
荣湃驱动器系列产品有非隔离的半桥驱动器、电压输入型的单通道隔离驱动器、电流输入型的兼容光耦单通道隔离驱动器、支持死区控制的双通道隔离驱动器和具有智能保护功能的单通道智能隔离驱动器。 如果对成本敏感,可以采用非隔离的半桥驱动器Pai81XX系列。该器件可以兼容TTL和CMOS输入,并且具备很高的dv/dt。 电压输入型的单通道隔离驱动器Pai8211系列具有初级的保护功能——分离输出和米勒钳位,同时峰值驱动能力可达10A,适合推动SiC等第三代半导体器件。 电流输入型的单通道隔离驱动器Pai8201系列与主流6pin驱动光耦完全Pin对Pin兼容,可实现免改板替换,但不具备任何保护功能。 双通道隔离驱动Pai823X系列是一款高集成度的隔离驱动器,具有驱动器禁能和可编程死区保护功能,在高功率密度系统中具有较大优势。 单通道智能隔离驱动器可以实现退饱和检测、米勒钳位、故障软关断等保护功能,能够在新能源车电驱或变频器上使用。
CorEnergy(能华半导体)外延片和功率器件选型指南
作为行业领先的以氮化镓功率器件为主的IDM公司,目前公司的产品线涵盖氮化镓外延片、氮化镓功率场效应管、氮化镓集成功率器件以及氮化镓芯片代工等。As a leading IDM company in the industry mainly focused on GaN power devices, the company's product portfolio currently covers GaN epitaxial wafers, GaN power field-effect transistors, GaN integrated circuits, and customer-specified GaN foundry services.
CORENERGY - 氮化镓功率场效应管,RF HEMT,氮化镓集成功率器件,D模式高电子迁移率晶体管,GAN EPITAXY,氮化镓外延片,功率高电子迁移率晶体管,POWER HEMT,射频高电子迁移率晶体管,D-MODE HEMT,E型高电子迁移率晶体管,氮化镓外延,E-MODE HEMT,氮化镓芯片,功率器件,CE65H900TOBI,CE65E160DNHI,CE65H270DNFI,CE65H600TOGI,CE65H160DNFI,CE65H600TOEI,CE65H160TOAIF,CE65E300DNYI,CE65H070TODI,CE65H160DNHI,CE65H270DNHI,CE65D150DNBI,CE65H270TOBI,CE65H270TOHI,CE65H270DNGI,CE65H900TOEI,CE12E075DNHI,CE65H110DNDI,CE65H160DNGI,CE12H160DNFI,CE65H600TOHI,CE65H160TOFIF,CE65H070TOCI,CE65H600TOBI,CE65E160DNYI,CE65H900TOGI,CE65H270TOGI,CE65H110TOFI,CE90E075DNHI,CE65H270TOEI,POWER TOOL,TV,伺服器,汽车,PD FAST CHARGER,SERVER,ADAPTER,个人计算机,电动工具,笔电,适配器,PC,COREGAN POWER,激光电视,COREGAN 电源,PD快速充电器,服务器,氮化钴粉末,消费级应用,工业,PD快充,电视
SiC 电力电子器件产品简册
中电国基南方集团有限公司专注于第三代半导体器件研发和应用,尤其在SiC电力电子器件领域取得显著成果。公司拥有6英寸SiC工艺线,产品包括SiC肖特基二极管、SiC MOSFET等,广泛应用于新能源汽车、轨道交通、新能源发电等领域。公司承担多项国家级课题,拥有多项发明专利,并建立了国家重点实验室和第三代半导体技术创新中心。
中电国基南方 - DIP 封装塑封器件,SIC SBD,SIC SBD 芯片晶圆,SIC场效应晶体管,SIC 顶部散热器件,SMPD 封装半桥器件,SIC SBD 高电压产品,SIC