【应用】国产SiC MOSFET IV1Q12050T3/T4用于大功率LLC谐振器，导通电阻仅50mΩ
在逆变应用领域中，LLC谐振变换器电路中的大功率器件一直多以英飞凌的cool mos和CREE的SiC MOS为主，加上近期进口物料的交期和价格都不理想，国产化的需求越来越多，瞻芯电子针对这一需求推出导通电阻仅50mΩ的SiC MOSFET IV1Q12050T3/IV1Q12050T4，LLC谐振器大功率MOS国产化的优秀选择。
LLC谐振变换器的典型电路图如图1所示，以20KW功率的LLC谐振变换器为例，开关频率要求100KHz以上，由于母线电压为450-600V（AC380V±10%），原边电流最大在45A左右。根据以上要求，需要选择耐压1200V、电流40-50A的功率器件，传统的功率cool MOS由于最高电压达不到1200V，而IGBT的开关频率满足不了100KHz，因此SiC器件是此方案的最佳选择。
图1 LLC谐振变换器的典型电路图
瞻芯电子针对上述需求推出导通电阻仅50mΩ的IV1Q12050T3/T4，其在LLC应用优势如下：
1、导通电阻低、耐压高，典型值仅为50mΩ导通电阻可以确保在高频100KHz和高压下工作时，开关损耗能做到很低，能满足大功率LLC的功率器件需求；而传统的分立Si MOS最高耐压在900V左右，很难满足高输入电压的LLC谐振变换器，；
2、快速恢复体二极管，IV1Q12050T3/T4的体二极管反向恢复时间仅为44ns，大大降低管子工作续流时二极管上的功耗，从而降低整体器件的功耗；
3、封装齐全，IV1Q12050T3为TO-247-3L封装，IV1Q12050T4为TO-247-4L封装（开尔文引脚），可以完全兼容市场上的进口SIC MOS器件；
4、高工作结温，-55至175℃的宽工作结温范围，确保管子在极限温度下工作的可靠性；
5、国产品牌，在性价比和交期上相对进口器件有很大的优势。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 2
本文由Bob提供，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【应用】国产SiC MOSFET IV1Q12050T4助力30KW充电模块全桥LLC设计，最高效率可达96.5%
新能源汽车的快速发展，带来充电的需求，为了满足电动汽车的快速充电，充电桩直流充电模块在其中有着不可替代的作用，本文重点介绍瞻芯电子1200V的SiC MOS管 IV1Q12050T4助力30KW充电模块全桥LLC设计，最高效率可达96.5%。
【应用】国产SiC MOSFET IV1Q12050T3助力紧凑型伺服驱动器设计，导通电阻低至50mΩ
本文重点介绍瞻芯电子SiC MOSFET IV1Q12050T3助力紧凑型伺服驱动器设计，在低压伺服驱动器设计上有效的降低主回路的损耗和管压降，尤其是在高开关频率下可减少驱动的损耗，从而提高系统的效率、缩小产品体积。
瞻芯电子SiC MOSFET选型表
瞻芯电子提供以下参数选型：汽车级&工业级，VDS（V）：650V~1700V，RDS(ON) ：15mΩ~10000mΩ。
|
产品型号
|
品类
|
Qualification
|
VDS（V）
|
RDS(ON) （mΩ）
|
ID（TC=25°C）（A）
|
VTH（ TJ =25°C）（V）
|
VTH（ TJ =175°C）（V）
|
Qg（nC）
|
Operating Junction Temperature（°C）
|
Package
|
|
IV2Q06025T4Z
|
SiC MOSFET
|
汽车级
|
650V
|
25mΩ
|
99A
|
2.8V
|
2.0V
|
125.0nC
|
-55°C to 175°C
|
TO247-4
|
选型表 - 瞻芯电子 立即选型
瞻芯电子累计交付SiC MOSFET产品1000万颗以上，产品的长期可靠性得到市场验证
近日，自2020年正式发布第一代碳化硅(SiC) MOSFET产品以来，瞻芯电子累计交付SiC MOSFET产品1000万颗以上，其中包含近400万颗车规级产品应用在新能源汽车市场，标志着产品的长期可靠性得到了市场验证。
【视频】瞻芯电子SIC MOSFET多管并联均流驱动方案，成本低高可靠性抗米勒效应1200V
瞻芯电子推出SIC MOSFET多管并联均流驱动方案，成本低，高可靠性，抗米勒效应，适用于1200V电压等级。方案通过优化驱动电路和器件选择，实现多管并联均流，提高系统性能和稳定性。
