【应用】国产SiC MOSFET IV1Q12050T3/T4用于大功率LLC谐振器，导通电阻仅50mΩ
在逆变应用领域中，LLC谐振变换器电路中的大功率器件一直多以英飞凌的cool mos和CREE的SiC MOS为主，加上近期进口物料的交期和价格都不理想，国产化的需求越来越多，瞻芯电子针对这一需求推出导通电阻仅50mΩ的SiC MOSFET IV1Q12050T3/IV1Q12050T4，LLC谐振器大功率MOS国产化的优秀选择。
LLC谐振变换器的典型电路图如图1所示，以20KW功率的LLC谐振变换器为例，开关频率要求100KHz以上，由于母线电压为450-600V（AC380V±10%），原边电流最大在45A左右。根据以上要求，需要选择耐压1200V、电流40-50A的功率器件，传统的功率cool MOS由于最高电压达不到1200V，而IGBT的开关频率满足不了100KHz，因此SiC器件是此方案的最佳选择。
图1 LLC谐振变换器的典型电路图
瞻芯电子针对上述需求推出导通电阻仅50mΩ的IV1Q12050T3/T4，其在LLC应用优势如下：
1、导通电阻低、耐压高，典型值仅为50mΩ导通电阻可以确保在高频100KHz和高压下工作时，开关损耗能做到很低，能满足大功率LLC的功率器件需求；而传统的分立Si MOS最高耐压在900V左右，很难满足高输入电压的LLC谐振变换器，；
2、快速恢复体二极管，IV1Q12050T3/T4的体二极管反向恢复时间仅为44ns，大大降低管子工作续流时二极管上的功耗，从而降低整体器件的功耗；
3、封装齐全，IV1Q12050T3为TO-247-3L封装，IV1Q12050T4为TO-247-4L封装（开尔文引脚），可以完全兼容市场上的进口SIC MOS器件；
4、高工作结温，-55至175℃的宽工作结温范围，确保管子在极限温度下工作的可靠性；
5、国产品牌，在性价比和交期上相对进口器件有很大的优势。
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产品型号
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品类
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Qualification
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VDS（V）
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RDS(ON) （mΩ）
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ID（TC=25°C）（A）
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VTH（ TJ =25°C）（V）
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VTH（ TJ =175°C）（V）
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Qg（nC）
|
Operating Junction Temperature（°C）
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Package
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IV2Q06025T4Z
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SiC MOSFET
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汽车级
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650V
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25mΩ
|
99A
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2.8V
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2.0V
|
125.0nC
|
-55°C to 175°C
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TO247-4
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