MOSFET,SIC备用电池,三相桥模块,WS4A020120A,WMH075M120A1A,WS4A050065B,WS4A030120K,WS4A020120B,WS4A020120D,WM2HV011075L,WM2HV011075K,WMT040M120B1A,WS4A040120K,WS4A004065F0,WS4A010120E,WMIT075M120B1A,WS4A010120D,WS3A010170D,WS4A040120D,WS4A010120B,WS3A010170B,WS4A010120A,WM2HA050200K,WS4A040120B,WMT075M120B1A,WMH020M065A1A,WM2V060075L,WS4A030065D,WM2HA040170N,WM2HA050200L,WM2HA100200L,WS4A020120J,WS4A020120K,WM2HA040170L,WM2HA050200N,WM2HA040170K,WM2HA100200K,WS1A025650B,WS4A008065B,WM2HV040120L,WM2HA100200N,WS4A008065A,WMD040M120B1A,WS4A008065F,WS4A008065E,WS4A030065B,WM2A030065N,WM2HA140120L,WSXAXXXXXX0,WM2HA140120K,WM2A030065L,WM2HA140120N,WM2A030065K,WS1A030330D,WS1A030330B,WMD075M120B1A,WMH040M120A1A,WM2HV016120L,WM2A030065Y,WM2HA080170N,WM2HA080170K,WM2HA080170L,WM2HV016120K,WS4A006065F,WS4A006065E,WM2HA020170L,WS4A004065A0,WS4A010120J,WS4A006065B,WM2HA020170K,WS4A006065A,WS4A010065E,WS4A040065K,WS4A010065F,WS4A010065A,WS4A010065B,WM2HV140120N,WM2HV140120L,WM2HA040120T,WM2HA025200L,WM2HV040065L,WM2HV040065K,WM2HA040120N,WM2HA040120L,WM2HA025200K,WM2HA040120K,WM2A060065N,WM2A060065K,WMH060M075A1A,WM2HV040065N,WM2A060065L,WM2HA030120T,WM2A060065Y,WS1B001500V,WM2HA030120N,WM2HA030120K,WM2HA030120L,WM2HA020120K,WM2HV140120K,WS4A005120E,WM2HA020120L,WM2A040120L,WM2A040120N,WM1A650170N,WM2HV020120K,WM1A650170K,WM2HV020120L,WM2A040120K,WS4A010065J,WS4A015120J,WM2A075120K,WS4A015120D,WM2A075120L,WS3A001330F,WM2A075120N,WS3A001330B,WS4A005120A,WS4A005120B,WM2HA040065N,WM2V020065N,WM2V020065K,WM2HA040065L,WM2V020065L,WM2HA040065K,WS4A004065B0,WS4A004065E0,WMXAXXXXXX0,WM2V040120N,WS4A020065A,WM2HA024200K,WM2V075120N,WS4A020065D,WM2HA024200L,WM2V075120K,WM2A050330B,WM2V075120L,WS4A020065B,WM2HV030120K,WM1A080120K1,WM2HA040065Y,WTSD1A25170D,WM2HA020065L,WS3A050170D,WS3A050170B,WM2HA016120L,WS3A002120A,WS4A015120A,WM2HA016120K,WM2V040120L,WM2V040120K,WS4A015120B,WS3A002120E,WM2HV020065L,WM2HA016120T,WM2A060090N,WM2A060090K,WM2V030065N,WM1A080120L1,WM2V030065L,WM2A060090L,WM2V030065K,WM1A01K170K,WS4A030120D,WM2HV030120N,WS4A020065K,WM2HV030120L,WM2A020065L,WM2A020065K,WM2A020065N,WM1A160650B,WM1A01K170N,WS4A030120B,同步 BUCK,LLC,储能系统,高压电源,交错 BOOST 电路,充电模块,图腾柱 PFC,电动汽车,高速工业开关模式电源,电网输变电,PFC+ 半桥 LLC,储能,CLLC 变换器,有限责任公司,车载 DCDC,服务器电源,三相维也纳 +LLC,电机驱动,新能源发电,PFC 电源,开关模式电源,车载 OBC,充电桩,太阳能发电,温度检测,空压机控制器,同步 BOOST,逆变器,光伏升压电路,通信电源,电动汽车快充,轨道交通,PFC+CLLC,SMPS,辅助电源