瞻芯电子 - SIC场效应晶体管,SIC二极管,闸门驱动器,双面水冷碳化硅模块,碳化硅MOSFET模块,控制器集成电路,SIC MOSFET,IV1Q12050T4,IV1Q12017T4,IVCC1102,IV1Q12017T4G,IV1Q12017BAG,IVCR1412,IVCR1401,硅MOSFET,紧凑型AC/DC转换器,IGBT,单个和多个并联MOSFET驱动器,氮化镓驱动器,紧凑型碳化硅MOSFET,高密度功率模块设计
瞻芯电子SIC MOSFET多管并联均流驱动方案：成本低高可靠性抗米勒效应1200V
瞻芯电子推出SIC MOSFET多管并联均流驱动方案，成本低，高可靠性，有效抗米勒效应。该方案适用于1200V电压等级，旨在提高SiC MOSFET模块的功率密度和性能。方案涉及多管并联测试条件、影响因素分析以及驱动电路影响分析，旨在优化并联均流性能。
瞻芯电子 - SIC二极管,CONTROLLER ICS,双面水冷碳化硅模块,闸门驱动器,SIC DIODES,控制器集成电路,碳化硅MOSFET模块,SIC MOSFETS,SIC MOSFET MODULES,GATE DRIVER,SIC MOSFET,IV1Q12050T4,IV1Q12017T4,IVCC1102,IV1Q12017T4G,IV1Q12017BAG,IVCR1412,IVCR1401,紧凑型AC/DC转换器,单个和多个并联MOSFET驱动器,SINGLE AND MULTIPLE PARALLELED MOSFET DRIVE,氮化镓驱动器,COMPACT AC/DC CONVERTERS,HIGH DENSITY POWER MODULE DESIGN,紧凑型碳化硅MOSFET,高密度功率模块设计,硅MOSFET,COMPACT SIC MOSFET,IGBT,SI MOSFET,GAN DRIVE
SiC MOSFET驱动与Si IGBT驱动异同？SiC MOSFET能否沿用IGBT插件驱动板方式驱动？
不能沿用。因为采用驱动板的方式，驱动回路寄生电感比较大，从而需要更大的驱动电阻来阻尼，进而导致开关速度变慢，损耗增大。如果不用更大的驱动电阻来阻尼，那么Vgs波形会导致比较大的振荡，进而导致Vds振荡，从而增加开关损耗。另，寄生电感比较大本身就增加了驱动回路阻抗，驱动电路的抗米勒能力减弱，导致开关速度变慢，损耗也增大。
【选型】国产SIC MOSFET IV1Q06040T4用于V2G模块，导通电阻低至40毫欧
本文主要介绍上海瞻芯电子的SIC MOSFET 06040T4 用于V2G模块，其导通电阻低至40毫欧。在SiC MOSFET的开发与应用方面，与相同功率等级的Si MOSFET相比，SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低，适用于更高的工作频率。
IV1Q12160T3–1200V 160mΩSiC MOSFET
本资料介绍了InventChip公司的IV1Q12160T3型号1200V 160mΩ SiC MOSFET的特性。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关特性、高结温工作能力以及快速且坚固的本征体二极管等特点。适用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动器、高压直流/直流转换器和开关模式电源等领域。
瞻芯电子 - SIC场效应晶体管,SIC MOSFET,IV1Q12160T3,SOLAR INVERTERS,高压DC/DC变换器,HIGH VOLTAGE DC/DC CONVERTERS,不间断电源,电动机驱动器,UPS,太阳能逆变器,SWITCH MODE POWER SUPPLIES,模式电源开关,MOTOR DRIVERS
上海瞻芯电子的SiC MOSFET是否有正负压应力极限的数据？
瞻芯电子的SiC MOSFET栅极电压规范（+20V/-5V）是严格根据JEDEC来做的认证，保证产品在室温下工作寿命不小于10年。对于超出栅极电压规范的应用情况，主要有以下两个方面的考量。 第一，栅极本身的寿命模型主要由SiO2的TDDB（Time Dependent Dielectric Breakdown 时间依赖的介质击穿）模型来确定，已经有大量的数据表明SiC上生长的SiO2介质层的质量跟Si上生长的SiO2是一样优良的，所以从TDDB的角度来看，20V的栅介质所能承受的更高电压以及在该电压下的寿命模型跟Si MOSFET和IGBT是一致的；瞻芯电子正在用瞻芯自己的SiC MOSFET建立SiO2栅介质工艺和器件的寿命模型。 第二，SiC MOSFET跟Si MOS产品（MOSFET和IGBT）最大的差别和挑战就在于PBTI（Positive Bias Temperature Instability正偏压温度不稳定性）和NBTI（Negative Bias Temperature Instability负偏压温度不稳定性），加正偏压后器件Vth会增加，加负偏压后器件Vth会减小；在JEDEC认证条件下，在栅极电压规范内工作，器件的寿命是可以得到保证的；对于超出栅压规范的应用寿命模型，瞻芯电子正在搭建设备并且做详细规划和研究；总体说来，只要正栅压不超过25V，负栅压不低于-10V，Duty Cycle比较小的脉冲不会对器件造成性能的不可恢复性损伤，具体的定量关系和寿命模型会在第一轮研究结束时给出。
IV2Q171R0D7–1700V 1000mΩSiC MOSFET
本资料介绍了InventChip Technology Co., Ltd.生产的IV2Q171R0D7型号1700V 1000mΩ碳化硅MOSFET的特性。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速切换能力、高结温操作能力和快速且坚固的本征体二极管等特点。
瞻芯电子 - SIC场效应晶体管,SIC MOSFET,IV2Q171R0D7,SOLAR INVERTERS,AUXILIARY POWER SUPPLIES,SMART METERS,太阳能逆变器,SWITCH MODE POWER SUPPLIES,模式电源开关,辅助电源,智能电表
IV1Q12080T4–1200V 80mΩSiC MOSFET
该资料介绍了InventChip公司生产的IV1Q12080T4型号的1200V 80mΩ SiC MOSFET。这款MOSFET具有高压、低导通电阻的特点，适用于光伏逆变器、UPS电源、电机驱动、高压DC/DC变换器和开关电源等领域。
瞻芯电子 - SIC场效应晶体管,SIC MOSFET,IV1Q12080T4,开关电源,电机驱动,光伏逆变器,UPS 电源,高压 DC/DC 变换器
IV2Q171R0D7Z–1700V 1000mΩSiC MOSFET
该资料介绍了InventChip公司的IV2Q171R0D7Z型号1700V 1000mΩ碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该产品采用第二代SiC MOSFET技术，具有高压、低导通电阻和高可靠性等特点，适用于光伏、辅助电源、开关电源和智能电表等领域。
瞻芯电子 - SIC场效应晶体管,SIC MOSFET,IV2Q171R0D7Z,开关电源,光伏,辅助电源,智能电表
IV1Q06060T4G–650V 60mΩSiC MOSFET
该资料介绍了InventChip公司的650V 60mΩ SiC MOSFET（型号IV1Q06060T4G）的特性、应用领域和封装尺寸。产品具备高压、低导通电阻、高速和高工作结温等特点，适用于光伏逆变器、UPS电源、电机驱动、高压DC/DC变换器和开关电源等领域。
瞻芯电子 - SIC场效应晶体管,SIC MOSFET,IV1Q06060T4G,开关电源,电机驱动,光伏逆变器,UPS 电源,高压 DC/DC 变换器
IV2Q12017T4–1200V 17mΩSiC MOSFET
本文档介绍了InventChip公司生产的1200V 17mΩ SiC MOSFET的特点、技术规格和应用领域。该器件具备高压、低导通电阻和高工作结温等特点，适用于光伏逆变器、电机驱动、高压DC/DC变换器和开关电源等领域。
瞻芯电子 - SIC场效应晶体管,快速恢复体二极管,SIC MOSFET,IV2Q12017T4,开关电源,电机驱动,光伏逆变器,高压 DC/DC 变换器
电子商城
现货市场
服务
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m，厚度2mm-100mm，单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量： 1片 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
查看全部2条回复