CorEnergy 氮化镓功率器件 选型表
CorEnergy,氮化镓功率器件,额定电压:650V,额定电流):3~21A,内阻:110~900mΩ,储存温度:-55 to 150℃,DFN8*8、TO-252、TO-220、TO-220F、DFN5*6封装形式。
产品型号
|
品类
|
额定电压(V)
|
额定电流(A)
|
内阻(mΩ)
|
储存温度(℃)
|
封装
|
CE65H160DNGI
|
氮化镓功率器件
|
650V
|
14A
|
160mΩ
|
-55 to 150℃
|
DFN8*8
|
选型表 - CorEnergy 立即选型
国产氮化镓新势力,能华基于D mode 氮化镓的快充方案
江苏能华推出的氮化镓功率器件具有耐电流冲击能力强、驱动电压范围宽、耐ESD能力强、闸门泄漏电流小、Si MOSFET驱动兼容等特点,因此这种氮化镓器件的可靠性更高,应用范围更广,能够广泛应用于消费、工业和汽车等应用领域。
双界对接赋新能 产教共融促发展|江苏教育界与产业界对话对接活动圆满举行
8月20日,江苏教育界与产业界对话对接活动——高能效半导体器件与材料协同创新及产业链融合发展大会在无锡盛大举行。本次大会由江苏省教育厅、江苏省科技厅指导,南京大学固态照明与节能电子学协同创新中心、华润微电子有限公司、苏州晶湛半导体有限公司共同举办,汇聚了来自教育、科研与产业界的精英力量。
CE65H270TOEI氮化镓650V氮化镓高电子迁移率晶体管数据表
该资料介绍了Corenergy公司生产的CE65H270TOEI系列650V GaN HEMT器件。这些GaN FETs具有低栅极电荷、快速开关速度和低动态导通电阻等特点,相比传统硅器件在效率、功率密度和系统尺寸与重量方面提供显著优势。
CORENERGY - GALLIUM NITRIDE FETS,氮化镓高电子迁移率晶体管,GAN FETS,氮化镓场效应晶体管,GAN HEMT,CE65H270TOEI SERIES,CE65H270TOEI,电信,汽车,INDUSTRIAL,数据通信,ADAPTER,SERVO MOTORS,AUTOMOTIVE,DATA-COM,TELECOM,适配器,RENEWABLE ENERGY,可再生能源,伺服电动机,工业
2024慕尼黑上海电子展圆满落幕:能华半导体以创新之名,亮GaN技术之锋芒
2024年7月8至10日,备受瞩目的慕尼黑上海电子展圆满落下帷幕。在此次盛会中,能华半导体在展会上以创新与实力并重的产品阵容惊艳亮相,能华半导体作为国内唯一同时量产了D-Mode和E-Mode氮化镓的IDM公司,展示出了一系列以D-Mode氮化镓技术为基础的功率氮化镓器件以及6寸和8寸的D- Mode和E-Mode氮化镓晶圆产品, 目前亦是国内为数不多的研发产出8寸氮化镓晶圆的厂商。
CE65H270DNDI氮化镓650V氮化镓高电子迁移率晶体管规格书
CE65H270DNDI系列650V GaN HEMT是Corenergy公司生产的氮化镓场效应晶体管,具有低导通和开关损耗,适用于适配器、可再生能源、电信和数据通信、伺服电机、工业和汽车等领域。
CORENERGY - GALLIUM NITRIDE FETS,氮化镓高电子迁移率晶体管,GAN FETS,氮化镓场效应晶体管,GAN HEMT,CE65H270DNDI,CE65H270DNDI SERIES,电信,汽车,INDUSTRIAL,数据通信,ADAPTER,SERVO MOTORS,AUTOMOTIVE,DATA-COM,TELECOM,适配器,RENEWABLE ENERGY,可再生能源,伺服电动机,工业
电子商城
服务
可定制UV胶的粘度范围:150~25000cps,粘接材料:金属,塑料PCB,玻璃,陶瓷等;固化方式:UV固化;双固化,产品通过ISO9001:2008及ISO14000等认证。
最小起订量: 1支 提交需求>
可定制丙烯酸酯胶粘剂的粘度范围:250~36000 mPa·s,硬度范围:50Shore 00~85Shore D,其他参数如外观颜色,固化能量等也可按需定制。
最小起订量: 1 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论